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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7401TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7401TRUMWDescription: MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7401TR-VBVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: YFW4406AS; IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TR-JSM; IRF7401TR TIRF7401 c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7401TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 8.7A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7401TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7401TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 20V 8.7A 22mOhm 32nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7401TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8.7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7401TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7401TRPBF - IRF7401 MOSFET N-CHANNEL SINGLE 20V 8.7
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
744+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 744 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7401TRPBFInternational RectifierHEXFET SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7402IRSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7402PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7402TRIOR
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7402TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7402TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 20V 6.8A 35mOhm 14nC
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+1.98 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.83 EUR
4000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7402TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7402TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7402TRPBF - IRF7402 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 763 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7402TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
615+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 615 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7402TRPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403HRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 8.5A
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403PBF
Produktcode: 22641
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 8,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/57
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
2+0.64 EUR
10+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 8.5A 8-Pin SOIC Tube
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
294+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 294 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403TRJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 15A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR JSMICRO TIRF7403 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403TRHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 26mOhm; 8,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR HXY MOSFET TIRF7403 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR UMW TIRF7403 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403TRIOR9742
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
611+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
10000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 8.5A 22mOhm 38nC
auf Bestellung 2457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.73 EUR
100+1.21 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.83 EUR
4000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
611+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404
Produktcode: 7930
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 6,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404HRInfineon TechnologiesDescription: IRF7404HR
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404HRInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404PBF
Produktcode: 22642
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 6,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,040 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/50
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
2+0.68 EUR
10+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 40mOhms 33.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404PBFInternational Rectifier/InfineonР-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,7 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 4,5 В, Rds = 40 мОм @ 3,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 68 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404QTRPBFIOR
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404TRInternational RectifierP-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404TRUMWDescription: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404TRPBF
Produktcode: 54654
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7404TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7404TRPBFInfineonMOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -20V -6.7A 40mOhm 33.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7404TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7404TRPBFIRF7404TRPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7404TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404TRPF
auf Bestellung 1993 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406-HXYHXY MOSFETTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406 HXY MOSFET TIRF7406 HXY
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406HRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406PBFInfineon TechnologiesMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 45mOhms 39.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 5.8A SO-8 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406PBF
Produktcode: 26544
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,8 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 147 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TRInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TRFIR09+ MAC(8)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TRPBFInternational RectifierSO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Id = 5.8 А, Ptot, Вт = 2.5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25 В, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 2.8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 2000 Од
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 164 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF
Produktcode: 219830
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.94 EUR
58+3 EUR
100+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 1238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
10+4.74 EUR
50+3.67 EUR
100+3.32 EUR
500+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+3.69 EUR
100+3.33 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APSiliconixN-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
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4+6.68 EUR
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100+3.05 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF740APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
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100+2.26 EUR
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IRF740APBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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IRF740APBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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41+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IRF740APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF740APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
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87+2.69 EUR
102+2.11 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.59 EUR
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IRF740APBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IRF740APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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