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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTD4809NA-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NA-1G - NTD4809NA - MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 86000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NA-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
auf Bestellung 48500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3040+0.21 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
auf Bestellung 86000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2019+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2019 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1010+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1010 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NA-35GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NA-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NA-35G - NTD4809NA - MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1415 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NAT4G
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NAT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 188500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1441+0.45 EUR
10000+0.39 EUR
100000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1441 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
auf Bestellung 193200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
956+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 956 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NAT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NAT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NAT4G - NTD4809NA - MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 193200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NAT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1441+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1441 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NGonsemiArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1611+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
auf Bestellung 3624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1069+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-1GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 24375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1611+0.4 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NH-35G - MOSFET, N, 30V, 3 I-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 63872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1950+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1950 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-35GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 39440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1611+0.4 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
auf Bestellung 63872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1069+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-35HonsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1244+0.52 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 27453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1244+0.52 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4G
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NHT4G - NTD4809NHT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 142167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 104534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1244+0.52 EUR
10000+0.46 EUR
100000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
auf Bestellung 142167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
826+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 826 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4HonsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
748+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 748 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NT4GONSOT-252 10+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NT4G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 13.1A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 60285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NT4GonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
auf Bestellung 59246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
538+1 EUR
Mindestbestellmenge: 538 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
748+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
10000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 748 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NT4GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
auf Bestellung 2773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.62 EUR
100+1.26 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
748+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 748 Stücke
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NTD4809NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
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NTD4809NT4HonsemiMOSFET
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NTD4809NT4HON SemiconductorNTD4809NT4H
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
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NTD4809NT4HonsemiDescription: RF MOSFET 30V DPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1010+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1010 Stücke
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NTD4809NT4HON SemiconductorNTD4809NT4H
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.43 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
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NTD4809NT4HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NT4H - NTD4809N - NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NTD4810
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD4810N
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD4810N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12 V
auf Bestellung 9550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1214+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1214 Stücke
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NTD4810N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4810N-1G - NTD4810N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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NTD4810N-1G
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD4810N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12 V
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1214+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1214 Stücke
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NTD4810NH-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4810NH-1G - NTD4810NH-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2475+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2475 Stücke
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NTD4810NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 12 V
auf Bestellung 3665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1680+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1680 Stücke
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NTD4810NH-1G
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NH-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 975 Stücke
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NTD4810NHT4
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD4810NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 12 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
841+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 841 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NHT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4810NHT4G - MOSFET, N, 30V, D-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NHT4GonsemiMOSFETs Power MOSFET 30V 54 A 10 mOhm Single N-Channel DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD4810NHT4G
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NHT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
971+0.67 EUR
1053+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 971 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NT4GON06+
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12 V
auf Bestellung 3670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1214+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813N
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813N-1GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
auf Bestellung 6645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1503 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 12 V
auf Bestellung 6150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1567+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813NHON09+ TO252
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813NH-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2775 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813NH-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 12 V
auf Bestellung 14455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1665+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1665 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813NH-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813NHT4GRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
auf Bestellung 314585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813NHT4GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813NHT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813NHT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813NT4GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK
auf Bestellung 252500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1503 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813NT4G
auf Bestellung 142500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4815N
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4815N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4815N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4815N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4815N-35G - MOSFET, N CH, 30V, 35A, IPAKTR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 72225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1200+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4815N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12 V
auf Bestellung 58800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
960+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 960 Stücke
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NTD4815N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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 Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4815N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
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NTD4815N-35GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 35A 15MOHM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4815N1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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242+0.73 EUR
269+0.63 EUR
470+0.35 EUR
535+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
2500+0.2 EUR
5000+0.19 EUR
10000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4815NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 12 V
auf Bestellung 64240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2427+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2427 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4815NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4815NH-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4815NH-1G - MOSFET, N, 30V, IPAK
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 64240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4815NH-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4815NHT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4815NHT4G - NTD4815NHT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 647241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4815NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4815NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 12 V
auf Bestellung 612241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3122+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4815NHT4GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4815NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12 V
auf Bestellung 13300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1567+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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