Produkte > SFT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| SFT1446-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: IPAK/TP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT1446-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - SFT1446-H - MOSFET N-CH 60V 20A TP tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SFT1446-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: IPAK/TP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SFT1446-H | ON Semiconductor | MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT1446-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - SFT1446-TL-H - MOSFET, N-CH, 60V, 20A, TP-FA tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 16800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SFT1446-TL-H | Sanyo Electric | SFT1446-TL-H | auf Bestellung 16800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SFT1446-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT1446-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT1446-TL-H | Sanyo | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V | auf Bestellung 16800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SFT1446-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT1446-TL-H-ON | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK/TP-FA | auf Bestellung 66721 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SFT1450-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 21A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Supplier Device Package: IPAK/TP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT1450-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - SFT1450-H - SFT1450-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 18500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SFT1450-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 21A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Supplier Device Package: IPAK/TP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 20 V | auf Bestellung 18500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SFT1450-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - SFT1450-TL-H - SFT1450-TL-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 220099 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SFT1450-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 21A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT1450-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SFT1450-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SFT1450-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 210000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SFT1450-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 21A TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 20 V | auf Bestellung 220099 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SFT1450-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3099 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SFT1452-H | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 715 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT1452-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - SFT1452-H - SFT1452-H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SFT1452-TL-W | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK/TP-FA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK/TP-FA Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 26W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT1452-TL-W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT1452-TL-W | ON Semiconductor | auf Bestellung 667 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SFT1452-TL-W | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK/TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK/TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 20 V | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SFT1452-TL-W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SFT1452-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET NCH 250V 3A TP-FA(DPAK) | auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT1452-W | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 3A IPAK | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT1452-W | ON Semiconductor | MOSFET NCH 250V 3A TP(IPAK) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT1458-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - SFT1458-H - SFT1458-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 25500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SFT1458-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK/TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 38W (Tc) Supplier Device Package: IPAK/TP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 20 V | auf Bestellung 25500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SFT1458-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK/TP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: IPAK/TP Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT1458-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK/TP-FA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK/TP-FA Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT1458-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK/TP-FA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK/TP-FA Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | auf Bestellung 145995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SFT1458-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - SFT1458-TL-H - SFT1458-TL-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 145995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SFT14G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1A 200V TS-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT14G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1A 200V TS-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT14G A0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT14G A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT14G A1G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT14G R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,300V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT14G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,300V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT14G R0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT14GH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A TS1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT14GH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A TS1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2887 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SFT14GHA0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT14GHA1G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT14GHR0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,300V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT14GHR0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,300V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT15G R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,400V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT15G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,400V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT15GH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 300V 1A TS1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SFT15GH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 300V 1A TS1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT15GHR0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,400V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT15GHR0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,400V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT162 | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SFT16212 | auf Bestellung 7882 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SFT16292 | auf Bestellung 7882 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SFT163 | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SFT16G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A TS1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | auf Bestellung 4997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SFT16G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 400V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A TS1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16G A0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16G A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16G A1G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16G A1G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16G B0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16G R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 400V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16G R0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 400V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16GH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A TS1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SFT16GH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A TS1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16GH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 400V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16GHA0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16GHA0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16GHA1G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16GHA1G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16GHB0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16GHR0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,600V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16GHR0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT16GHR0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 400V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT170 | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SFT171 | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SFT172 | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SFT173 | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SFT174 | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SFT17G R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,800V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT17G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,800V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT17G R0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 500V 1A TS-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT17GHR0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,800V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT17GHR0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,800V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT184 | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SFT185 | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SFT186 | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SFT187 | ST | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SFT18G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A TS1 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: TS-1 Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: T-18, Axial Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SFT18G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A TS1 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: TS-1 Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: T-18, Axial Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SFT18G A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
