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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF6611TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6611TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6611TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6611TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6611TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4860 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6611TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4860 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6612
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612TRIR0415+ DIRECTFE
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6612TR1
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613Infineon TechnologiesMOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TR1International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TR1International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.1 EUR
1001+1.01 EUR
3001+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TR1PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TR1PBFIR1011+ DirectFET-MT
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 3670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.33 EUR
52+2.79 EUR
53+2.7 EUR
100+1.83 EUR
250+1.79 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.4 EUR
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBFInternational RectifierDescription: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
auf Bestellung 22140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
195+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 3670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.33 EUR
52+2.73 EUR
53+2.6 EUR
100+1.74 EUR
250+1.65 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 9191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.25 EUR
500+2 EUR
1000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+1.97 EUR
89+1.63 EUR
100+1.55 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.75 EUR
10+2.99 EUR
100+2.22 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.72 EUR
2500+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 29620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.25 EUR
500+2 EUR
1000+1.8 EUR
10000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 12949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.25 EUR
500+2 EUR
1000+1.8 EUR
10000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 20895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.25 EUR
500+2 EUR
1000+1.8 EUR
10000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6614Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6614IRF6614 Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6614TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6614TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6614TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6614TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesIRF6614TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 40V 12.7A 7-Pin Direct-FET ST T/R Si - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6614TRPBFInfineon
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesIRF6614TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 40V 12.7A 7-Pin Direct-FET ST T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 4797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+3.98 EUR
42+3.24 EUR
100+2.57 EUR
250+2.01 EUR
500+1.91 EUR
1000+1.67 EUR
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6614TRPBF
Produktcode: 106259
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF6614 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6614TRPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs
auf Bestellung 9583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 1374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+2.74 EUR
63+2.26 EUR
100+1.71 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 16200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+3.69 EUR
45+3.15 EUR
46+3 EUR
100+2.33 EUR
250+1.79 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.61 EUR
3000+1.49 EUR
6000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 5000 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs
auf Bestellung 4903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.37 EUR
10+4.8 EUR
100+3.84 EUR
250+3.78 EUR
500+3.17 EUR
1000+2.66 EUR
2500+2.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TRPBFInternational RectifierDescription: IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
164+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 5000 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617IRF09+
auf Bestellung 14818 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617TR1International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617TR1International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
auf Bestellung 1117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.53 EUR
1001+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617TR1PBFIOR2006
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC
auf Bestellung 4202 Stücke:
Lieferzeit 220-224 Tag (e)
1+2.99 EUR
10+2.69 EUR
100+2.16 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.47 EUR
2500+1.32 EUR
4800+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618IOR04+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618-8IOR2006
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618PBF-6IOR2007
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618PBF-8IOR2007
auf Bestellung 2311 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618TR1IR
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618TR1PBFIOR2007
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
10+3.6 EUR
100+2.51 EUR
500+2.04 EUR
1000+1.89 EUR
2000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6618TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0017 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 170
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 89
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.64
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC
auf Bestellung 4595 Stücke:
Lieferzeit 302-306 Tag (e)
1+5.05 EUR
10+4.56 EUR
100+3.66 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.32 EUR
2500+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+2.97 EUR
55+2.58 EUR
57+2.38 EUR
100+1.95 EUR
250+1.69 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.41 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6618TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0017 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6619Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.92 EUR
10+2.48 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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