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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI9435BDYSiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 4,1A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; SI9435BDY TSI9435bdy
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si9435BDY (Transistor)
Produktcode: 44886
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
auf Bestellung 3773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-E3
Produktcode: 130444
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-E3Vishay BC ComponentsP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,1 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 5,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-E3Vishay SiliconixSO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 5.7A 0.042Ohm
auf Bestellung 5325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.36 EUR
100+1.06 EUR
2500+0.93 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.86 EUR
250+0.81 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
auf Bestellung 2371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
15+1.48 EUR
100+1.02 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-GE3Vishay SiliconixSO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V
auf Bestellung 3620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.46 EUR
100+1.05 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI9435BDY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42mohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.37 EUR
139+1.67 EUR
147+1.46 EUR
157+1.37 EUR
166+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435DYonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435DYKEXIN09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435DYonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435DY-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435DY-T1VISHAY04+
auf Bestellung 2419 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435DY-T1(AP9435
auf Bestellung 1683 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435DY-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 90018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435DY-TI
auf Bestellung 7882 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9436SISOP-8
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9436BDYVISHAY08+ SOP8
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9436DY-T1
auf Bestellung 36890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9436DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9443DYT
auf Bestellung 1645 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9459DY-T1-E3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9507
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9513-PC
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9518
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9529SISOP-8
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9529DY
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9529DY-T1SILICONIX1998
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9529DY-T1-E3
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI953SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9530DN
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI954
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI955
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9551CNN/APLCC44
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9554SDDPLCC44
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9554CNSILICONIX8586+
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9554DH
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9555CN
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI956SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9610
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI963SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9634DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
130+1.8 EUR
195+1.09 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.71 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9634DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9634DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOIC8 2NCH 60V 6.2A
auf Bestellung 5743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9634DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.77 EUR
130+1.8 EUR
195+1.09 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.71 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9634DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI965SI03+
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9688EVISHAY
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI968A
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI968BE
auf Bestellung 2282 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI968E
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI968EASIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9706SISOP-8
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9706DYSISOP
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9706DY-E3Vishay SiliconixDescription: IC PCMCIA INTFACE SW 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9706DY-T1SILICONIX0042+
auf Bestellung 7943 Stücke:
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SI9706DY-T1-E3VISHAY
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SI9706DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC PCMCIA INTFACE SW 8SO
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SI9707DYSLX95 SMD
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SI9707DY-E3Vishay SiliconixDescription: PCMCIA-VCC ONLY DUAL POWER INT
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SI9707DY-T1SI
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SI9707DY-T1Vishay / SiliconixSwitch ICs - Various PCMCIA Dual Power Interface Switch
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SI9707DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: PCMCIA-VCC ONLY DUAL POWER INT
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SI9710CYSLX95 SMD
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SI9710CY-T1
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SI9711CYSILICON09+ SOP16
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SI9711CY-E3Vishay SiliconixDescription: IC PCMCIA INTERFACE SWITCH SO16
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SI9711CY-T1Vishay / SiliconixSwitch ICs - Various PCMCIA Interface Switch
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SI9711CY-T1VISHAY9725+
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SI9711CY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC PCMCIA INTERFACE SWITCH SO16
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SI9711CYT1
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SI9711DY-T1
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SI9712CY
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SI9712DYSILICON09+ SOP16
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SI9712DY-T1.09+ SMD
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SI9712DY-T1-E3
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SI9712DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC SWITCH PCMCIA 12V 16SOIC
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SI9712DY-TI
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SI9717CYSILICON09+ SOP16
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SI9717CYVishay / SiliconixPower Switch ICs - Power Distribution Battery Disc Sw
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SI9717E1N/A
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SI9718CYN/A
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SI9718CY-T1
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SI973
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SI9730SIEMENS01+ SOP
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SI9730
Produktcode: 148561
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IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
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SI9730ABY-E3Vishay SiliconixDescription: IC BATT MFUNC LI-ION 2CELL 8SOIC
Function: Multi-Function Controller
Mounting Type: Surface Mount
Number of Cells: 2
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Fault Protection: Over Current, Under Voltage
Supplier Device Package: 8-SOIC
Battery Chemistry: Lithium Ion
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
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SI9730ABY-T1VISHAY01+
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SI9730ABY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC BATT MFUNC LI-ION 2CELL 8SOIC
Fault Protection: Over Current, Under Voltage
Supplier Device Package: 8-SOIC
Battery Chemistry: Lithium Ion
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Function: Multi-Function Controller
Mounting Type: Surface Mount
Number of Cells: 2
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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