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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NJVMJK32CTWGonsemiDescription: TRANS 100V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.02 EUR
100+1.36 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK32CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK32CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
156+1.5 EUR
225+0.95 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK32CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP LFPAK4 PNP 3A 100V TR
auf Bestellung 2593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.03 EUR
10+1.95 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.76 EUR
6000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK32CTWGonsemiDescription: TRANS 100V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.86 EUR
6000+0.8 EUR
9000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK32CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK32CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
156+1.5 EUR
225+0.95 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK44H11TWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80 V, 8A, Low VCE(sat) NPN Transistor, Automotive
auf Bestellung 2893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+1.92 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.75 EUR
6000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK44H11TWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK44H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.75 EUR
106+2.19 EUR
159+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK44H11TWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
11+1.93 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK44H11TWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK44H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.75 EUR
106+2.19 EUR
159+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK44H11TWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK45H11TWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.72 EUR
107+2.19 EUR
159+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK45H11TWGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK45H11TWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80 V, 8A, Low VCE(sat) PNP Transistor, Automotive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+1.92 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.83 EUR
6000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK45H11TWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
107+2.19 EUR
159+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK45H11TWGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.74 EUR
6000+0.69 EUR
9000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD1718T4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD1718T4GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIPOLAR DPAK 50V
auf Bestellung 2334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD1718T4GRochester Electronics, LLCDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 838 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD1718T4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 2A DPAK
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD1718T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 2.0 A, 50 V PNP Power Transistor
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD1718T4GON Semiconductor
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD1718T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD2873T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 12.5W; DPAK; automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...360
Frequency: 65MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 2302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+0.75 EUR
151+0.56 EUR
161+0.54 EUR
169+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD2873T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
auf Bestellung 4958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.19 EUR
100+0.81 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD2873T4GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Power - Max: 1.68 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
auf Bestellung 3914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD2873T4GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 1.68 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1054 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD2873T4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NJVNJD2873T4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.71 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
366+0.48 EUR
367+0.45 EUR
368+0.44 EUR
388+0.4 EUR
390+0.38 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 366 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVNJD2873T4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NJVNJD2873T4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3707 Stücke:
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131+1.92 EUR
168+1.39 EUR
236+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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NJVNJD2873T4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
auf Bestellung 10716 Stücke:
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3+1.63 EUR
10+1.27 EUR
100+0.9 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NJVNJD35N04GON SemiconductorDarlington Transistors Pwr DARLINGTON TRANSIST
auf Bestellung 1425 Stücke:
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NJVNJD35N04GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
Produkt ist nicht verfügbar
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NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NJVNJD35N04T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.81 EUR
12+1.77 EUR
100+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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NJVNJD35N04T4GonsemiDarlington Transistors NPN DARLINGTON Pwr TRAN
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2+2.78 EUR
10+1.76 EUR
100+1.18 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NJVNJD35N04T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NJVNJD35N04T4GOn SemiconductorNPN DARL 350V 4A DPAK-4 Транзистори
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NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NJVTIP106GonsemiSwitching Controllers
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NJVTIP31CGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP31CG - BIP TO-220 NPN 3A 100V
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
324+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 324 Stücke
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NJVTIP31CGonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 3A 100V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 10920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
673+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 673 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVTIP31GonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 3A 100V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 6600 Stücke:
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673+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 673 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVTIP31GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP31G - BIP TO-220 NPN 3A 100V
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
324+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 324 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVTIP32BGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP32BG - BIP T0220 PNP 3A 80V
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
302+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVTIP32BGonsemiDescription: BIP T0220 PNP 3A 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 8983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
626+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 626 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVTIP50GonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 1A 400V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 14716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
649+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVTIP50GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP50G - BIP TO-220 NPN 1A 400V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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