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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.67 EUR
109+1.57 EUR
250+1.48 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.32 EUR
2500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9362TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9362TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
134+1.74 EUR
250+1.06 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs Dual MOSFT PCh -8.0A 21.0mOhm -4.5V capb
auf Bestellung 4958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.58 EUR
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 4372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
auf Bestellung 8628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.68 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.53 EUR
45+3.84 EUR
100+2.77 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.68 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9383MTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 2900 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.12 EUR
47+4.94 EUR
100+3.56 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
auf Bestellung 8628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
186+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
auf Bestellung 4440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.68 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET P-Channel 2.9 mOhm -30V -160A
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+3.94 EUR
100+3 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.64 EUR
2500+2.57 EUR
4800+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTRPBFInfineonMOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.68 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9383MTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 2900 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.56 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9383MTRPBFInternational RectifierDescription: IRF9383 - 20V-250V P-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9388Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9388PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9388PBFInfineon TechnologiesMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 11.9mOhms 18nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9388TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9388TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9388TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9388TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 8500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
158+1.48 EUR
250+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -12A 11.9mOhm 25Vgs
auf Bestellung 8922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.83 EUR
100+0.73 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.49 EUR
4000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9388TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9388TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 8500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+2.62 EUR
158+1.48 EUR
250+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.4 EUR
250+1.33 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.18 EUR
2500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
16+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389HXY MOSFETTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 31mOhm/54mOhm; 7A/8,5A; 2,5/3,08W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9389; IRF9389TR; SP001555848; SP001551666; IRF9389 HXY MOSFET TIRF9389 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389PBFInfineon / IRMOSFET TRENCH MOSFET - PACKAGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389TRUMWTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm/103mOhm; 6,8A/4,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9389; IRF9389TR; SP001555848; SP001551666; IRF9389TR UMW TIRF9389 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389TRJSMicro SemiconductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 28mOhm/52mOhm; 7,5A/7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9389; IRF9389TR; SP001555848; SP001551666; IRF9389TR JSMICRO TIRF9389 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS
auf Bestellung 34800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.35 EUR
8000+0.32 EUR
12000+0.31 EUR
20000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389TRPBF
Produktcode: 98277
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 15005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+0.75 EUR
332+0.51 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.3 EUR
4000+0.26 EUR
8000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 232 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 6.8/-4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 3799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.94 EUR
125+0.68 EUR
180+0.48 EUR
211+0.4 EUR
250+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
213+1.09 EUR
329+0.65 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 16105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 75036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
23+0.95 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
213+1.09 EUR
329+0.65 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9392PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 7.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9392PBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 17.5mOhms 14nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9392PBF
Produktcode: 109150
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9392TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -9.8A 17.5mOhm 25Vgs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9392TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 7.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9392TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.96 EUR
250+0.9 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -9.2A 19.4mOhm 25Vgs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.71 EUR
215+1.08 EUR
290+0.74 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.71 EUR
215+1.08 EUR
290+0.74 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 25635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesIRF9393TRPBFXTMA1
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9395MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFETMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MC
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9395MTR1PBFInfineon / IRMOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9395MTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 57W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MC
auf Bestellung 154381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
183+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9395MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 30V 14A 10-Pin Direct-FET MC T/R
auf Bestellung 15386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+2.84 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.28 EUR
10000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9395MTRPBFInfineon technologies
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9395MTRPBFInfineon / IRMOSFET DUAL P-CH -30V 7mOhms 64nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9395MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 30V 14A 10-Pin Direct-FET MC T/R
auf Bestellung 4675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+2.84 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9395MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFETMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9395MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 30V 14A 10-Pin Direct-FET MC T/R
auf Bestellung 133660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+2.84 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.28 EUR
10000+1.99 EUR
100000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9395MTRPBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9395MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 30V 14A 10-Pin Direct-FET MC T/R
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+2.84 EUR
500+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9410Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9410International RectifierТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9410International RectifierN-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9410HRInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9410PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 18nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9410TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9410TRIR09+
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9410TRHRInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9410TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 18nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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