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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF9223IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9230IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF9230TT Electronics - IoT SolutionsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9230International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF9230Infineon / IRMOSFET
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IRF9230International RectifierDescription: 200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
auf Bestellung 10200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
61+8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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IRF9230Renesas / IntersilMOSFET
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IRF9231International RectifierDescription: 6.5A, 150V, 0.8OHM, P-CHANNEL PO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 75W
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IRF9231IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF9232IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF9232International RectifierDescription: 5.52001.2OHP-CHANNPOWMOSFET
Packaging: Bulk
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IRF9233IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF9233International RectifierDescription: MOSFET P-CH 150V 5.5A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
139+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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IRF9233International Rectifier HiRel ProductsIRF9233
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9240Renesas / IntersilMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9240International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF9240International RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 10243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
47+9.68 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9240 Transistor
Produktcode: 62851
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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IRF9240PBFInfineon / IRMOSFET
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IRF9241IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9242IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9243IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF9310Infineon Technologies
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IRF9310IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF9310
Produktcode: 60294
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310PBF
Produktcode: 66751
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N Tube
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 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
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IRF9310PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 4.6mOhms 58nC
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IRF9310PBF-1Infineon TechnologiesInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TR PE03R053.ElecSuperP-Channel 30V 21A 4.2W Surface Mount SOP-8 IRF9310TR(ES); IRF9310TR SOP-8 ELECSUPER TIRF9310 ES
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TR&-9-VBVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TR&-9 TIRF9310-9 VBS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TR&-9-VBVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TR&-9 TIRF9310-9 VBS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TR(ES)ElecSuperP-Channel 30V 21A 4.2W Surface Mount SOP-8 IRF9310TR(ES); IRF9310TR SOP-8 ELECSUPER TIRF9310 ES
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 15, Qg, нКл = 165 @ 10 В, Rds = 4,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,4 В @ 100 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 4 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 25 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF9310TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -30V -20A 4.6mOhm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TRPBF
Produktcode: 185610
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 6.6mOhms 31nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317PBF Transistor
Produktcode: 60246
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRInfineonP-MOSFET 30V 16A 0.0066ohm IRF9317 TIRF9317
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRSLKORTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 15A; 4,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9317; IRF9317TR; SP001572200; SP001575412; IRF9317TR SLKOR TIRF9317 SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRInternational RectifierP-MOSFET 30V 16A 0.0066ohm IRF9317 TIRF9317
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10,2mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9317; IRF9317TR; SP001572200; SP001575412; IRF9317TR UMW TIRF9317 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.44 EUR
8000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.52 EUR
156+0.93 EUR
158+0.9 EUR
159+0.87 EUR
207+0.66 EUR
250+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.5 EUR
103+1.41 EUR
250+1.33 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.44 EUR
8000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -30V -16A 6.6mOhm
auf Bestellung 1698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.01 EUR
100+0.74 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.49 EUR
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.59 EUR
100+1.5 EUR
250+1.41 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.27 EUR
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321Infineon Technologies
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IRF9321 SOIC8 (Transistor feld- Р-Kanalьні)
Produktcode: 43582
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321-HXYHXY MOSFETTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13,5mOhm; 15A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9321; IRF9321TR; IRF9321TRXTMA1; SP001551656; SP001577608; SP005959349; IRF9321 HXY MOSFET TIRF9321 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 7.2mOhms 34nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRInternational RectifierP-MOSFET 30V 15A IRF9321, IRF9321TR IRF9321 TIRF9321
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11,2mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9321; IRF9321TR; IRF9321TRXTMA1; SP001551656; SP001577608; SP005959349; IRF9321TR UMW TIRF9321 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRInfineonP-MOSFET 30V 15A IRF9321, IRF9321TR IRF9321 TIRF9321
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1493 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9321TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15 A, 7200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBF
Produktcode: 173434
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.79 EUR
250+0.75 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9321TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15 A, 7200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT P-Ch -30V -15A 7.2mOhm
auf Bestellung 19842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.47 EUR
10+1.2 EUR
100+0.88 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTransistor-MOSFET P-Channel Enhancement-Mode 30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTransistor-MOSFET P-Channel Enhancement-Mode 30V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328PBF
Produktcode: 39736
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 11.9mOhms 8.5nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328PBFInfineonP-CH SO8 Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRInfineonP-MOSFET 30V 12A 11.9mΩ 2.5W IRF9328 Inernational Rectifier TIRF9328
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.09 EUR
14+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -30V -12A 11.9mOhm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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