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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP7NK40ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 2256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.46 EUR
10+2.03 EUR
100+1.82 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.37 EUR
5000+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.02 EUR
174+1 EUR
176+0.96 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.64 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK40ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 6043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
50+2.21 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
2000+1.36 EUR
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK40ZSTN-MOSFET 5.4A 400V 70W STP7NK40Z TSTP7NK40Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.11 EUR
164+1.04 EUR
182+0.9 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK40ZFPSTN-MOSFET 5.4A 400V STP7NK40ZFP TSTP7NK40ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK40ZFPSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 400V-0.85ohms 5.4A
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK40ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220FP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK40ZFPSTMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK60ZFP
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZSTMSTP7NK80Z MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.09 EUR
61+2.81 EUR
100+2.56 EUR
500+2.23 EUR
1000+1.94 EUR
2500+1.83 EUR
5000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+3.75 EUR
100+3.28 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.64 EUR
2000+2.39 EUR
5000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.9 EUR
100+2.71 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.12 EUR
2500+2.07 EUR
5000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZSTN-MOSFET 5,2A 22V 125W STP7NK80Z TSTP7NK80Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.75 EUR
65+3.59 EUR
100+2.87 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.27 EUR
50+3.69 EUR
100+3.34 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80Z
Produktcode: 44313
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 В
Drain-Strom Idd, A: 5,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1138/40
auf Bestellung: 50 St.
  • 50 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.27 EUR
10+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZFPSTMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.8 EUR
20+4.39 EUR
28+3.05 EUR
34+2.52 EUR
50+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.1 EUR
10+5.32 EUR
100+3.96 EUR
500+3.31 EUR
1000+3.08 EUR
2000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZFPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 5,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1138 @ 25, Qg, нКл = 56, Rds = 1,8 Ом, Ugs(th) = 4,5 В, Р, Вт = 30, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP7NK80ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.38 EUR
50+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZFP
Produktcode: 88919
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 В
Drain-Strom Idd, A: 5,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,8 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1138/40
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.64 EUR
10+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,8Ohm; 5,2A; 30W; -55°C ~ 150°C; STP7NK80ZFP TSTP7NK80ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NK90ZFP
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NM50N
Produktcode: 195523
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 550 В
Drain-Strom Idd, A: 5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,78 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/12
Montage: THT
auf Bestellung: 31 St.
  • 31 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 500V 0.70 5A Power MDmesh
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NM60N
auf Bestellung 14097 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NM80STTrans MOSFET N-CH 800V 6.5A STP7NM80 TSTP7NM80
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+8.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP7NM80STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
StP8
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP8020onsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP802U2SRPIXYSDescription: SCR MODULE 800V 0.6A 8-SOIC
Voltage - Off State: 800 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 0.6 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 24A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Structure: Independent - All SCRs
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
10+4.74 EUR
100+3.32 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP802U2SRPIXYSSCRs 1.5Amp Sensitive Dual SCR in SOP-8
auf Bestellung 7326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.91 EUR
10+5.15 EUR
100+4.05 EUR
500+3.37 EUR
1000+3.14 EUR
2500+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP802U2SRPIXYSDescription: SCR MODULE 800V 0.6A 8-SOIC
Voltage - Off State: 800 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 0.6 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 24A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Structure: Independent - All SCRs
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP8038MotorolaDescription: STP8038
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP8040LFBL
auf Bestellung 1381 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP8053
auf Bestellung 17700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP8053onsemiDescription: IGBT T0220 SPCL 350V
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP8053ON SemiconductorSTP8053
auf Bestellung 17700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.8 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.44 EUR
10000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP8057ONSEMIDescription: ONSEMI - STP8057 - IGBT T0220 SPCL 400V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP8057onsemiDescription: IGBT T0220 SPCL 400V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
249+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP8057ON SemiconductorSTP8057
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.11 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP8057
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N03
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N03L
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N03L-04
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N03L-06
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N05-09
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N06
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N06-10ST
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 80A STripFET VII
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.76 EUR
10+4.3 EUR
25+4.05 EUR
100+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.04 EUR
49+4.81 EUR
100+3.06 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N1K1K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N1K1K6STMicroelectronicsDescription: Linear IC's
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 400 V
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
10+2.25 EUR
25+2.03 EUR
100+1.81 EUR
250+1.7 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N1K1K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N1K1K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.37 EUR
5000+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N20M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4329 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N240K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N240K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.197 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.197ohm
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.77 EUR
26+9.01 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N240K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.19 EUR
10+5.99 EUR
100+5.49 EUR
500+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N240K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.14 EUR
50+8.83 EUR
100+7.57 EUR
500+6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N240K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N340K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N340K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N340K6STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N340K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N340K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N340K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N340K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.285 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N450K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.34 EUR
250+3.02 EUR
500+2.76 EUR
750+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N450K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N450K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N450K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+4.57 EUR
100+4.14 EUR
500+3.42 EUR
1000+3 EUR
5000+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N450K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N450K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 400 MOHM TYP.,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.48 EUR
50+4.74 EUR
100+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N55-06ST
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N55L-06ST
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N55L-08ST
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N600K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N600K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.515 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 86W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.515ohm
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.34 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N600K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.97 EUR
10+3.44 EUR
100+2.67 EUR
500+2.2 EUR
1000+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N600K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80N600K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
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STP80N600K6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 15A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STP80N600K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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STP80N6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 110A TO220
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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