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AUIRF3805S-7PInfineon TechnologiesMOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
auf Bestellung 2200 Stücke:
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AUIRF3805S-7TRLInfineon TechnologiesMOSFETs Auto 55V N-Ch FET 2.0mOhm 240A
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AUIRF3805S-7TRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 240A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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AUIRF3805S-7TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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AUIRF3805S-7TRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 240A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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AUIRF3805S-7TRRInfineon / IRMOSFET Auto 55V N-Ch FET 2.0mOhm 240A
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AUIRF3805STRLInfineon TechnologiesMOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3805STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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AUIRF3805STRLInfineon
auf Bestellung 76000 Stücke:
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AUIRF3808Infineon TechnologiesMOSFETs AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms
auf Bestellung 7 Stücke:
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1+7.71 EUR
10+6.5 EUR
25+6.12 EUR
100+5.24 EUR
250+4.94 EUR
500+4.65 EUR
1000+4 EUR
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AUIRF3808International RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
133+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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AUIRF3808SInfineon TechnologiesMOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms
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AUIRF3808SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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AUIRF3808STRLInfineon / IRMOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms
auf Bestellung 15 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3808STRLInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 75V 140A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3808STRRInfineon / IRMOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4104Infineon / IRMOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.78 EUR
10+5.21 EUR
100+4.19 EUR
500+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4104Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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AUIRF4104SROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF4104S - AUIRF4104 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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AUIRF4104SInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 3581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.84 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4104SInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
178+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4104SInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.84 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4104SInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4104SInfineon TechnologiesMOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4104SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4104SInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 4870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.84 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4104STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4104STRLInfineon TechnologiesMOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4104STRLInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
51+11.44 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4104STRLINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4905ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF4905 - AUIRF4905 20V-150V P-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4905Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4905INFINEONDescription: INFINEON - AUIRF4905 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.95 EUR
20+11.95 EUR
100+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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AUIRF4905Infineon TechnologiesMOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 20mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
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AUIRF4905LInfineon TechnologiesDescription: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
auf Bestellung 1077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
115+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4905LInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 74A TO-262 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4905LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4905LInternational RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
115+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4905S
Produktcode: 175739
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4905SInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.45 EUR
23+7.89 EUR
50+5.88 EUR
100+5.72 EUR
200+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4905SInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+7.03 EUR
100+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4905SInfineon TechnologiesMOSFETs Automotive MOSFET 75A 120nC D2Pak
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.35 EUR
10+8.33 EUR
100+7.66 EUR
500+7.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4905SINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF4905S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 70 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.2 EUR
24+9.97 EUR
100+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4905SInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 459 Stücke:
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AUIRF4905SInternational RectifierMOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]; Тип: P; Uси: 55 В; Iс(25°C): 74 А; Rси(вкл): 20 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 20 В Транзистори
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AUIRF4905SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
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AUIRF4905S International RectifierInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 70A Automotive AUIRF4905S TAUIRF4905s
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AUIRF4905STRLINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF4905STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 14463 Stücke:
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16+16.06 EUR
21+11.58 EUR
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AUIRF4905STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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AUIRF4905STRLInfineon TechnologiesMOSFETs Automotive MOSFET P 75A 120nC D2Pak
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AUIRF4905STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
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AUIRF4905STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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1000+5.64 EUR
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Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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AUIRF4905STRLINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF4905STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
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AUIRF4905STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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28+6.4 EUR
50+6.02 EUR
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250+5.43 EUR
500+5.2 EUR
1000+4.95 EUR
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AUIRF4905STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
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AUIRF4905STRL
Produktcode: 178037
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AUIRF4905STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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AUIRF4905STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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18+10.35 EUR
22+8.34 EUR
25+7.52 EUR
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AUIRF4905XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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AUIRF5210SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF5210SInfineon TechnologiesMOSFET Automotive MOSFET P 38A 150nC D2Pak
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF5210STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 38A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.76 EUR
22+8.15 EUR
50+6.07 EUR
100+5.91 EUR
200+5.5 EUR
500+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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AUIRF5210STRLINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF5210STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.7 EUR
21+11.07 EUR
50+9.48 EUR
100+8.73 EUR
250+8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF5210STRLInfineon TechnologiesMOSFET Automotive MOSFET P 38A 150nC D2Pak
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.91 EUR
10+10.22 EUR
25+9.7 EUR
100+8.51 EUR
250+8.25 EUR
500+7.98 EUR
800+6.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF5210STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF5210STRLINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF5210STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.7 EUR
21+11.07 EUR
50+9.48 EUR
100+8.73 EUR
250+8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF5210STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 38A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF5210STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF540ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF540ZINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF540Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.3 EUR
57+4.11 EUR
100+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF540ZInfineon TechnologiesMOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.69 EUR
10+6.06 EUR
100+5.87 EUR
500+5.46 EUR
1000+5.3 EUR
2000+5.18 EUR
5000+5.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF540ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF540ZSTRLInfineon
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF540ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF540ZSTRLInfineon TechnologiesMOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF540ZXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF540ZXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF6215Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF6215INFINEONDescription: INFINEON - AUIRF6215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.34 EUR
33+7.06 EUR
100+4.9 EUR
500+4.13 EUR
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF6215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF6215Infineon TechnologiesMOSFET AUTO -150V 1 P-CH HEXFET 580mOhms
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 375-379 Tag (e)
1+7.16 EUR
10+6.15 EUR
25+5.7 EUR
100+5.01 EUR
250+4.69 EUR
500+4.38 EUR
1000+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF6215Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF6215SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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AUIRF6215SInfineon / IRMOSFET Automotive MOSFET 150V, 295mOhm, D2Pak
auf Bestellung 2989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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AUIRF6215STRLINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF6215STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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AUIRF6215STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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AUIRF6215STRLINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF6215STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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AUIRF6215STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF6215STRLInfineon TechnologiesMOSFET Automotive MOSFET 150V, 295mOhm, D2Pak
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.69 EUR
10+6.72 EUR
25+6.2 EUR
100+5.46 EUR
250+5.26 EUR
500+4.94 EUR
800+4.25 EUR
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AUIRF6215STRRInfineon / IRMOSFET Automotive MOSFET 150V, 295mOhm, D2Pak
Produkt ist nicht verfügbar
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AUIRF6218SInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 27A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF6218SInfineon TechnologiesMOSFET Automotive MOSFET 27A, 71 nC, D2Pak
Produkt ist nicht verfügbar
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AUIRF6218SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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AUIRF6218SInternational RectifierDescription: AUIRF6218 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF6218S-IRInternational RectifierDescription: PFET, 27A I(D), 150V, 0.15OHM, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF6218STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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AUIRF6218STRLInfineon / IRMOSFET Automotive MOSFET 27A, 71 nC, D2Pak
Produkt ist nicht verfügbar
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AUIRF6218STRRInfineon / IRMOSFET Automotive MOSFET 27A, 71 nC, D2Pak
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103QInternational RectifierAUIRF7103Q Multi Channel Transistors Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH