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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SD1176
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2SD1176A
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2SD1177
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2SD1178
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2SD1179
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2SD118TOS/HIT98+ TO-3
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2SD1180
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2SD1181
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2SD1182
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2SD1183
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2SD1184
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2SD1185
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2SD1186
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2SD1187
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2SD1189
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2SD119TOS/HIT98+ TO-3
auf Bestellung 3500 Stücke:
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2SD1190ON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 4A 1750mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5627 Stücke:
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789+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 789 Stücke
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2SD1190ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1190 - 2SD1190, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5627 Stücke:
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262+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
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2SD1190onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-220AB
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
833+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 833 Stücke
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2SD1190
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1191onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Supplier Device Package: TO-220AB
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 7mA, 3.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 22300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
666+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 666 Stücke
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2SD1191
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2SD1191ON SemiconductorHigh Darlington Epitaxial Planar Type Silicon Transistor
auf Bestellung 22300 Stücke:
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631+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
10000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 631 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1191ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1191 - 2SD1191, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 22300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
802+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 802 Stücke
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2SD1192SANYO09+
auf Bestellung 12108 Stücke:
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2SD1193ON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 15A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PB
auf Bestellung 7800 Stücke:
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189+3.5 EUR
500+3.09 EUR
1000+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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2SD1193
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1193ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1193 - 2SD1193, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1193onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Power - Max: 70 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Supplier Device Package: TO-3PB
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 7A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 14mA, 7A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
222+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
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2SD1194
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2SD1195
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2SD1196
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2SD1198
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2SD1198A
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2SD1199
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2SD11990SPanasonicPanasonic
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2SD11990SPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 40V 0.05A M TYPE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SD12TOS/HIT98+ TO-3
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2SD120
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2SD1200F
Produktcode: 124995
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2SD1200F
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2SD1201
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2SD1202
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2SD1203
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2SD1205
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2SD1205A
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2SD1206
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2SD1207---Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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2SD1207
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2SD1207SonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207SonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207S-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1207S-AE - 2SD1207 - BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SD1207S-AEON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP T/R
auf Bestellung 19551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1611+0.4 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1611 Stücke
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2SD1207S-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 105079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1069+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
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2SD1207S-AEonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207S-AEON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP T/R
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1611+0.4 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1611 Stücke
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2SD1207S-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3-MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207S-AEON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1611+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207S-AEON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP T/R
auf Bestellung 66028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1611+0.4 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207TonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
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2SD1207T
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207TonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207T-AEON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP T/R
auf Bestellung 5412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1611+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207T-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207T-AEonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207T-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1207T-AE - 2SD1207T-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 460 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207T-AEOn SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207T-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 5874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1069+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
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2SD1207T-OMR-AEonsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207T-OMR-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207T-OMR-AEXonsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207UonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1207UonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
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2SD1208
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1209
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1209KTZRenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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2SD120H
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD121
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1210
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1211
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD12110RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 120V 0.5A TO92L-A1
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
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2SD12110SPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 120V 0.5A TO92L-A1
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 185 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
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2SD1212RonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
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2SD1213RSanyoDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
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2SD121HTO-39
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2SD1221-GR(T6L1,NQToshibaBipolar Transistors - BJT
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