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Privatkunde

FF4MR12W2M1HB70BPSA1

Infineon Technologies

MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	370.9 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

Infineon Technologies

Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	493.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 594nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
Supplier Device Package: AG-EASY2B

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	449.27 EUR

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FF4MR20KM1HHPSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36100pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 300A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1170nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA
Supplier Device Package: AG-62MMHB

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	1095.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FF4MR20KM1HHPSA1

Infineon Technologies

Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	838.78 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FF4MR20KM1HHPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - FF4MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 280 A, 2 kV, 5300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	867.7 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FF4MR20KM1HPHPSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36100pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 300A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1170nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA
Supplier Device Package: AG-62MMHB

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	1104.67 EUR

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FF4MR20KM1HPHPSA1

Infineon Technologies

MOSFET Modules 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	1111.03 EUR
8+	989.19 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FF4MR20KM1HPHPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - FF4MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 245 A, 2 kV, 5300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	1129.2 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FF4U03LD