Produkte > FQB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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| FQB8P10TM | FAIRCHILD | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| FQB8P10TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB8P10TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB90N08 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB95N03 | FAIRCHILD | 03+ | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB95N03L | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N08 | fairchild | to-263/d2-pak | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N08L | FAIRCHILD | SOT-263 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N08LTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N08TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.65A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | auf Bestellung 7169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FQB9N08TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQB9N08TM - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 7169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQB9N08TM | Fairchild | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| FQB9N15 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N15TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 9A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N25 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N25C | fairchild | to-263/d2-pak | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N25CTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 3222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FQB9N25TM | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 52 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N25TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N30 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N50 | fairchild | to-263/d2-pak | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N50C | onsemi / Fairchild | MOSFET QFC 500V 800MOHM D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N50C | fairchild | to-263/d2-pak | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N50CF | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N50CF | onsemi / Fairchild | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N50CFTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 173W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V | auf Bestellung 9738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FQB9N50CFTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 8449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQB9N50CFTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N50CFTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQB9N50CFTM | FAIRCHIL.. | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| FQB9N50CFTM_WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 173W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N50CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N50CTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series | auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FQB9N50CTM | ON Semiconductor | auf Bestellung 10400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| FQB9N50CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N50TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel QFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9N50TM | Fairchild | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| FQB9N50TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FQB9P25 | fairchild | to-263/d2-pak | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9P25TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FQB9P25TM | ONS/FAI | Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9P25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9P25TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V P-Channel QFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9P25TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FQB9P25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
