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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI1031RVISHAY09+
auf Bestellung 108818 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031R-T1VISHAY09+
auf Bestellung 42018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031R-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 72018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 19800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1031R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 140 mA, 8 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031R-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V
auf Bestellung 4956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.67 EUR
100+0.38 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 20366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
26+0.82 EUR
100+0.56 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1031R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 140 mA, 8 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031X
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031X-T1VISHAYSOT416-H
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031X-T1 SOT416-HVISHAY
auf Bestellung 240200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031X-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 765018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 150mA 340mW 8.0ohm @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031X-T1SOT416-HVISHAY
auf Bestellung 234000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032-80LT
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032-A-GMSilicon LabsQFN 85/I°/32KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1032
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032-A-GMRSilicon LabsLGA 85/I°/32KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1032
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032E-70CT
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032RVISHAY
auf Bestellung 10080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1SI
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 69018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 21689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
27+0.8 EUR
100+0.55 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
15000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 200mA 280mW 5.0ohm @ 4.5V
auf Bestellung 102354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.6 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032XVISHAY
auf Bestellung 58100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032X-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032X-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 84200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 2634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
30+0.7 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032X-T1-GE3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
auf Bestellung 78948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.58 EUR
10+0.49 EUR
100+0.38 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.81 EUR
272+0.62 EUR
275+0.6 EUR
373+0.42 EUR
380+0.39 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2634 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.64 EUR
373+0.46 EUR
380+0.45 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1033-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 4.4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1033-A-GMSilicon LabsQFN 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1033
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1033-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1033-A-GMRSilicon LabsLGA 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1033
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1033-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1033-B-GM3Silicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1033-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1033-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1033X-T1VISHAY
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1033X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1033X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1033X-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 54018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1033X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1033X-T1-E3-E3VISHAY09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1033X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1033X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Part Status: Obsolete
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: FSK, GFSK, OOK
GPIO: 53
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Receiving: 18.5mA
Protocol: EZRadioPro
Power - Output: 13dBm (Max)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx + MCU
Memory Size: 128kB Flash, 8.5kB RAM
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -121dBm
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034-A-GMSilicon LabsQFN 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1034
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034-A-GMRSilicon LabsLGA 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1034
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 128kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 610 mA, 610 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 610 mA, 610 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 610 mA, 610 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034CX-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034X-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 5.0 ohms @ 4.5V
auf Bestellung 100505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.74 EUR
100+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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