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IS43TR16128DL-107MBL-TRISSIDRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L
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IS43TR16128DL-107MBLIISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
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IS43TR16128DL-107MBLIISSIDRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
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IS43TR16128DL-107MBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA
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Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 128M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS43TR16128DL-107MBLIISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
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IS43TR16128DL-107MBLI-TRISSIDRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
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IS43TR16128DL-107MBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
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IS43TR16128DL-107MBLI-TRISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
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IS43TR16128DL-125KBLISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
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IS43TR16128DL-125KBLISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
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IS43TR16128DL-125KBLINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16128DL-125KBL - DRAM, DDR3L, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: DDR3L
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
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IS43TR16128DL-125KBLISSIDRAM 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L
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IS43TR16128DL-125KBLISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
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IS43TR16128DL-125KBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 128M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS43TR16128DL-125KBL-TRISSIDRAM 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L
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IS43TR16128DL-125KBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
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IS43TR16128DL-125KBL-TRISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
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IS43TR16128DL-125KBL.INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16128DL-125KBL. - DRAM, 800MHZ, 2GBIT, BGA-96
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 2Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16bit
directShipCharge: 25
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8+33.89 EUR
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IS43TR16128DL-125KBLIISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
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IS43TR16128DL-125KBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 128M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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2+12.27 EUR
10+10.91 EUR
25+10.41 EUR
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IS43TR16128DL-125KBLIISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
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IS43TR16128DL-125KBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16128DL-125KBLI - DRAM, DDR3L, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
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5+61.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IS43TR16128DL-125KBLIISSIDRAM 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
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10+14.71 EUR
25+14.39 EUR
50+14.35 EUR
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IS43TR16128DL-125KBLI-TRISSIDRAM 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
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1+12.54 EUR
10+11.46 EUR
25+11.25 EUR
50+11.16 EUR
100+10.01 EUR
250+9.97 EUR
500+9.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128DL-125KBLI-TRISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128DL-125KBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128С-125KBLIMicronDRAM, 128M X 16BIT, BGA-96 Мікропроцесори, мікроконтролери
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IS43TR16256A-107MBLISSIDRAM 4G, 1.5V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
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IS43TR16256A-107MBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
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 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-107MBL-TRISSIDRAM 4G, 1.5V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-107MBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-107MBLIISSIDRAM 4G, 1.5V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-107MBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-107MBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-107MBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.5V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
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IS43TR16256A-125KBLISSIDRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-125KBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
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IS43TR16256A-125KBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-125KBL-TRISSIDRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-125KBLIISSIDRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3 SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-125KBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS43TR16256A-125KBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-125KBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-15HBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-15HBLISSIDRAM 4G, 1.5V, 1333Mhz DDR3 SDRAM
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-15HBL-TRISSIDRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Мікросхеми пам'яті
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-15HBL-TRISSIDRAM 4G, 1.5V, 1333Mhz DDR3
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-15HBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-15HBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256A-15HBLIISSIDRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IS43TR16256A-15HBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
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IS43TR16256A-15HBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS43TR16256AL-107MBLISSIDRAM 4G, 1.35V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IS43TR16256AL-107MBL-TRISSIDRAM 4G, 1.35V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
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IS43TR16256AL-107MBLIISSIDRAM 4G, 1.35V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256AL-107MBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
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IS43TR16256AL-107MBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
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IS43TR16256AL-107MBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.35V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
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IS43TR16256AL-125KBLINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16256AL-125KBL - DRAM, 256M x 16 Bit, BGA-96
DRAM-Ausführung: DDR3L
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 4
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.35
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 800
Anzahl der Pins: 96
Produktpalette: IS43TR
Betriebstemperatur, max.: 95
Speicherkonfiguration DRAM: 256M x 16bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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IS43TR16256AL-125KBLISSIDRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L SDAM
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IS43TR16256AL-125KBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
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IS43TR16256AL-125KBL-TRISSIDRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L
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IS43TR16256AL-125KBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR3L 4GB 96BGA
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IS43TR16256AL-125KBLIISSISDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-TWBGA (9x13) Мікросхеми пам'яті
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IS43TR16256AL-125KBLIISSIDRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L SDAM
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IS43TR16256AL-125KBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16256AL-125KBLI - DRAM, 256M x 16 Bit, BGA-96
DRAM-Ausführung: DDR3L
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.35
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 800
Anzahl der Pins: 96
Produktpalette: IS43TR
Betriebstemperatur, max.: 95
Speicherkonfiguration DRAM: 256M x 16bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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IS43TR16256AL-125KBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR3L 4GB 96BGA
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IS43TR16256AL-125KBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L
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IS43TR16256AL-125KBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
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IS43TR16256AL-15HBLISSIDRAM 4G, 1.35V, 1333Mhz DDR3L SDAM
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IS43TR16256AL-15HBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR3L 4GB 96BGA
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IS43TR16256AL-15HBL-TRISSIDRAM 4G, 1.35V, 1333MT/s DDR3L
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IS43TR16256AL-15HBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA
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IS43TR16256AL-15HBLIISSIDRAM 4G, 1.35V, 1333Mhz DDR3L SDAM
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IS43TR16256AL-15HBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA
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IS43TR16256AL-15HBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
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IS43TR16256AL-15HBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA
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IS43TR16256B-107MBLIISSIДинамічна енергозалежна пам'ять SDRAM DDR3, Uживл, В = 1,425...1,575, Об'єм RAM = 4 Гбіт, Орг. пам. = 256М х 16, Тдост/Частота = 20 нс, Тексп, °C = -40...+95, Тип інтерф. = Паралельний, F = 933 МГц,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TWBGA-96 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 190 Stücke
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IS43TR16256B-107MBLIISSIDRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
auf Bestellung 122 Stücke:
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1+18.64 EUR
10+17.33 EUR
25+16.8 EUR
50+16.4 EUR
190+15.23 EUR
570+14.99 EUR
1140+14.6 EUR
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IS43TR16256B-107MBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16256B-107MBLI - DRAM, DDR3, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
auf Bestellung 190 Stücke:
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3+101.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IS43TR16256B-107MBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.56 EUR
10+20.92 EUR
25+19.96 EUR
40+19.47 EUR
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IS43TR16256B-107MBLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 4GbDRAM; 256Mx16bit; 1066MHz; 13.91ns; TWBGA96
Memory: 4Gb DRAM
Supply voltage: 1.5V DC
Kind of memory: DDR3; SDRAM
Case: TWBGA96
Mounting: SMD
Access time: 13.91ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...95°C
Clock frequency: 1.066GHz
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256Mx16bit
Kind of package: in-tray; tube
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 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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IS43TR16256B-107MBLIISSIDRAM 4GBIT PARALLEL TWBGA-96 Мікросхеми пам'яті
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IS43TR16256B-107MBLI-TRISSIDRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IS43TR16256B-107MBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IS43TR16256B-107MBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IS43TR16256B-107MBLI.INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16256B-107MBLI. - DRAM, 933MHZ, 4GBIT, BGA-96
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16bit
directShipCharge: 25
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+44.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IS43TR16256B-125KBLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 4GbDRAM; 256Mx16bit; 1066MHz; 13.75ns; TWBGA96
Memory: 4Gb DRAM
Supply voltage: 1.5V DC
Kind of memory: DDR3; SDRAM
Case: TWBGA96
Mounting: SMD
Access time: 13.75ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...95°C
Clock frequency: 1.066GHz
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256Mx16bit
Kind of package: in-tray; tube
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 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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IS43TR16256B-125KBLISSIDRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.7 EUR
10+9.97 EUR
25+9.65 EUR
50+9.42 EUR
100+8.98 EUR
190+8.79 EUR
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IS43TR16256B-125KBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 5801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.71 EUR
10+61.74 EUR
25+59.76 EUR
50+58.29 EUR
190+55.5 EUR
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IS43TR16256B-125KBL-TRISSIDRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.83 EUR
10+12.71 EUR
25+12.46 EUR
50+12.42 EUR
100+11.41 EUR
250+11.13 EUR
500+10.97 EUR
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IS43TR16256B-125KBLIISSIDRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256B-125KBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.92 EUR
10+18.5 EUR
25+17.93 EUR
50+17.5 EUR
190+16.68 EUR
380+16.27 EUR
570+16.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256B-125KBLIISSIIC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA Мікропроцесори, мікроконтролери
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IS43TR16256B-125KBLIISSIDRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256B-125KBLIISSIDRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
auf Bestellung 3191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.02 EUR
10+16.73 EUR
25+16.21 EUR
50+15.84 EUR
100+15.43 EUR
190+14.71 EUR
570+14.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256B-125KBLIISSIDRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+16.31 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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IS43TR16256B-125KBLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 4GbDRAM; 256Mx16bit; 1066MHz; 13.75ns; TWBGA96
Memory: 4Gb DRAM
Supply voltage: 1.5V DC
Kind of memory: DDR3; SDRAM
Case: TWBGA96
Mounting: SMD
Access time: 13.75ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...95°C
Clock frequency: 1.066GHz
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256Mx16bit
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256B-125KBLIISSIDRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+16.31 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256B-125KBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
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