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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.13 EUR
2000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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1000+2.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2000+2.03 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.98 EUR
10+5.94 EUR
50+4.64 EUR
100+4.21 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB21N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 1628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.67 EUR
500+3.49 EUR
1000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 21A; 208W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 208W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 21A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Case: D2PAK-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB22-41PSWAmphenolMiniature Cylindrical Connectors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB22-55PSWAmphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector SPB 55C 55#20 PIN/SKT RECP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB228-D-1H&D WirelessCategory: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: IoT; Bluetooth: 5.0; 16dBm; WiFi; SMD; 16x12x1.7mm
Type of communications module: IoT
Bluetooth version: 5.0
Transmitter output power: 16dBm
Kind of network: WiFi
Supply voltage: 3...3.47V DC
Interface: GPIO; JTAG; PCIe 3.0; SDIO; UART; USB 3.0
Transfer rate: 800Mbps
Mounting: SMD
Dimensions: 16x12x1.7mm
Ciphering: WEP; WPA2; WPA
Connection: I-PEX (u.FL) x2
Receiver sensitivity: -100dBm
Number of terminals: 96
Operating system: Android; Linux
Operating temperature: -40...85°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+26.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB228-D-2H&D WirelessWLAN+BT Module 2400MHz/5000MHz SMD Module T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB22MTCARLO GAVAZZICategory: Resistive Magnetic Sensors
Description: Sensor: magnetic field
Type of sensor: magnetic field
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB232ACT
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB25MVW
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB300A
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB300ABA0PBK
auf Bestellung 28500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB300ABA0PBK-L
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB300ABAOPBKTI07+
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB300AEA0PBK
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPB30N03INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPB30N03L
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB32/10MABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories 32MM GS-PVC COND GS BRD 10M-BL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB32N03-LSIEMENS99
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB32N03LINFINEON00+ TO263;
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPB32N03LE3045A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB35N10Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 26.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB35N10INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB35N10 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 26.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB35N10TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 26.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB42N03S2L-13Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 37µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB42N03S2L-13INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB42N03S2L-13Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 37µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB42N03S2L-13 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 37µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB42N03S2L13TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB460N03L
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB46N03INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB46N03LXI.M.Z2002 TO-263
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB46N03L E3045AINFINEONTO263/2.5
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB46N03L-E3045A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB47N10Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB47N10INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB47N10C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB47N10LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB47N10LINFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB47N10LE3045A
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB56N03-L
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB602MARATHON SPECIAL PRODUCTSDescription: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - SPB602 - STRADDLE PLATE, 2POS, 12.7MM, BRASS
tariffCode: 85369010
Art des Zubehörs: Straddle Plate
Anzahl der Positionen: 2-polig
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 12.7mm
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Terminal Blocks
Produktpalette: -
auf Bestellung 1398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB64SHITACHI
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB70N10C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB70N10LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB70N10LINFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB73N03S2L-08Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB73N03S2L-08INFTO-263
auf Bestellung 127000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB73N03S2L-08 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB73N03S2L-08 GINFTO-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB73N03S2L-08G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB73N03S2L08TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB77N06S2-12INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB77N06S2-12Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB7N60INFINEONTO-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB8-98PSAmphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector SPB 3C 3#20 PIN/ SKT RECP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB800-BCP1H&D Wireless ABDescription: RF TXRX MODULE WIFI CHIP SMD
Part Status: Active
Serial Interfaces: UART
RF Family/Standard: WiFi
Modulation: 16QAM, 64QAM, BPSK, CCK, DBPSK, DQPSK, OFDM
Antenna Type: Integrated, Chip
Current - Transmitting: 186mA
Current - Receiving: 77mA
Protocol: 802.11b/g
Data Rate: 54Mbps
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency: 2.4GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 8 Stücke:
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SPB800P-BMP1H&D WirelessSurface Mount Wi-Fi 802.11b/g Board
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SPB80N03INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
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SPB80N03L
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SPB80N03L(INFINEO
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SPB80N03L.
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SPB80N03LE3045A
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SPB80N03S2-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
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SPB80N03S2-03Infineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
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SPB80N03S2-03INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SPB80N03S2-03 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2
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SPB80N03S203GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
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188+2.93 EUR
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SPB80N03S203GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
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SPB80N03S203GATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - SPB80N03S203GATMA1 - SPB80N03S2 OPTLMOS, 80A, 30V, 0.0072OHM
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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SPB80N03S2L-03INFTO-263
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SPB80N03S2L-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
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SPB80N03S2L-03 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
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SPB80N03S2L-03GINFINEON
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SPB80N03S2L-03GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2
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SPB80N03S2L-04Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
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SPB80N03S2L-04Infineon TechnologiesMOSFET
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SPB80N03S2L-04INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPB80N03S2L-04 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SPB80N03S2L-05INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB80N03S2L-05Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SPB80N03S2L-05ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - SPB80N03S2L-05 - SPB80N03 - OPTLMOS, 80A, 30V, 0.0072OHM,
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 51750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
770+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 770 Stücke
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SPB80N03S2L-05Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V
auf Bestellung 75780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
545+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 545 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB80N03S2L-05 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB80N03S2L-05GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB80N03S2L-06Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB80N03S2L-06INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB80N03S2L-06 GInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB80N03S2L-06 GINFTO-263
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB80N03S2L-06 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB80N03S2L-06G
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB80N03S2L05ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - SPB80N03S2L05 - SPB80N03 - OPTLMOS, 80A, 30V, 0.0072OHM,
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 72559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
770+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 770 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB80N03S2L05Infineon TechnologiesDescription: 80A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V
auf Bestellung 72559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
545+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 545 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB80N03S2L05TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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