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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTB23N03RT4ON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB23N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
auf Bestellung 174372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB23N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB23N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
auf Bestellung 11894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1312+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB23N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
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NTB23N03RT4GONTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06ON07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06onsemiMOSFET -60V -27.5A Pchannel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06GONTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06T4onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 443 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06T4onsemiMOSFETs -60V -27.5A Pchannel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.59 EUR
100+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06T4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
auf Bestellung 3461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.87 EUR
10+3.82 EUR
100+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTB25P06T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.09 EUR
54+4.34 EUR
63+3.45 EUR
100+2.87 EUR
250+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06T4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.89 EUR
1600+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06T4GonsemiMOSFETs -60V -27.5A Pchannel
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+3.88 EUR
100+2.68 EUR
500+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB25P06T4GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27.5A; 120W; D2PAK
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Drain current: -27.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB27N06ON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB27N06LG
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB27N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 13.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB27N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 13.5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 20028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
607+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 607 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB27N06T4ON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB27N06T4G
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB3055V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N06onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N06ON07+ SOT-263
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N06G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N06LonsemiMOSFETs 60V 30A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N06LONTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N06LG
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N06LT4ONTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N06LT4G
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N06T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N06T4G
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N20ONTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N20onsemiMOSFETs 200V 30A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N20GonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB30N20T4ONTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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NTB30N20T4onsemiMOSFETs 200V 30A N-Channel
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NTB30N20T4GON0848
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NTB30N20T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NTB30N20T4GonsemiMOSFETs 200V 30A N-Channel
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NTB35N15ONTO-263/D2-PAK
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NTB35N15GON
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NTB35N15GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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NTB35N15T4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NTB35N15T4ON07+ TO-263/D2-PAK
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NTB35N15T4GONN
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NTB35N15T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
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NTB35N15T4GON SemiconductorMOSFET 150V 37A N-Channel
auf Bestellung 1230 Stücke:
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NTB35N15T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NTB36N06
auf Bestellung 45 Stücke:
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NTB3N120EONTO-263
auf Bestellung 10000 Stücke:
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NTB4302ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
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NTB4302ONTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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NTB4302GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
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NTB4302T4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NTB4302T4ON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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NTB4302T4G
auf Bestellung 35000 Stücke:
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NTB4302T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NTB45N06onsemiMOSFETs 60V 45A N-Channel
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NTB45N06Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 154 Stücke:
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NTB45N06ONTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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NTB45N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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NTB45N06GOn SemiconductorMOSFET N-CH 60V 45A D2PAK Транзистори
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NTB45N06GOND2PAK
auf Bestellung 10000 Stücke:
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NTB45N06GonsemiMOSFETs 60V 45A N-Channel
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NTB45N06LRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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NTB45N06LONTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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NTB45N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22.5A, 5V
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 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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NTB45N06LGON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTB45N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22.5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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NTB45N06LT4ON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB45N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22.5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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NTB45N06LT4GON SemiconductorMOSFET 60V 45A N-Channel
auf Bestellung 120 Stücke:
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NTB45N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22.5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB45N06T4onsemiMOSFET 60V 45A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB45N06T4ON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB45N06T4Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB45N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB45N06T4GonsemiMOSFET 60V 45A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB45N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB4N40E
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB50N06EL
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB52N10onsemiMOSFETs 100V 52A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB52N10ON07+ SOT-263
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB52N10GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB52N10G
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB52N10T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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