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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
2ST1480FPSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
2ST1942TOS\AHIT01+ TO-3
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2ST2121STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 250V 17A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
2ST2121STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 250V 17A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
2ST2121STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Power Transistor
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2ST243NEC05+ SOT-423
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2ST31705+ SOT-89
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2ST31ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Low voltage NPN Power Transistor
auf Bestellung 2611 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.73 EUR
22+ 2.45 EUR
25+ 2.33 EUR
100+ 1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 20
2ST31ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2ST31A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2ST31ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
16+1.69 EUR
50+ 1.36 EUR
100+ 1.08 EUR
500+ 0.91 EUR
1000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 16
2ST3412TOS\AHIT01+ TO-3
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2ST4C256STSOP
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2ST501TSTMicroelectronicsTrans Darlington NPN 350V 4A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
2ST501TSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.59 EUR
10+ 2.99 EUR
100+ 2.38 EUR
500+ 2.01 EUR
1000+ 1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2ST501TSTMicroelectronicsDarlington Transistors PWR BIP/S.SIGNAL
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.85 EUR
20+ 2.68 EUR
100+ 2.31 EUR
500+ 2.03 EUR
1000+ 1.86 EUR
2000+ 1.76 EUR
5000+ 1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
2ST5949STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 250V 17A TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
2STA1694STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 120V 8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 651 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.69 EUR
30+ 2.96 EUR
120+ 2.44 EUR
510+ 2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2STA1694STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 120V 8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STA1695STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans
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2STA1695STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
2STA1695STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 140V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STA1837STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 230V 1A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STA1943STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 230V 15A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.64 EUR
10+ 6.88 EUR
100+ 5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2STA1943STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
2STA1962STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 230V 15A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STA1962STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
2STA1962STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans
Produkt ist nicht verfügbar
2STA2120STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 250V 17A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STA2120STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 250V 17A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
2STA2120STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 250V 17A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.67 EUR
10+ 3.03 EUR
100+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2STA2121STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 250V 17A 220000mW 3-Pin TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
2STA2121STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 250V 17A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-264
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 220 W
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.69 EUR
10+ 8.97 EUR
100+ 7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2STA2510STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 12A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STB095
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2STB118PM-TMIT2002
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2STB121PM-T
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2STB123PPOMRON2002
auf Bestellung 3840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2STB123PPOMRON01+ DIP20
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2STB54910PM-TRENESAS0420+ SOP-20
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2STB54910PM-TRENESAS0420+
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2STBN15D100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 12A 70000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STBN15D100STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 4mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 70 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STBN15D100STMicroelectronicsDarlington Transistors Low Volt NPN Darlington Trans
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 316-330 Tag (e)
15+3.48 EUR
20+ 2.7 EUR
100+ 2.18 EUR
500+ 1.91 EUR
1000+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 15
2STBN15D100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 12A 70000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STBN15D100STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 4mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 70 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STBN15D100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 12A 70000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STBN15D100T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 12A 70000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STBN15D100T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 4mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 70 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STC2510STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 12A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STC4467STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 120V 8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.4 EUR
10+ 5.31 EUR
100+ 4.22 EUR
500+ 3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2STC4467STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High power NPN Bipolar transistor
Produkt ist nicht verfügbar
2STC4467STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 120V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 104
2STC4467STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 120V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
2STC4467Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2STC4467STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 120V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 104
2STC4468STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
2STC4468STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High Pwr NPN BiPolar Trans
Produkt ist nicht verfügbar
2STC4468STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 140V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STC4468STM
auf Bestellung 19560 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2STC4468onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2STC4793STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 230V 1A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STC4793STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power 230V 100 MHz 2STA1837
Produkt ist nicht verfügbar
2STC5200STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
2STC5200STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 230V 15A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STC5242STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High PWR NPN 230V 30 MHz 2STA1962
Produkt ist nicht verfügbar
2STC5242STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
2STC5242STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 230V 15A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STC5948STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 250V 17A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
2STC5949STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 250V 17A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-264
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 220 W
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2STC5949STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High PWR NPN planar bipolar trans
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2STD09PAU99B30XCONECD-Sub Standard Connectors 9P M R/A WATER RES 4-40 INSERTS
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2STD09PAU99R40XCONECD-Sub Standard Connectors 9P M R/A .370 WTR. RESISTANT M.BRKT 4-40 INS/CLIP
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2STD09SAU99B30XCONECD-Sub Standard Connectors 9P F WATER RES. R/A
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2STD09SAU99R40XCONECD-Sub Standard Connectors 9P F R/A .370 WTR. RESISTANT M.BRKT 4-40 INS/CLIP
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2STD1360T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A DPAK
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2STD1360T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A DPAK
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2STD15SAU99B30XCONECD-Sub Standard Connectors 15P F WATER RES. R/A
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2STD15SAU99R40XCONECD-Sub Standard Connectors 15P F R/A .370 WTR. RESISTANT M.BRKT 4-40 INS/CLIP
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2STD1665STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
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2STD1665T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 6A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 6A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+1.25 EUR
114+ 0.63 EUR
126+ 0.57 EUR
167+ 0.43 EUR
173+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 58
2STD1665T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 65V 6A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2STD1665T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 65V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.04 EUR
5000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
2STD1665T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT 150V Vcbo 65V Vceo 6A NPN Low Voltage
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
21+2.56 EUR
25+ 2.1 EUR
100+ 1.64 EUR
500+ 1.39 EUR
1000+ 1.13 EUR
2500+ 1.01 EUR
5000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 21
2STD1665T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 6A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 6A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.25 EUR
114+ 0.63 EUR
126+ 0.57 EUR
167+ 0.43 EUR
173+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 58
2STD1665T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 65V 6A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2STD1665T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 65V 6A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2STD1665T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 65V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 10831 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.52 EUR
13+ 2.06 EUR
100+ 1.61 EUR
500+ 1.36 EUR
1000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
2STD2360T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A DPAK
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2STD2360T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A DPAK
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2STD2360T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A DPAK
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2STF1340
Produktcode: 59176		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2STF1340STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT-89
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2STF1340STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT-89
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2STF1360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
auf Bestellung 10689 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
37+1.43 EUR
46+ 1.15 EUR
100+ 0.66 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.44 EUR
2500+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 37
2STF1360STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
Current gain: 80...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.27 EUR
100+ 0.72 EUR
103+ 0.7 EUR
281+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 56
2STF1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 8795 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
21+1.27 EUR
24+ 1.09 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 21
2STF1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2STF1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2STF1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.43 EUR
5000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
2STF1360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STF1360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1.4 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STF1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2STF1360RectronBipolar Transistors - BJT
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2STF1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2STF1360
Produktcode: 185994		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2STF1360STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
Current gain: 80...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 56
2STF1360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STF1360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1.4 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STF1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2STF1525STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
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2STF1550STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 50V 5A SOT-89
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2STF1550STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 50V 5A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2STF1550STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 50V 5A SOT-89
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2STF166PM
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2STF2220STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 20V 1.5A SOT-89
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2STF2220STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 20V 1.5A SOT-89
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2STF2220STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 20V 1.5A SOT-89
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2STF2280STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP LV High Perf PWR Trans - 80V
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2STF2280STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 7490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
652+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 652
2STF2280STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 7490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
652+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 652
2STF2340STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT-89
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2STF2340
Produktcode: 59174		Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
2STF2340STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
2STF2360STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+1.35 EUR
23+ 1.15 EUR
100+ 0.8 EUR
500+ 0.63 EUR
1000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 20
2STF2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STF2360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STF2360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1.4 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STF2360STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 3A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1638 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
145+0.5 EUR
203+ 0.35 EUR
263+ 0.27 EUR
278+ 0.26 EUR
2500+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 145
2STF2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STF2360STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.4 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STF2360STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 3A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+0.5 EUR
203+ 0.35 EUR
263+ 0.27 EUR
278+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 145
2STF2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STF2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STF2360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STF2360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1.4 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STF2360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor
auf Bestellung 9596 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
61+ 0.86 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.45 EUR
2500+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 52
2STF2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STF2360
Produktcode: 188005		Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
2STF2550STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 50V 5A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STF2550STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 50V 5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.41 EUR
5000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
2STF2550STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 50V 5A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STF2550STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STF2550 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 1.4 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 7385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STF2550STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LV high performance PNP power transistor
auf Bestellung 10440 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
60+ 0.87 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 52
2STF2550STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 50V 5A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2STF2550STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 50V 5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 11875 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.22 EUR
25+ 1.04 EUR
100+ 0.73 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
2STF2550STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 50V 5A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2STF474WPOMRONDIP18
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2STFS747512S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Freestanding Encl w/panel - 74 x 75 x 12 - 316SS
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2STFS747512SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Freestanding Encl w/panel - 74 x 75 x 12 - 304SS
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2STFS747518S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Freestanding Encl w/panel - 74 x 75 x 18 - 316SS
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2STFS747518SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Freestanding Encl w/panel - 74 x 75 x 18 - 304SS
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2STFS747524S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Freestanding Encl w/panel - 74 x 75 x 24 - 316SS
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2STFS747524SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Freestanding Encl w/panel - 74 x 75 x 24 - 304SS
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2STFSD747512S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Disconnect Encl w/panel - 74 x 75 x 12 - 316SS
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2STFSD747512SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Disconnect Encl w/panel - 74 x 75 x 12 - 304SS
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2STFSD747518S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Disconnect Encl w/panel - 74 x 75 x 18 - 316SS
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2STFSD747518SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Disconnect Encl w/panel - 74 x 75 x 18 - 304SS
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2STFSD747524S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Disconnect Encl w/panel - 74 x 75 x 24 - 316SS
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2STFSD747524SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Disconnect Encl w/panel - 74 x 75 x 24 - 304SS
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2STG140PMD-GAIPHONESOP
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2STG141PMJRC2004 SSOP
auf Bestellung 977 Stücke:
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2STL1360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LoVltg FastSwtch npn Pwr bipolar trans
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2STL1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin TO-92L Bag
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2STL1360Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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2STL1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO92L
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92L
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
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2STL1525STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin TO-92L Bag
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
998+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 998
2STL1525STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Trans PB-HCD 25V VCEO 5A IC
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2STL1525STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 25V 5A TO-92MOD
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2STL1525STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin TO-92L Bag
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
998+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 998
2STL1525-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT 25V Vceo 5A NPN High Gain Switching
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2STL1525-DHSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Low voltage high performance NPN power transistor, IGBT & Power Bipolar
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2STL1550STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Transistors, Power Bipolar, Low Voltage - High Per, IGBT & Power Bipolar
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2STL2580STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1A TO92MOD
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92MOD
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
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2STL2580STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High Volt NPN Trans 800V Vces 400V Vceo
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2STL2580-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High voltage fast-switching NPN power transistor
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2STL2580-APSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 1A 1500mW 3-Pin TO-92 Mod Loose
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2STL2580-APSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92MOD
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
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2STN1360STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Current gain: 80...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+0.72 EUR
105+ 0.69 EUR
112+ 0.64 EUR
143+ 0.5 EUR
341+ 0.21 EUR
360+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2STN1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
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2STN1360STTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 2STN1360 T2STN1360
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2STN1360STTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 2STN1360 T2STN1360
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2STN1360onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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2STN1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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2STN1360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN1360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 280hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STN1360STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Current gain: 80...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
105+ 0.69 EUR
112+ 0.64 EUR
143+ 0.5 EUR
341+ 0.21 EUR
360+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2STN1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STN1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2STN1360STTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 2STN1360 T2STN1360
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2STN1360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
auf Bestellung 25035 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
40+1.33 EUR
45+ 1.16 EUR
100+ 0.81 EUR
500+ 0.63 EUR
1000+ 0.51 EUR
2000+ 0.43 EUR
10000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 40
2STN1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STN1360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN1360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 280hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STN1550STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 50V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 49310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
16+1.64 EUR
19+ 1.4 EUR
100+ 1.04 EUR
500+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 16
2STN1550STMicroelectronics2STN1550 NPN SMD transistors
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
207+ 0.35 EUR
219+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 65
2STN1550STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
auf Bestellung 12980 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
33+1.61 EUR
38+ 1.38 EUR
100+ 1.03 EUR
500+ 0.81 EUR
1000+ 0.63 EUR
2000+ 0.57 EUR
5000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 33
2STN1550STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 50V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STN1550STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN1550 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STN1550STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 50V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.63 EUR
2000+ 0.58 EUR
5000+ 0.54 EUR
10000+ 0.5 EUR
25000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2STN1550STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 50V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STN1550STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN1550 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STN2340STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STN2340STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STN2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STN2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STN2360STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STN2360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor
Produkt ist nicht verfügbar
2STN2360STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
2STN2540STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Power Bipolar Transistors
auf Bestellung 14844 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
38+1.4 EUR
44+ 1.2 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.54 EUR
2000+ 0.5 EUR
10000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 38
2STN2540STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN2540 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STN2540STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 40V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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2STN2540STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 40V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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2STN2540STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.6 W
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2STN2540STMicroelectronics2STN2540 PNP SMD transistors
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
156+0.46 EUR
260+ 0.28 EUR
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Mindestbestellmenge: 156
2STN2540Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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2STN2540STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 40V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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2STN2540STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 40V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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2STN2540STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN2540 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STN2540STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.6 W
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2STN2540-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.6 W
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2STN2550STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LV high performance PNP power transistor
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2STN2550STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 50V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
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2STN2780STMicroelectronicsSTMicroelectronics
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2STP535FPSTMicroelectronicsTrans Darlington NPN 180V 8A 37000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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2STP535FPSTMicroelectronicsTrans Darlington NPN 180V 8A 37000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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2STP535FPSTM
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2STP535FPSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 180V 8A TO220FP
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2STP535FPSTMicroelectronicsDarlington Transistors PWR BIP/S.SIGNAL
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13+4.13 EUR
16+ 3.33 EUR
100+ 2.73 EUR
250+ 2.31 EUR
500+ 1.85 EUR
1000+ 1.83 EUR
2000+ 1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13
2STP535FPSTMicroelectronicsTrans Darlington NPN 180V 8A 37000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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2STR1160STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR1160STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Low-Volt Fast Switch NPN Pwr Tran
auf Bestellung 13927 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
62+0.85 EUR
76+ 0.69 EUR
111+ 0.47 EUR
1000+ 0.26 EUR
3000+ 0.24 EUR
9000+ 0.21 EUR
24000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 62
2STR1160STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR1160STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
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2STR1160
Produktcode: 114990		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2STR1160STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR1160onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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2STR1160STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR1160STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
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2STR1215STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STR1215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 15 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 280hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STR1215STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 15V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 500 mW
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2STR1215STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 15V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR1215STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Lo Vltg FAST SWITCH Hi GAIN PNP
auf Bestellung 28041 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.01 EUR
63+ 0.83 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 52
2STR1215STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STR1215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 15 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 280hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STR1215STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 15V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 2501 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.04 EUR
31+ 0.84 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 25
2STR1215STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 15V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR1230STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
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2STR1230STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
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2STR1240STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
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2STR1240STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT Power Bipolar
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2STR1240STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 40V 1.5A SOT23
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2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR2160STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2STR2160
Produktcode: 114991		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STR2160STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER
auf Bestellung 41710 Stücke:
Lieferzeit 250-264 Tag (e)
45+1.16 EUR
54+ 0.97 EUR
100+ 0.69 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.44 EUR
3000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 45
2STR2160STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 1681 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.14 EUR
27+ 0.99 EUR
100+ 0.69 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 23
2STR2160STMТранз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=60V; Ic=1A; Pdmax=0,5W
auf Bestellung 2891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1.49 EUR
10+ 1.26 EUR
2STR2215STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 15V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2STR2215STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 15V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 9557 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
40+ 0.66 EUR
100+ 0.33 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2STR2230STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2STR2230STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 30V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STR2230STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLT TRAN
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 154-168 Tag (e)
47+1.11 EUR
60+ 0.87 EUR
108+ 0.48 EUR
1000+ 0.33 EUR
3000+ 0.29 EUR
9000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 47
2STR2230STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STR2230 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 560hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STR2230STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 30V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2STR2230STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1.5A; 500mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 70...560
Collector current: 1.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.24 EUR
380+ 0.19 EUR
425+ 0.17 EUR
495+ 0.15 EUR
520+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 300
2STR2230STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
31+ 0.86 EUR
100+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 24
2STR2230STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STR2230 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423300
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 560hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2STR2230STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1.5A; 500mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 70...560
Collector current: 1.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 2990 Stücke:
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300+0.24 EUR
380+ 0.19 EUR
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495+ 0.15 EUR
520+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 300
2STR2230STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 30V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR2230STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 30V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR2230STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STR2230 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 560hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 915 Stücke:
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2STR2240STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT Power Bipolar
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2STR2240STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 1.5A SOT23
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2STR2240STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
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2STW100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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64+2.46 EUR
69+ 2.12 EUR
100+ 1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 64
2STW100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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2STW100STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 80V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 246 Stücke:
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4+6.84 EUR
10+ 5.76 EUR
100+ 4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2STW100STMicroelectronicsDarlington Transistors Complementary Power Darlington Trans
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8+7.33 EUR
10+ 6.58 EUR
100+ 5.38 EUR
250+ 5.12 EUR
600+ 4.6 EUR
1200+ 3.87 EUR
3000+ 3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2STW100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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2STW100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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2STW1693STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 6A TO-247
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2STW1695STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 140V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
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2STW1695+2STW4468; 10A; 140V
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2STW200STMicroelectronicsDarlington Transistors Comp Darlington PWR 80V 25A 130W Trans
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2STW200STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 80V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 130 W
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2STW200STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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2STW200STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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2STW4466STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 6A TO-247
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2STW4468STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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2STW4468STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 140V 10A TO-247
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2STX1360STNPN 60V 3A 1W 130MHz 2STX1360 T2STX1360
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
2STX1360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
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2STX1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin TO-92 Bag
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2STX1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
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2STX1360-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Low voltage fast-switching NPN power transistors
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2STX1360-APSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO92AP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92AP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
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2STX2220STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 20V 1.5A TO-92
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