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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIR333CEverlightInfrared Emitters
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR341STA49
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR341STA9
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR36150Brady CorporationDescription: (RUG) SIR36150, INDUSTRIAL RUG,
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR383EverlightInfrared Emitters Infrared LED
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR383Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR383
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR383CEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 20°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 11mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.13 EUR
28+0.77 EUR
100+0.56 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR383CEverlight Electronics CO., LTDInfrared Emitter 875nm 950mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR383CEverlightInfrared Emitters Infrared LED
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR3850A
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR401DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V
auf Bestellung 16831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
11+1.99 EUR
50+1.49 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR401DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 9378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.33 EUR
10+1.5 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR401DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 3098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
128+1.68 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR401DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR401DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 39W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 310nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR401DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.84 EUR
9000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR401DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 3098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.5 EUR
88+2.64 EUR
128+1.68 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR401DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR402DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 6000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 2767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
125+1.73 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR402DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 6000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 2767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
90+2.59 EUR
125+1.73 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR402DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 70A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR402DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.15 EUR
10+3.32 EUR
50+2.52 EUR
100+2.27 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR402DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR402DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 10083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+2.51 EUR
100+2.24 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.74 EUR
3000+1.63 EUR
6000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR403EDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR403EDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR403EDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
auf Bestellung 2916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.34 EUR
159+1.46 EUR
179+1.2 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR403EDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR403EDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 99966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+1.29 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
3000+0.71 EUR
9000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR403EDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
auf Bestellung 7315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
12+1.75 EUR
50+1.3 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR403EDP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -40A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 56.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR404DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 6421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+2.64 EUR
100+2.37 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.86 EUR
3000+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR404DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.56 EUR
9000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR404DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.27 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR404DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR404DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR404DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.95 EUR
65+3.57 EUR
100+2.27 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR404DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR404DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V
auf Bestellung 30600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.28 EUR
10+3.4 EUR
50+2.61 EUR
100+2.34 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR406DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2083 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR408DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR410DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
auf Bestellung 4330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.02 EUR
100+1.36 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR410DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR410DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 4462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.93 EUR
100+1.26 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.86 EUR
6000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR410DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR410DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.09 EUR
97+2.42 EUR
145+1.49 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR412DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 20A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR412DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR412DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR414DP
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR414DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR414DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 3615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.47 EUR
78+3 EUR
101+2.14 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR414DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V
auf Bestellung 5034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.05 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR414DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 12902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.53 EUR
100+1.89 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.48 EUR
3000+1.27 EUR
6000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR414DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR4156LDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR416DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 8549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.34 EUR
100+1.57 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR416DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.69 EUR
128+1.68 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR416DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR416DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR416DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR416DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.55 EUR
87+2.69 EUR
128+1.68 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR416DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+2.4 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR416DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR418DP-T1-E3VISHAYQFN 10+
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR418DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.93 EUR
6000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR418DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+2.05 EUR
100+1.44 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.11 EUR
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR418DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR418DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
auf Bestellung 11014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR418M000S041NextGen ComponentsDescription: 418MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±50kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 418 MHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR418M000S042NextGen ComponentsDescription: 418MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 418 MHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422 21VDC
Produktcode: 128096
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Relais
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR422DP-T1-E3
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.8 EUR
6000+0.74 EUR
9000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 13561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.37 EUR
100+1.08 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.89 EUR
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 17042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.15 EUR
77+3.03 EUR
118+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.39 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.27 EUR
11+2.07 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.05 EUR
172+1.01 EUR
194+0.88 EUR
250+0.84 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.81 EUR
6000+0.76 EUR
9000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3
Produktcode: 101557
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8542399000
8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.27 EUR
169+1.01 EUR
172+0.95 EUR
194+0.81 EUR
250+0.77 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 22.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR424DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR424DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR424DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR424DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR424DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 41.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 5775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
141+1.64 EUR
158+1.36 EUR
500+1.06 EUR
1500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR424DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
auf Bestellung 1572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
14+1.55 EUR
100+1.17 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR424DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 11600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.51 EUR
100+1.07 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.68 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR424DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR424DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 41.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 5775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
141+1.64 EUR
158+1.36 EUR
500+1.06 EUR
1500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR424DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR426DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 41.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
auf Bestellung 9015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4.02 EUR
98+2.39 EUR
147+1.46 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
5000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR426DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR426DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR426DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 48891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.54 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR426DP-T1-GE3SiliconixMOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIR426dp
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR426DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR426DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.82 EUR
104+2.24 EUR
156+1.38 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH