Produkte > B2M

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
B2M-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 1P 200V 500MA MBM
auf Bestellung 5556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M-E3/45VishayDiode Rectifier Bridge Single 200V 0.5A 4-Pin Case MBM Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M-E3/45Vishay General SemiconductorBridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
auf Bestellung 8935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.21 EUR
10+1.08 EUR
100+0.74 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M-E3/45VISHAYB2M-E3/45 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
203+0.35 EUR
340+0.21 EUR
360+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 203
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M032120YBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Case: TO247PLUS-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.05 EUR
5+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M032120YBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Case: TO247PLUS-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.05 EUR
5+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M035120YPBASiC SEMICONDUCTORB2M035120YP THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.10 EUR
7+10.54 EUR
30+10.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.10 EUR
7+10.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120RBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.93 EUR
7+10.25 EUR
30+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120RBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Mounting: SMD
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.93 EUR
7+10.25 EUR
30+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120ZBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120ZBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M2S-DPanduitWire Labels & Markers MKR Tie Metal Barb 8.0L (203mm) S
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+2.52 EUR
100+2.46 EUR
250+2.45 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.18 EUR
2500+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M2S-DPanduit CorpDescription: MARKER TIE NATURAL 50LB 8"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg)
Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie
Width: 0.185" (4.70mm)
Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm)
Part Status: Active
Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00")
Length - Approximate: 8"
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M2S-D0Panduit CorpDescription: MARKER TIE BLACK 50LB 8"
Features: Weather Resistant
Packaging: Bulk
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg)
Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie
Width: 0.185" (4.70mm)
Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm)
Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00")
Length - Approximate: 8"
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M2S-D0PanduitCable Ties MKR Tie Metal Barb 8.0L (203mm) S
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2MA4.5ZNAIS07+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH