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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BC846BFSW-7Diodes ZetexBC846BFSW-7
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BC846BFSWQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
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BC846BH RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100MA, 80V NPN TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
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6000+0.06 EUR
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BC846BH RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
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633+0.27 EUR
1015+0.17 EUR
1025+0.15 EUR
1629+0.096 EUR
1651+0.092 EUR
2294+0.063 EUR
2639+0.052 EUR
3059+0.045 EUR
6000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 633 Stücke
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BC846BH RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
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1651+0.11 EUR
2294+0.076 EUR
2639+0.064 EUR
3059+0.055 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1651 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BH RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100MA, 80V NPN TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
102+0.2 EUR
164+0.13 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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BC846BH RFGTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT 100mA, 80V NPN transistor
auf Bestellung 4120 Stücke:
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10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.071 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BC846BH RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
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BC846BHE3-13PMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 65Vceo 6Vebo 100mA 225mW
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BC846BHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BHE3-TPMicro Computer ControlBC846BHE3-TP
auf Bestellung 177000 Stücke:
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12000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BHE3-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 225mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 651000 Stücke:
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12000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
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BC846BHE3-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
67+0.31 EUR
137+0.15 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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BC846BHZGT116
Produktcode: 221541
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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erwartet: 815 St.
  • 815 St. - erwartet 13.08.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS 65V 0.12A SST3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BHZGT116ROHMDescription: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BHZGT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS 65V 0.12A SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC846BHZGT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT-23 BJT NPN 65V 120MA
auf Bestellung 1910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BHZGT116ROHMDescription: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 120mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BHZGT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BHZGT116RohmTRANS 65V 0.12A SST3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLonsemionsemi SS SOT23 GP XSTR NPN 65V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BL3-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BC846BL3-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 150 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+0.62 EUR
596+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
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BC846BL3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 150mW 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BL3-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BC846BL3-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 150 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.62 EUR
596+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BC846BL3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BC846BL3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN SIGNAL TRANSISTOR
auf Bestellung 9970 Stücke:
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7+0.52 EUR
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100+0.23 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
2500+0.096 EUR
5000+0.083 EUR
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BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
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BC846BLP4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
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BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
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20000+0.076 EUR
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BC846BLP4-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 65V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 410 mW
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BC846BLP4-7BDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 65V NPN Small Sig 80V 65V 100mA
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BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
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BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 690000 Stücke:
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10000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BC846BLP4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BC846BLP4-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 65V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 410 mW
auf Bestellung 9745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
77+0.27 EUR
124+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.098 EUR
5000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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BC846BLT1onsemiDescription: TRANS NPN 65V 100MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
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BC846BLT1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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BC846BLT1onsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
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BC846BLT1 SOT23ON
auf Bestellung 1618 Stücke:
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BC846BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 28550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2995+0.058 EUR
3437+0.05 EUR
4202+0.04 EUR
6000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 2995 Stücke
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BC846BLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 32070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
863+0.29 EUR
1713+0.13 EUR
2238+0.095 EUR
2899+0.074 EUR
3390+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 863 Stücke
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BC846BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+0.23 EUR
143+0.14 EUR
234+0.089 EUR
500+0.064 EUR
1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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BC846BLT1GON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
auf Bestellung 1349089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.24 EUR
24+0.14 EUR
100+0.088 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.057 EUR
3000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14355+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 14355 Stücke
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BC846BLT1GON-SemiconductorNPN 65V 100mA 300mW 100MHz BC846BLT3G (10000pcs/T&R) BC846BLT1G ONSemiconductor TBC846b ONS
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 590 Stücke
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BC846BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 32070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
863+0.29 EUR
1713+0.13 EUR
2238+0.095 EUR
2899+0.074 EUR
3390+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 863 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 28550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
909+0.19 EUR
1250+0.13 EUR
1480+0.11 EUR
2193+0.071 EUR
2422+0.062 EUR
2995+0.049 EUR
3437+0.04 EUR
4202+0.033 EUR
6000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 909 Stücke
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BC846BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC846BLT1G
Produktcode: 112578
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 65 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 А
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
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BC846BLT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.044 EUR
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT1GOn SemiconductorNPN, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=150...450, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3585+0.049 EUR
6757+0.026 EUR
9000+0.025 EUR
27000+0.024 EUR
51000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3585 Stücke
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BC846BLT1GON-SemiconductorNPN 65V 100mA 300mW 100MHz BC846BLT3G (10000pcs/T&R) BC846BLT1G ONSemiconductor TBC846b ONS
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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BC846BLT3onsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.03 EUR
20000+0.025 EUR
30000+0.018 EUR
50000+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 22212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2258+0.077 EUR
3185+0.055 EUR
4150+0.04 EUR
4976+0.033 EUR
6000+0.029 EUR
15000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
884+0.2 EUR
1357+0.13 EUR
1372+0.12 EUR
2174+0.073 EUR
2198+0.069 EUR
3106+0.046 EUR
4150+0.033 EUR
4717+0.03 EUR
6370+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 884 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT3GONSEMIDescription: ONSEMI - BC846BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 130830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
863+0.29 EUR
1713+0.13 EUR
2899+0.074 EUR
3390+0.063 EUR
5000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 863 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT3G
Produktcode: 196221
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