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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI8462BBAIS1Silicon LabsSI8462BBAIS1 SI8462
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SI8463
auf Bestellung 1556 Stücke:
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SI8463AA-A-IS1Skyworks Solutions Inc.Description: DGTL ISO 1000VRMS 6CH GP 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Data Rate: 1Mbps
Technology: Capacitive Coupling
Voltage - Isolation: 1000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/3
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 3.8ns, 2.8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 35ns, 35ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
Number of Channels: 6
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 Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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SI8463AA-A-IS1RSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 1 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI8463AA-A-IS1RSkyworks Solutions Inc.Description: DGTL ISO 1000VRMS 6CH GP 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Data Rate: 1Mbps
Technology: Capacitive Coupling
Voltage - Isolation: 1000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/3
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 3.8ns, 2.8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 35ns, 35ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
Number of Channels: 6
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI8463AA-B-IS1Skyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 1 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
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 Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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SI8463AA-B-IS1Silicon LabsSOIC 16/A°/6-CH CH 1.0KV ISOLATOR, 1M, 6/3,LEAD FREE(NOT RECOMMENDED FOR NE SI8463SO
Anzahl je Verpackung: 48 Stücke
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SI8463AA-B-IS1Silicon LabsDescription: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC
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SI8463AA-B-IS1Silicon Laboratories1 kV 3 Forward & 3 Reverse 6-Channel Isolator
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 Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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SI8463AA-B-IS1RSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 1 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
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SI8463AA-B-IS1RSilicon LabsDescription: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI8463AAAIS1Silicon LabsSI8463AAAIS1 SI8463
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SI8463AB-A-IS1Silicon Laboratories2.5 kV 3 Forward & 3 Reverse 6-Channel Isolator
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SI8463AB-A-IS1Silicon LabsDescription: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC
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SI8463AB-A-IS1RSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 2.5 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
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SI8463AB-A-IS1RSilicon LabsDescription: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC
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SI8463AB-B-IS1Silicon LabsSOIC 16/A°/6-ch Ch 2.5kV Isolator, 1M, 6/3 SI8463
Anzahl je Verpackung: 48 Stücke
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SI8463AB-B-IS1Silicon LabsDescription: DGTL ISO 2500VRMS 6CH GP 16SOIC
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SI8463AB-B-IS1Silicon Laboratories2.5 kV 3 Forward & 3 Reverse 6-Channel Isolator
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SI8463AB-B-IS1Skyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 2.5 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.47 EUR
10+8.51 EUR
96+6.95 EUR
288+6.59 EUR
528+5.93 EUR
1008+5.01 EUR
2544+4.76 EUR
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SI8463AB-B-IS1RSilicon LabsDescription: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC
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SI8463AB-B-IS1RSilicon LabsDigital Isolators 2.5 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
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SI8463ABAIS1Silicon LabsSI8463ABAIS1 SI8463
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SI8463BA-A-IS1Silicon Laboratories1 kV 3 Forward & 3 Reverse 6-Channel Isolator
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SI8463BA-A-IS1Silicon LabsDescription: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC
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SI8463BA-A-IS1RSilicon LabsDigital Isolators 1 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI8463BA-A-IS1RSilicon LabsDescription: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI8463BA-B-IS1Silicon Laboratories1 kV 3 Forward & 3 Reverse 6-Channel Isolator
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SI8463BA-B-IS1Skyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 1 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
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SI8463BA-B-IS1Silicon Laboratories1 kV 3 Forward & 3 Reverse 6-Channel Isolator
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.93 EUR
27+6.07 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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SI8463BA-B-IS1Silicon LabsDescription: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC
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SI8463BA-B-IS1RSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 1 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI8463BA-B-IS1RSilicon LabsNBSOIC 16/-40 TO 125 OC/6-CH CH 1.0KV ISOLATOR, 150M, 6/3, NB SOIC16, LEAD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI8463BA-B-IS1RSilicon LabsDescription: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC
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SI8463BA-BI-S1Silicon LabsSI8463BA-BI-S1 SI8463
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SI8463BAAIS1Silicon LabsSI8463BAAIS1 SI8463
Anzahl je Verpackung: 48 Stücke
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SI8463BB-A-IS1Silicon LabsDescription: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC
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SI8463BB-A-IS1SiLabs-40...125 C ,SOIC-16 Гальванічна розв'язка (крім оптичної)
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SI8463BB-A-IS1RSilicon LabsDescription: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI8463BB-A-IS1RSilicon LabsDigital Isolators 2.5 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
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SI8463BB-B-IS1Skyworks SolutionsDigital Isolator CMOS 6-CH 150Mbps 16-Pin SOIC N
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 Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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SI8463BB-B-IS1Skyworks SolutionsDigital Isolator CMOS 6-CH 150Mbps 16-Pin SOIC N
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.29 EUR
48+9.37 EUR
96+7.91 EUR
288+7.27 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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SI8463BB-B-IS1Silicon LabsDescription: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC
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SI8463BB-B-IS1Silicon LabsDigital Isolators 2.5 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
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 Mindestbestellmenge: 2544 Stücke
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SI8463BB-B-IS1SiLabs-40...125 C ,SOIC-16 Гальванічна розв'язка (крім оптичної)
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SI8463BB-B-IS1Skyworks SolutionsDigital Isolator CMOS 6-CH 150Mbps 16-Pin SOIC N
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.3 EUR
48+9.57 EUR
96+8.22 EUR
288+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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SI8463BB-B-IS1Silicon LabsSOIC 16/A°/2.5kV ISOpro Digital Isolators SI8463
Anzahl je Verpackung: 48 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8463BB-B-IS1RSilicon LabsDigital Isolators 2.5 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8463BB-B-IS1RSilicon LabsSOIC 16/A°/6-CH CH 2.5KV ISOLATOR, 150M, 6/3, LEAD FREE SI8463BB
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8463BB-B-IS1RSilicon LaboratoriesDigital Isolator CMOS 6-CH 150Mbps Automotive 16-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8463BB-B-IS1RSilicon LabsDescription: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8463BBAIS1Silicon LabsSI8463BBAIS1 SI8463
Anzahl je Verpackung: 48 Stücke
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SI8465DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI8465DB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 3.8A 1.8W 104mohm @ 4.5V
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SI8466EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI8466EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI8466EDB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
auf Bestellung 5718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
10+0.4 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8466EDB-T2-E1Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 8, Id = 3,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 4, Qg, нКл = 13, Rds = 43 мОм, Ugs(th) = 0,7 В, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+105, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: UFBGA-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 75 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8466EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8466EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8466EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8466EDB-T2-E1
Produktcode: 209156
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8466EDB-T2-E1VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 8V
Gate-source voltage: ±5V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 1.8W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8467DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8467DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8467DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8469DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8469DB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFET 8V 4.6A 1.8W 64mOhms @ 4.5
auf Bestellung 4016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8472DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 2609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
638+0.27 EUR
767+0.23 EUR
779+0.21 EUR
791+0.2 EUR
804+0.19 EUR
817+0.18 EUR
831+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 638 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8472DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
auf Bestellung 6297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
32+0.67 EUR
100+0.48 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8472DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
10+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 2609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
845+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 845 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8472DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 2196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8472DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8473EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
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SI8473EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8473EDB-T1-E1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 7.1A 2.7W 41mohm @ 4.5V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI8475EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8475EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI8475EDB-T1-E1Vishay / SiliconixMOSFET 20V
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SI8475EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Si8481DB-T1-E1Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI8483DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 12V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8483DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI8483DB-T2-E1
Produktcode: 178232
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SI8483DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 16799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
24+0.89 EUR
100+0.63 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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SI8483DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI8483DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
auf Bestellung 45924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.6 EUR
100+0.55 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI8483DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 12V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8483DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.33 EUR
15000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8487DBVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8487DB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
auf Bestellung 2697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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SI8487DB-T1-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.46 EUR
200+0.99 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8487DB-T1-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8487DB-T1-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8487DB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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