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2N200MOTOROLA
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2N2018General SemiconductorDescription: TRANS NPN 125V 1A TO111
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-111-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 6V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-111
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Power - Max: 20 W
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2N201AMOTOROLA
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2N2059MOTCAN
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2N205AMOTOROLA
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2N206MOTOROLA
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2N2060Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 60V 0.5A 600mW 6-Pin TO-78 Bag
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2N2060Microchip TechnologyDescription: TRANS 2NPN 60V 500MA TO-78-6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 600mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
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2N2060Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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2N2060Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 60V 0.5A 600mW 6-Pin TO-78 Bag
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2+112.86 EUR
100+63.75 EUR
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2N2060BB
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2N2060Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 60V 0.5A 600mW 6-Pin TO-78 Bag
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2N2060Central SemiconductorCentral Semiconductor
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2N2060Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 60V 0.5A 600mW 6-Pin TO-78 Bag
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2060Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 60V 0.5A 600mW 6-Pin TO-78 Bag
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2+112.86 EUR
100+65.16 EUR
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2N2060AMOTOROLA
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2N2060ACentral Semiconductor CorpDescription: TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6
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2N2060BMOTOROLA
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2N2060LMicrochip TechnologyDescription: TRANS 2NPN 60V 500MA TO-78-6
Supplier Device Package: TO-78-6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 2.12W
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Bulk
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2N2060LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V 500mA 600mW NPN Long-Lead Dual Small-Signal BJT THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2060L/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2060MCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6
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2N2063A
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2N20671999
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2N2068
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2N206AMOTOROLA
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2N207MOTOROLA
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2N2079CAN
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2N207AMOTOROLA
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2N207BCAN
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2N208MOTOROLA
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2N2080CAN
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2N2084MOTCAN
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2N2085MOTCAN
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2N2086MOTCAN
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2N2087MOTCAN
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2N208AMOTOROLA
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2N209MOTOROLA
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2N2094MOTCAN
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2N2094AMOTCAN
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2N2098MOTCAN
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2N2099MOTCAN
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2N209AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N210MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2N2100CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
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2N2100AMOTCAN
auf Bestellung 397 Stücke:
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2N2101MOTOROLA
auf Bestellung 50 Stücke:
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2N2101General SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A TO61
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2N2102Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N2102STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 65V 1A TO39
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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2N2102Vishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
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2N2102Aptina ImagingNPN Silicon Transistor
auf Bestellung 98 Stücke:
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11+62.02 EUR
25+59.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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2N2102Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 65V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-5AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 5 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2102
Produktcode: 139506
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 65 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 120 В
Kollektorstrom Ic, A: 1 A
Montage: THT
auf Bestellung: 146 St.
  • 146 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.7 EUR
10+0.63 EUR
100+0.57 EUR
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2N2102MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N2102 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 66 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2102STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2102Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 65V 1A 3-Pin TO-5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2102onsemiDescription: TRANS PNP 65V 1A TO5
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-5
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+57.76 EUR
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2N2102Aptina ImagingNPN Silicon Transistor
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11+62.02 EUR
25+59.92 EUR
100+56.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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2N2102 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
auf Bestellung 817 Stücke:
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1+4.84 EUR
10+3.61 EUR
100+2.59 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.82 EUR
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2N2102 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 65V 1A TO-39
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA (ICBO)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.71 EUR
10+3.71 EUR
100+2.56 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2N2102 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 120Vcbo 80Vcer 65Vceo 7.0Vebo 1.0W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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