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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
2ST1480FPSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-220FP
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2ST1942TOS\AHIT01+ TO-3
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2ST2121STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 250V 17A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 250 W
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2ST2121STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 250V 17A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Bag
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2ST2121STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Power Transistor
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2ST243NEC05+ SOT-423
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2ST31705+ SOT-89
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2ST31ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Low voltage NPN Power Transistor
auf Bestellung 2611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.85 EUR
10+1.66 EUR
25+1.58 EUR
100+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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2ST31ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2ST31A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2ST31ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.64 EUR
50+1.25 EUR
100+1.11 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.80 EUR
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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2ST3412TOS\AHIT01+ TO-3
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2ST4C256STSOP
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2ST501TSTMicroelectronicsDarlington Transistors PWR BIP/S.SIGNAL
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.60 EUR
10+1.81 EUR
100+1.56 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
2000+1.19 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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2ST501TSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.85 EUR
50+1.87 EUR
100+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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2ST501TSTMicroelectronicsTrans Darlington NPN 350V 4A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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2ST5949STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 250V 17A TO-3
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2STA1694STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 120V 8A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.89 EUR
10+2.50 EUR
100+1.70 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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2STA1694STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 120V 8A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 80 W
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2STA1695STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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2STA1695STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans
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2STA1695STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 140V 10A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
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2STA1837STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 20 W
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2STA1943STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin TO-264 Tube
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2STA1943STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 230V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
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2STA1962STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans
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2STA1962STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 230V 15A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
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2STA1962STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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2STA2120STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STA2120STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 250V 17A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STA2120STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.19 EUR
10+2.15 EUR
100+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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2STA2120STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Power Transistor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STA2121STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 250V 17A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-264
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 220 W
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.23 EUR
10+6.07 EUR
100+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STA2121STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 250V 17A 220000mW 3-Pin TO-264 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STA2510STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 12A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STB095
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STB118PM-TMIT2002
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STB121PM-T
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STB123PPOMRON2002
auf Bestellung 3840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STB123PPOMRON01+ DIP20
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STB54910PM-TRENESAS0420+ SOP-20
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STB54910PM-TRENESAS0420+
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STBN15D100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 12A 70000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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2STBN15D100STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 12A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 4mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 70 W
auf Bestellung 4701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.31 EUR
10+2.11 EUR
100+1.42 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STBN15D100STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STBN15D100 - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 750hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STBN15D100STMicroelectronicsDarlington Transistors Low Volt NPN Darlington Trans
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.29 EUR
10+1.63 EUR
100+1.23 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.90 EUR
2000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STBN15D100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 12A 70000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STBN15D100STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 4mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 70 W
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.03 EUR
2000+0.95 EUR
3000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STBN15D100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 12A 70000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STBN15D100T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 12A 70000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STBN15D100T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 4mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 70 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STC2510STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 25A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 12A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STC4467STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High power NPN Bipolar transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STC4467STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 120V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STC4467STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 120V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STC4467Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STC4467STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 120V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STC4467STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 120V 8A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 80 W
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2STC4468STM
auf Bestellung 19560 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2STC4468STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High Pwr NPN BiPolar Trans
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2STC4468STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 140V 10A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
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2STC4468onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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2STC4468STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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2STC4793STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 230V 1A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 20 W
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2STC4793STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power 230V 100 MHz 2STA1837
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2STC5200STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin TO-264 Tube
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2STC5200STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 230V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
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2STC5242STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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2STC5242STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 230V 15A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
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2STC5242STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High PWR NPN 230V 30 MHz 2STA1962
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2STC5948STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 250V 17A TO-3P
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2STC5949STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 250V 17A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-264
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 220 W
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2STC5949STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High PWR NPN planar bipolar trans
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2STD09PAU99B30XCONECD-Sub Standard Connectors 9P M R/A WATER RES 4-40 INSERTS
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2STD09PAU99R40XCONECD-Sub Standard Connectors 9P M R/A .370 WTR. RESISTANT M.BRKT 4-40 INS/CLIP
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2STD09SAU99B30XCONECD-Sub Standard Connectors 9P F WATER RES. R/A
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2STD09SAU99R40XCONECD-Sub Standard Connectors 9P F R/A .370 WTR. RESISTANT M.BRKT 4-40 INS/CLIP
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2STD1360T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 15 W
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2STD1360T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2STD1360T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 15 W
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2STD15SAU99B30XCONECD-Sub Standard Connectors 15P F WATER RES. R/A
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2STD15SAU99R40XCONECD-Sub Standard Connectors 15P F R/A .370 WTR. RESISTANT M.BRKT 4-40 INS/CLIP
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2STD1665STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
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2STD1665T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 65V 6A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2STD1665T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 65V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.56 EUR
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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2STD1665T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT 150V Vcbo 65V Vceo 6A NPN Low Voltage
auf Bestellung 15203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.49 EUR
10+1.29 EUR
100+0.90 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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2STD1665T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 65V 6A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2STD1665T4STMicroelectronics2STD1665T4 NPN SMD transistors
auf Bestellung 1618 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
162+0.44 EUR
173+0.41 EUR
12500+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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2STD1665T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STD1665T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 320hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2STD1665T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 65V 6A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2STD1665T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 65V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 8828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.48 EUR
14+1.28 EUR
100+0.89 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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2STD2360T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A DPAK
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2STD2360T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A DPAK
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2STD2360T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A DPAK
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2STF1340STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT-89
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2STF1340
Produktcode: 59176
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2STF1340STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT-89
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2STF1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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2STF1360
Produktcode: 185994
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2STF1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF1360STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
Current gain: 80...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
125+0.57 EUR
144+0.50 EUR
167+0.43 EUR
174+0.41 EUR
200+0.36 EUR
463+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.30 EUR
7500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF1360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STF1360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1.4 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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2STF1360RectronBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF1360STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
Current gain: 80...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+0.73 EUR
125+0.57 EUR
144+0.50 EUR
167+0.43 EUR
174+0.41 EUR
200+0.36 EUR
463+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF1360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
auf Bestellung 5169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.34 EUR
10+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.27 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 8122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.36 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF1360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STF1360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1.4 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF1525STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF1550STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 50V 5A SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF1550STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 50V 5A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF1550STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 50V 5A SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF166PM
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2STF2220STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 20V 1.5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.4 W
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2STF2220STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 20V 1.5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.4 W
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2STF2280STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP LV High Perf PWR Trans - 80V
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2STF2280STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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652+0.23 EUR
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2STF2280STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2STF2340STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT-89
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2STF2340STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT-89
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2STF2340
Produktcode: 59174
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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2STF2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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614+0.24 EUR
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2STF2360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STF2360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1.4 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6612 Stücke:
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2STF2360
Produktcode: 188005
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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2STF2360STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 5016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.39 EUR
21+0.86 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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2STF2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2STF2360STMicroelectronics2STF2360-ST PNP SMD transistors
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100+0.72 EUR
260+0.28 EUR
275+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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2STF2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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198+0.75 EUR
261+0.55 EUR
264+0.52 EUR
361+0.37 EUR
365+0.35 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 198
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2STF2360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STF2360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1.4 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6612 Stücke:
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2STF2360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor
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3+1.02 EUR
10+0.71 EUR
100+0.55 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.30 EUR
10000+0.27 EUR
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2STF2360STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.34 EUR
5000+0.31 EUR
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2STF2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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2STF2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2STF2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2STF2550STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LV high performance PNP power transistor
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5+0.65 EUR
10+0.56 EUR
100+0.42 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.30 EUR
2500+0.25 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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2STF2550STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 50V 5A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2STF2550STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 50V 5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
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2500+0.32 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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2STF2550STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 50V 5A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2STF2550STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STF2550 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 1.4 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF2550STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 50V 5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 11684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.32 EUR
22+0.82 EUR
100+0.53 EUR
500+0.40 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF2550STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 50V 5A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF2550STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 50V 5A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STF474WPOMRONDIP18
auf Bestellung 22 Stücke:
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2STFS747512S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures SLOPE TOP 2DR FREEST 316SS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STFS747512SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures SLOPE TOP 2DR FREEST 304SS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STFS747518S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Freestanding Encl w/panel - 74 x 75 x 18 - 316SS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STFS747518SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Freestanding Encl w/panel - 74 x 75 x 18 - 304SS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STFS747524S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Freestanding Encl w/panel - 74 x 75 x 24 - 316SS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STFS747524SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Freestanding Encl w/panel - 74 x 75 x 24 - 304SS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STFSD747512S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures SLOPE TOP 2DR FS DISC 316SS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STFSD747512SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures SLOPE TOP 2DR FS DISC 304SS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STFSD747518S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Disconnect Encl w/panel - 74 x 75 x 18 - 316SS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STFSD747518SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Disconnect Encl w/panel - 74 x 75 x 18 - 304SS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STFSD747524S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Disconnect Encl w/panel - 74 x 75 x 24 - 316SS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STFSD747524SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Disconnect Encl w/panel - 74 x 75 x 24 - 304SS
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2STG140PMD-GAIPHONESOP
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STG141PMJRC2004 SSOP
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STL1360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LoVltg FastSwtch npn Pwr bipolar trans
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2STL1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO92L
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92L
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
Produkt ist nicht verfügbar
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2STL1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin TO-92L Bag
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2STL1360Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STL1525STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin TO-92L Bag
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
998+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 998
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STL1525STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Trans PB-HCD 25V VCEO 5A IC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STL1525STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin TO-92L Bag
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
998+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 998
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STL1525STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 25V 5A TO92L
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92L
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STL1525-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT 25V Vceo 5A NPN High Gain Switching
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STL1525-DHSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Low voltage high performance NPN power transistor, IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
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2STL1550STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Transistors, Power Bipolar, Low Voltage - High Per, IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STL2580STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1A TO92MOD
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92MOD
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STL2580STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High Volt NPN Trans 800V Vces 400V Vceo
Produkt ist nicht verfügbar
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2STL2580-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High voltage fast-switching NPN power transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STL2580-APSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 1A 1500mW 3-Pin TO-92 Mod Loose
Produkt ist nicht verfügbar
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2STL2580-APSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92MOD
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
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2STN1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 4190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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2STN1360STTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 2STN1360 T2STN1360
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN1360STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Current gain: 80...400
auf Bestellung 1255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+0.86 EUR
124+0.58 EUR
153+0.47 EUR
341+0.21 EUR
360+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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2STN1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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2STN1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.33 EUR
2000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2STN1360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN1360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 280hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2STN1360onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.38 EUR
2000+0.35 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.33 EUR
2000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN1360STTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 2STN1360 T2STN1360
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN1360STTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 2STN1360 T2STN1360
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.28 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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2STN1360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
auf Bestellung 13811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.90 EUR
10+0.78 EUR
100+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.34 EUR
2000+0.29 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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2STN1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.28 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN1360STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Current gain: 80...400
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
124+0.58 EUR
153+0.47 EUR
341+0.21 EUR
360+0.20 EUR
4000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN1550STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 50V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN1550STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 50V 5A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 50275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.55 EUR
19+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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2STN1550STMicroelectronics2STN1550 NPN SMD transistors
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.10 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN1550STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 50V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN1550STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN1550 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN1550STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 50V 5A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 49000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.35 EUR
2000+0.31 EUR
3000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN1550STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN1550 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN1550STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
auf Bestellung 10907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.95 EUR
10+0.67 EUR
100+0.48 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2340STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2340STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2360STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2360STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2540STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 40V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2540STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN2540 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2540STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Power Bipolar Transistors
auf Bestellung 18604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.70 EUR
100+0.53 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.34 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2540STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.40 EUR
2000+0.37 EUR
3000+0.35 EUR
5000+0.33 EUR
7000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2540STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 40V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2540STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 40V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2540STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 40V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2540STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN2540 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2540STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 7407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.21 EUR
22+0.81 EUR
100+0.56 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2540STMicroelectronics2STN2540 PNP SMD transistors
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
134+0.54 EUR
261+0.27 EUR
275+0.26 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2540-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2550STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 50V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2550STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LV high performance PNP power transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STN2780STMicroelectronicsSTMicroelectronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STP535FPSTMicroelectronicsTrans Darlington NPN 180V 8A 37000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STP535FPSTM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STP535FPSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 180V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 37 W
auf Bestellung 899 Stücke:
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2STP535FPSTMicroelectronicsTrans Darlington NPN 180V 8A 37000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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2STP535FPSTMicroelectronicsTrans Darlington NPN 180V 8A 37000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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2STP535FPSTMicroelectronicsDarlington Transistors PWR BIP/S.SIGNAL
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2STR1160STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR1160onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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2STR1160STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
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2STR1160STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR1160STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR1160STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Low-Volt Fast Switch NPN Pwr Tran
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1000+0.40 EUR
3000+0.33 EUR
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24000+0.15 EUR
45000+0.14 EUR
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2STR1160STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
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2STR1160
Produktcode: 114990
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2STR1160STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR1215STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STR1215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 15 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 280hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2STR1215STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 15V 1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 500 mW
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2STR1215
Produktcode: 210960
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2STR1215STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 15V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR1215STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Lo Vltg FAST SWITCH Hi GAIN PNP
auf Bestellung 14984 Stücke:
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100+0.29 EUR
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3000+0.17 EUR
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2STR1215STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STR1215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 15 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 280hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1705 Stücke:
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2STR1215STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 15V 1.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 1630 Stücke:
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22+0.81 EUR
36+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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2STR1230STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR1230STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
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2STR1230STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN power transistor
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2STR1230STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
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2STR1240STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT Power Bipolar
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2STR1240STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 40V 1.5A SOT23
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2STR1240STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
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2STR2160
Produktcode: 114991
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2STR2160STMТранз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=60V; Ic=1A; Pdmax=0,5W
auf Bestellung 2881 Stücke:
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1+1.41 EUR
10+1.20 EUR
100+1.06 EUR
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2STR2160STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STR2160 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STR2160STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.30 EUR
6000+0.28 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2STR2160STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER
auf Bestellung 33177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.62 EUR
100+0.45 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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2STR2160STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STR2160 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STR2160STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 11876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.28 EUR
23+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STR2215STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 15V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 9557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
40+0.45 EUR
100+0.23 EUR
500+0.20 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STR2215STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 15V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STR2230STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 30V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STR2230STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 30V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STR2230STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLT TRAN
auf Bestellung 10352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.57 EUR
100+0.30 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.20 EUR
9000+0.18 EUR
24000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STR2230STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 30V 1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STR2230STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 30V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STR2230STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 30V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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2STR2230STMicroelectronics2STR2230 PNP SMD transistors
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
492+0.15 EUR
520+0.14 EUR
30000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 132
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2STR2230STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STR2230 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 560hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2STR2230STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 30V 1.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 8534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
29+0.63 EUR
100+0.40 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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2STR2240STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
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2STR2240STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
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2STR2240STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 1.5A SOT23
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2STW100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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2STW100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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2STW100STMicroelectronicsDarlington Transistors Complementary Power Darlington Trans
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2STW100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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2STW100STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 80V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 236 Stücke:
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2STW100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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2STW1693STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 6A TO-247
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2STW1695STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 140V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
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2STW1695+2STW4468; 10A; 140V
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2STW200STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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2STW200STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 80V 25A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 130 W
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2STW200STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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2STW200STMicroelectronicsDarlington Transistors Comp Darlington PWR 80V 25A 130W Trans
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2STW4466STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 6A TO-247
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2STW4468STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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2STW4468STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 140V 10A TO-247
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2STX1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin TO-92 Bag
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2STX1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
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2STX1360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
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2STX1360STNPN 60V 3A 1W 130MHz 2STX1360 T2STX1360
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 380 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 300
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2STX1360-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Low voltage fast-switching NPN power transistors
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2STX1360-APSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO92AP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92AP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
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2STX2220STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 20V 1.5A TO-92
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