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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF6603TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6603TR1International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6604Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6604Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6604Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6604TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6607IR
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6607Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6607Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6607PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6607TR1Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6607TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6607TR1PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6607TRPBFIOR2007
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6608Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6608International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6608TR1IR2005
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6608TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609Infineon TechnologiesMOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609TR1Infineon / IRMOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609TR1PBFInfineon / IRMOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609TRPBFInfineon / IRMOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6610Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6610TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6610TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6610TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6610TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6610TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6611Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6611TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6611TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6611TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6611TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6611TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6611TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4860 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6611TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4860 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612TRIR0415+ DIRECTFE
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612TR1
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6612TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613Infineon TechnologiesMOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TR1International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TR1International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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1000+1.31 EUR
1001+1.2 EUR
3001+1.13 EUR
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IRF6613TR1PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET Транзистори
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IRF6613TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
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IRF6613TR1PBFIR1011+ DirectFET-MT
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IRF6613TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
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IRF6613TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 3125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.03 EUR
250+2.62 EUR
1000+2.05 EUR
2000+2 EUR
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IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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34+5.15 EUR
52+3.32 EUR
53+3.21 EUR
100+2.18 EUR
250+2.13 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.67 EUR
3000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 3670 Stücke:
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34+5.15 EUR
52+3.25 EUR
53+3.09 EUR
100+2.07 EUR
250+1.96 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
auf Bestellung 1931 Stücke:
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1+5.65 EUR
10+3.56 EUR
100+2.64 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.05 EUR
2500+1.87 EUR
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IRF6613TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 9191 Stücke:
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244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
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IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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75+2.34 EUR
89+1.94 EUR
100+1.84 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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IRF6613TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 3125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.82 EUR
58+4.03 EUR
250+2.62 EUR
1000+2.05 EUR
2000+2 EUR
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IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 4700 Stücke:
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113+1.55 EUR
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IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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244+2.68 EUR
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IRF6613TRPBFInternational RectifierDescription: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
auf Bestellung 22140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
195+2.76 EUR
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IRF6613TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
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10000+1.87 EUR
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IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 20895 Stücke:
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244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
10000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
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IRF6614Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6614IRF6614 Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 10 Stücke:
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IRF6614TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF6614TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF6614TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF6614TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
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IRF6614TRPBF
Produktcode: 106259
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
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IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesIRF6614TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 40V 12.7A 7-Pin Direct-FET ST T/R Si - Arrow.com
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF6614 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 266 Stücke
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IRF6614TRPBFInfineon
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesIRF6614TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 40V 12.7A 7-Pin Direct-FET ST T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 4797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.74 EUR
42+3.86 EUR
100+3.06 EUR
250+2.39 EUR
500+2.27 EUR
1000+1.99 EUR
3000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF6614TRPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs
auf Bestellung 9583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRF6616Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 1374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.26 EUR
63+2.69 EUR
100+2.03 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 5000 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TRPBFInternational RectifierDescription: IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
164+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 16200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.39 EUR
45+3.75 EUR
46+3.57 EUR
100+2.77 EUR
250+2.13 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.92 EUR
3000+1.77 EUR
6000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs
auf Bestellung 4903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.39 EUR
10+5.71 EUR
100+4.57 EUR
250+4.5 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.17 EUR
2500+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 5000 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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