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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SK413
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4138
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4139
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK414
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4144(0)-S12-AZRenesasDescription: 2SK4NSINGPOWMOSF675.8MOMP-45F/TO
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4144(0)-S12-AZRenesasMOS Field Effect Transistor
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+8.58 EUR
100+8.04 EUR
500+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4144(01)-S6-AZRenesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4144(01)-S6-AZRenesas Electronics America IncDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4144-AZRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
90+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4144AZRenesasMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4145
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4145-S19-AYRenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4145-S19-AYRenesas ElectronicsRenesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4145-S19-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4146-S19-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 34909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.11 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.48 EUR
10000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4146-S19-AYRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 34909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
170+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4147-T1BNEC09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4148KNECTO92
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK415
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4150TZ-ERenesasTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
405+1.63 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
10000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4150TZ-ERenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 250V 400MA TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7Ohm @ 200mA, 4V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4150TZ-ERenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4150TZ-ERenesasDescription: 2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7Ohm @ 200mA, 4V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 25 V
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
324+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 324 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4151TZ-ERenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4151TZ-ERenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 150V 1A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 500mA, 4V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4151TZ-ERenesasTrans MOSFET N-CH Si 150V 1A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+1.82 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK416
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4161DSanken Electric Company, Ltd.N Channel Trench Power Mosfet Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.16 EUR
29+5.99 EUR
50+4.45 EUR
200+4.11 EUR
500+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4161DSanken Electric USA Inc.Description: MOS FET 60V/100A/0.0038
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1020 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK416L
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK416S
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK417
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4171onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 75W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4177onsemi NCH 2A 1500V 13OHMS TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4177-DL-1EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK4177-DL-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 80
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4177-DL-1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 1500V 2A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4177-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.12 EUR
30+5.84 EUR
33+5.02 EUR
100+4.4 EUR
250+3.56 EUR
500+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4177-DL-1EonsemiMOSFETs N-Channel Power MOSFET, 1500V, 2A, 13ohm, TO-263-2L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4177-DL-1EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK4177-DL-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 80
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4177-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4177-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4177-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4177-DL-EonsemiMOSFET POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4177-DL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 1500V 2A SMP-FD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: SMP-FD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4177-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 1500V 2A SMP-FD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMP-FD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4178-ZK-E1-AYRenesasSwitching N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
359+1.84 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.48 EUR
10000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 359 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4178-ZK-E1-AYRenesasDescription: 2SK4178 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
287+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK418
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4180-T1-ARenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1088+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1088 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4180-T1-ARenesas2SK4180-T1-A
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1639+0.4 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1639 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4181-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CorporationDescription: MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4181-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CorporationDescription: MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4181-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CorporationDescription: MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK419
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4196LSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220FI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FI(LS)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4196LS-1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
211+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4196LS-1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3FS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220F-3FS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4197FSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 30 V
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2SK4197FSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
auf Bestellung 40650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
413+1.59 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.27 EUR
10000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
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2SK4197FSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
auf Bestellung 15077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
413+1.59 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.27 EUR
10000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4197FSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 30 V
auf Bestellung 59238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
330+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4197FSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
413+1.59 EUR
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1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
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2SK4197FSONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK4197FS - 2SK4197FS, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4197FSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
413+1.59 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4197LSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FI(LS)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 30 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4198FSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+1.77 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
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2SK4198FSONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK4198FS - 2SK4198 - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4198FSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.34Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 30 V
auf Bestellung 56300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
298+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4198FSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
auf Bestellung 54340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+1.77 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.42 EUR
10000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4198FSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.34Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4198FSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+1.77 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4198LSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.34Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FI(LS)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 30 V
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2SK41C
auf Bestellung 26000 Stücke:
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2SK41D
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK41E
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK41F
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK41G
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK41NP
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK41NPC
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK41NPD
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK41NPE
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK41NPF
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK41NPG
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK42
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK420
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4201-S19-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.55 EUR
500+5.22 EUR
1000+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4201-S19-AYRenesas ElectronicsRenesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4201-S19-AYRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
108+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4202-S19-AYRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
135+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4202-S19-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+4.44 EUR
500+4.2 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4202-S19-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+4.44 EUR
500+4.2 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4207ToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4207TOSHIBA
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4207(Q)ToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4207(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.92 EUR
31+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4209onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.08Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK421
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4210onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 190W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+10.12 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK4210onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 190W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2SK4210onsemiMOSFETs POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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