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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MPSW51GONSEMIDescription: ONSEMI - MPSW51G - MPSW51G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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MPSW51GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 40V 1W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
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MPSW55onsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 60V 1W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
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MPSW55onsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.5A TO92
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW55STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW55GONSEMIDescription: ONSEMI - MPSW55G - MPSW55G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW55GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.5A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW55GonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 60V 1W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW55GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1137+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW55RLRAonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 60V 1W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW55RLRAonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.5A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW55RLRASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW55RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW55RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3912+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3912 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW55RLRAGonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 60V 1W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW55RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2597+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2597 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW55RLRAGONSEMIDescription: ONSEMI - MPSW55RLRAG - MPSW55RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW55RLRAGROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56onsemiBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56Fairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 1A TO-226-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-226-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 8978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1514+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1514 Stücke
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MPSW56Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MPSW56onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56
Produktcode: 87212
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 8345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56onsemiDescription: TRANS PNP 80V 1A TO-226-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-226-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRA
auf Bestellung 10470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRAonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRAonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V 1W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRAGonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V 1W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 122000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3040+0.21 EUR
10000+0.19 EUR
100000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.3 EUR
2001+0.27 EUR
4001+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRAGONSEMIDescription: ONSEMI - MPSW56RLRAG - MPSW56RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 306191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRAGDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3040+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 306191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2019+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2019 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRAGON07+;
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 172194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3040+0.21 EUR
10000+0.19 EUR
100000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRPONSEMIDescription: ONSEMI - MPSW56RLRP - MPSW56RLRP, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 286750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRPROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRPonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 286750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2597+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2597 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRPonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V 1W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRPON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 286750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3912+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
100000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3912 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 145391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3040+0.21 EUR
10000+0.19 EUR
100000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRPGonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V 1W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRPGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 145891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2019+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2019 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRPGONSEMIDescription: ONSEMI - MPSW56RLRPG - MPSW56RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 159999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRPGDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56RLRPGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56_D26Zonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56_QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW56_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW63onsemiDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW63
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW63GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO92
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
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MPSW63RLRA
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MPSW63RLRAonsemiDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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MPSW63RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MPSW92
Produktcode: 43270
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MPSW92STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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MPSW92onsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO92
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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MPSW92ON SemiconductorТранзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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MPSW92onsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 300V PNP
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MPSW92GonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 300V PNP
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MPSW92GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
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MPSW92RLRAonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 300V PNP
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MPSW92RLRA
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MPSW92RLRADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MPSW92RLRAonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MPSW92RLRAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
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44+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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MPSW92RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MPSW92RLRAGonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 300V PNP
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MPSW92RLRAGON
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