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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4874DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4874DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
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SI4876SISOP-8
auf Bestellung 1600 Stücke:
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SI4876DYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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SI4876DY-T1SILICONIX0301+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Si4876DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
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Si4876DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
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Si4876DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Si4876DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4876DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4876DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4877DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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SI488ALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; TO220; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; 2.5kV
Application: TO220
Material: glass fiber reinforced silicone
Mounting: screw
Type of heat transfer pad: silicone
Operating temperature: -60...200°C
Thickness: 0.18mm
Dimensions: 14.3x17.5mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Dielectric strength: 2.5kV
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4880SISOP-8
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4880DYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4880DYVishay / SiliconixMOSFETs 30V 13A 2.5W
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SI4880DY-T1VISHAY2004
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4880DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4880DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4880DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4880DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4882SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4882DY-T1VISHAYSOP-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4882DY-T1 SOP-8VISHAY
auf Bestellung 10900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4882DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4882DY-T1SOP-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4882DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4882DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4883DY-T1
auf Bestellung 2293 Stücke:
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SI4884SISOP-8
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4884BDY
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4884BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI4884BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4884BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4884BDY-T1-E3
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4884BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.69 EUR
106+1.61 EUR
108+1.52 EUR
109+1.44 EUR
111+1.36 EUR
250+1.29 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4884BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
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SI4884BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4884DYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4884DYVishay / SiliconixMOSFETs 30V 12A 2.95W
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SI4884DYRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
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SI4884DYonsemi / FairchildMOSFETs SO8 NCH 30V
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SI4884DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4884DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12A 2.95W
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SI4884DY-T1VISHAY05+
auf Bestellung 86063 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4884DY-T1*
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Si4884DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
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Si4884DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4884DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 67500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4886SISOP-8
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4886DYVISHAY09+
auf Bestellung 98 Stücke:
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SI4886DY-T1VISHAYSOP8
auf Bestellung 1223 Stücke:
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Si4886DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4886DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4886DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4886DY-TI
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4886DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4888SISOP-8
auf Bestellung 2062 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4888DYVISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4888DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 16A 3.5W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4888DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4162DY-T1-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4888DY-E3VishaySO-8, PBF Транзистори
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SI4888DY-T1
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4888DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4386DY-T1-E3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4888DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4888DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4162DY-T1-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4888DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4888DY-T1-E3-SVishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4888DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4888DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4162DY-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4888DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si488DH-T1-E3 Si1488DHVishay SiliconixSOT-363 N-Channel 20 V (D-S) MOSFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI488ZDY
auf Bestellung 23145 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI488ZDY-T1
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI488ZDY-T2
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4890SI07+ SOP8
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4890BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 16A 5.7W 12mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4890BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4890BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4890BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI41
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4890BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4890DYVISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4890DY-T1SILICONIX00+
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4890DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4890DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4890DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 11A 2.5W
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.51 EUR
10+4.58 EUR
100+3.67 EUR
250+3.37 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.64 EUR
2500+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4890DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4890DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4890DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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4+5.78 EUR
10+3.96 EUR
100+2.88 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.27 EUR
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SI4890DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI4890DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 11A 2.5W 12mohm @ 10V
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SI4890DYT1E3VISHAY
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SI4892SISOP-8
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SI4892DYVISHAY07+ SO-8
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SI4892DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 12.4A 3.1W
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SI4892DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.4A 3.1W
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SI4892DY-E3
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SI4892DY-T1VISHAYSOP8
auf Bestellung 25000 Stücke:
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SI4892DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.4A 1.6W
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SI4892DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
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