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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC3310TOSHIBA09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3311PANASONIC
auf Bestellung 2100 Stücke:
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2SC3311A
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2SC3311A-(TA)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN AF AMP 50V 100MA NEW S
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2SC3311A-Q(TA)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE
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2SC3311A-S(TA)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE
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2SC3311A0APanasonic IndustryDescription: TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: NS-B1
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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2SC3311ACTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN AF AMP 50V 100MA NEW S
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2SC3311AQAPanasonic IndustryDescription: TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: NS-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
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2SC3311AQCTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE
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2SC3311AQTBPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE
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2SC3311ARAPanasonic IndustryDescription: TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: NS-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
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2SC3311ARCTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE
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2SC3311ASAPanasonic IndustryDescription: TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: NS-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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2SC3311ASCTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE
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2SC3311ASTBPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE
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2SC3311ATBPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN AF AMP 50V 100MA NEW S
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2SC3312
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC33120RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 55V 0.1A NS-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: NS-B1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
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2SC3313
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3314
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3315
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3316
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3317FUJIMODULE
auf Bestellung 1195 Stücke:
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2SC3318FUJIMODULE
auf Bestellung 1069 Stücke:
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2SC3319FUJIMODULE
auf Bestellung 1504 Stücke:
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2SC332NECCAN
auf Bestellung 837 Stücke:
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2SC3320---Транзистори
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2SC3320FujitsuTRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,15A I(C),TO-247VAR Транзистори
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2SC3320 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 13498
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FujitsuTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3PN
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 400 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 500 V
Kollektorstrom Ic, A: 15 A
Stromverstärkung h21: 10
Montage: THT
auf Bestellung: 81 St.
  • 81 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+6.46 EUR
10+5.95 EUR
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2SC3320B2SIRECTIFIERCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; TO247AD
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 500V
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
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2SC3321FUJIMODULE
auf Bestellung 689 Stücke:
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2SC3322
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2SC3323
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3324ToshibaТранзистори
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2SC3324ToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SC3324
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3324-BLTOSHIBASOT23
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3324-BL(TE85L,F
Produktcode: 155806
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2SC3324-BL(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3324-BL(TE85L,FToshibaTrans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3324-BL(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT NPN 0.1A IC 120V Gen Purp Trans
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2SC3324-BL(TE85LF)SOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3324-GR(TE85L)TOSHIBASOT23
auf Bestellung 1674 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3324-GR(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3324BLToshibaТранзистори
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2SC3324GRTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT Audio Freq Low Audio Freq Low
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2SC3324GRTE85LFToshibaTO-236-3 (SC-59, SOT-23-3) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3324GRTE85LF
Produktcode: 179371
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3324GRTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
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2SC3325ToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SC3325
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3325-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-O(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
auf Bestellung 8292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-YTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y(TE85L,F)TOSHIBASOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
474+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 474 Stücke
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2SC3325-Y,LFTOSHIBACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.2W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
auf Bestellung 5109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.32 EUR
421+0.2 EUR
676+0.13 EUR
782+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LFToshibaTRANS NPN 50V 0.5A S-MINI Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
9000+0.087 EUR
15000+0.081 EUR
21000+0.077 EUR
30000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LFToshibaТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, ft, МГц = 300, hFE = 120 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 147 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 30423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
69+0.31 EUR
110+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LFToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 14157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
12+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(BToshibaTransistor, Silicon NPN Epitaxial Type (Pct Process)
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1516 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2075+0.084 EUR
2500+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 2075 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
328+0.76 EUR
459+0.51 EUR
770+0.27 EUR
1143+0.19 EUR
1318+0.17 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 328 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
328+0.76 EUR
459+0.51 EUR
770+0.27 EUR
1143+0.19 EUR
1318+0.17 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 328 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LXGF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.83 EUR
705+0.33 EUR
841+0.25 EUR
1049+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LXGF(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1583+0.11 EUR
1842+0.094 EUR
2000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 1583 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LXGF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.83 EUR
705+0.33 EUR
841+0.25 EUR
1049+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-YLF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-YLXGF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326ToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326(T5LSONY,F)TOSHIBA2005
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-ATOSHIBASOT-23
auf Bestellung 11600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A(TE85L,F)TOSHIBACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.33 EUR
459+0.19 EUR
516+0.17 EUR
582+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LFToshibaTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
21000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LFToshibaTRANS NPN 20V 0.3A TO236 Транзистори
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 31689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(BToshibaTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1273+0.14 EUR
1316+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
505+0.35 EUR
612+0.29 EUR
743+0.23 EUR
946+0.18 EUR
1133+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 505 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC3326-A,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
267+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC3326-A,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
267+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
505+0.35 EUR
612+0.27 EUR
743+0.21 EUR
946+0.17 EUR
1133+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 505 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-ALF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-BToshibaSOT23 11+
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 13558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 34513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LFToshibaTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
21000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LFToshibaTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+0.92 EUR
364+0.64 EUR
637+0.33 EUR
944+0.23 EUR
1115+0.19 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF(TTOSHIBACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 14510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
405+0.21 EUR
645+0.13 EUR
715+0.12 EUR
810+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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