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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
2V7002Konsemionsemi NFET SOT23 60V 115MA 7MO
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2V7002KT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2V7002KT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2V7002KT1GonsemiMOSFET NFET 60V 115MA 7MO
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9000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 75
2V7002KT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
2V7002KT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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2V7002KT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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2V7002KT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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3226+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 954
2V7002KT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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35+0.75 EUR
51+ 0.52 EUR
104+ 0.25 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35
2V7002KT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2V7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
auf Bestellung 135428 Stücke:
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2V7002KT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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518+0.3 EUR
587+ 0.26 EUR
695+ 0.21 EUR
1306+ 0.11 EUR
1320+ 0.1 EUR
1332+ 0.096 EUR
1825+ 0.067 EUR
3226+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 518
2V7002KT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+ 0.12 EUR
9000+ 0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2V7002KT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2V7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
auf Bestellung 135428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2V7002KT1G 704ON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SOT-23 2V7002KT1G T2V7002K
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200
2V7002LT1ON SemiconductorSmall Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
2V7002LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2V7002LT1GON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 2V7002LT1G T2V7002
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2V7002LT1G
Produktcode: 154370		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
2V7002LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.115A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7.5Ω
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
360+0.2 EUR
700+ 0.1 EUR
790+ 0.091 EUR
910+ 0.079 EUR
965+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 360
2V7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2V7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2V7002LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 7553 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+0.99 EUR
33+ 0.8 EUR
100+ 0.42 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 27
2V7002LT1GonsemiMOSFET NFET 60V 115MA 7.5O
auf Bestellung 206323 Stücke:
Lieferzeit 740-754 Tag (e)
53+0.99 EUR
67+ 0.78 EUR
154+ 0.34 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 53
2V7002LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.115A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7.5Ω
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.2 EUR
700+ 0.1 EUR
790+ 0.091 EUR
910+ 0.079 EUR
965+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 360
2V7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2V7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2V7002LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2V7002LT3GON SemiconductorMOSFET NFET 60V 115MA 7.5O
auf Bestellung 26128 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2V7002LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.96 EUR
40+ 0.66 EUR
100+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2V7002Wonsemionsemi NFET SC70 60V 115MA 7OHM
Produkt ist nicht verfügbar
2V7002WT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
2V7002WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2V7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.19 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 280mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 31390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2V7002WT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2V7002WT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
2V7002WT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.4A; 0.28W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
2V7002WT1GonsemiMOSFET NFET 60V 115MA 7OHM
auf Bestellung 25325 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
62+0.85 EUR
87+ 0.6 EUR
137+ 0.38 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 62
2V7002WT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.4A; 0.28W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2V7002WT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2V7002WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2V7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.19 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 280mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 31390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2V7002WT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar