Produkte > GS6

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
GS66516B-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.45 EUR
10+65.53 EUR
100+57.37 EUR
500+57.35 EUR
1000+57.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516B-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66516B-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516BMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 14.2nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+113.7 EUR
5+90.62 EUR
10+69.81 EUR
50+68.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516BMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS66516B-MR
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.63 EUR
10+52.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516BMRXUSA1Infineon TechnologiesGS66516BMRXUSA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516BMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+113.7 EUR
5+90.62 EUR
10+69.81 EUR
50+68.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516BMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS66516B-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+42.59 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516BMRXUSA1Infineon TechnologiesGS66516BMRXUSA1
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+77.4 EUR
10+67.72 EUR
25+62.23 EUR
50+55.75 EUR
100+52.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516BTRXUMA1Infineon TechnologiesGS66516BTRXUMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516BTRXUMA1Infineon Technologies LEGACY GAN SYSTEMS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516T-BGaN Systems IncGS66516T-B
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+64.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516T-E02-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooling
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516T-EVBDBGaN Systems Inc650V GaN E-HEMT Evaluation Board
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+583.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516T-EVBDBGaN SystemsPower Management IC Development Tools GS66516T Half Bridge Daughter Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516T-EVBDB2GaN SystemsPower Management IC Development Tools 650V GaN Isolated Optocoupler Driver Half Bridge Daughter Board 2.5 kW featuring the Broadcom ACPL-P346 Gate Drive optocoupler
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+476.58 EUR
5+460.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516T-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516T-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66516T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+59.4 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516T-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66516T-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.34 EUR
10+57.7 EUR
100+50.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516T-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 4-Pin ULGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516T-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66516T-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516T-TRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 4-Pin ULGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516T-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516TMRXUSA1Infineon TechnologiesGS66516TMRXUSA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516TMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS66516T-MR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516TMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS66516T-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516TTRXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GS66516T-TR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516TTRXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GS66516T-TR
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516TTRXUMA1Infineon TechnologiesTop-side cooled 650 V E-mode GaN transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS665BTP-EVBGaN SystemsPower Management IC Development Tools 3kW EHEMT Bridgeless Totem Pole PFC Evkit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS665MB-EVBGaN SystemsPower Management IC Development Tools 650V Motherboard without gate Driver
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+363.54 EUR
5+351 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS672116TP-12IGSITSOP
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS6M-15X16SR PASSIVESCategory: Knobs for shaft potentiometers
Description: Knob; with pointer; aluminium,thermoplastic; Øshaft: 6mm; silver
Type of accessories for potentiometer: knob
Kind of knob: with pointer
Colour: silver
Knob dimensions: Ø15x16mm
Shaft diameter: 6mm
Material: aluminium; thermoplastic
Mounting: push-in
Shaft surface: knurled
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+2.09 EUR
53+1.62 EUR
59+1.45 EUR
100+1.21 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS6M-15X16SR PASSIVESРучка с указателем: 6 мм, d15*16мм, с насечкой Резистори змінні та підлаштовні
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4