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Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||||
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FDI025N06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI025N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 265A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI030N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI030N06 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI030N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI030N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI030N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI030N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET NCH 60V 3.0Mohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI038AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI038AN06A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | auf Bestellung 1432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI038AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDI038AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V 80a 0.0038 Ohms/VGS=10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI038AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI038AN06A0 | ON Semiconductor | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
FDI038AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 80 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 310 Bauform - Transistor: I2PAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Power Trench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI038AN06A0_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI038AN06A0_NL | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI038AN06A0_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI040N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI040N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 168A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI040N06 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V | auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI045N10A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI045N10A-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V | auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI045N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI045N10A-F102 | ON Semiconductor | auf Bestellung 9900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
FDI045N10A-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI045N10A-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI045N10A-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI045N10A-F102 | ONSEMI | FDI045N10A-F102 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI047AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI047AN08A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI047AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI047AN08A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | auf Bestellung 787 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI10-250L | 3M | Quick Disconnect Terminal 10-12AWG F Bag | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDI10-250Q | 3M | Quick Disconnect Terminal 10-12AWG Yellow F Bag | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI10-250Q | 3M | Quick Disconnect Terminal 10-12AWG Yellow F Bag | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI10-250Q | 3M | Quick Disconnect Terminal 10-12AWG Yellow F Bag | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDI10-250Q | 3M | Description: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC Packaging: Bulk Gender: Female Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.990" (25.15mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.250" (6.35mm) Contact Material: Brass Part Status: Active | auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI10-250Q | 3M | Description: 3M - FDI10-250Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.25", CRIMP, YEL tariffCode: 85369010 Isoliermaterial: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032" usEccn: EAR99 Leiterstärke (AWG), max.: 10AWG Leiterquerschnitt CSA: - euEccn: NLR Klemmentyp: Female Quick Disconnect Isolatorfarbe: Yellow Leiterstärke (AWG), min.: 12AWG Produktpalette: Highland Series productTraceability: No Anschlussmaterial: Brass directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI1394P11AEC | PHI | auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
FDI14-187Q | 3M | Quick Disconnect Terminal 14-16AWG Blue F 20.57mm Bag | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI14-187Q | 3M | Description: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS Packaging: Bulk Features: Butted Seam Gender: Female Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.810" (20.57mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.020" (0.51mm) Tab Width: 0.187" (4.75mm) Contact Material: Brass Part Status: Active | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI14-187Q | 3M Electronic Specialty | Terminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI14-187Q | 3M | Description: 3M - FDI14-187Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.187", CRIMP, BLUE tariffCode: 85366990 Isoliermaterial: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Flachsteckergröße - Metrisch: 4.75mm x 0.51mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Flachsteckergröße - Imperial: 0.187" x 0.02" usEccn: EAR99 Leiterstärke (AWG), max.: 14AWG Leiterquerschnitt CSA: - euEccn: NLR Klemmentyp: Female Quick Disconnect Isolatorfarbe: Blue Leiterstärke (AWG), min.: 16AWG Produktpalette: Highland Series productTraceability: No Anschlussmaterial: Brass directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI14-250C | 3M | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250 Features: Butted Seam Packaging: Bulk Gender: Female Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.870" (22.10mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.250" (6.35mm) Contact Material: Brass | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI14-250C | 3M | Quick Disconnect Terminal 14-16AWG Brass F 25.14mm Tin Bag | auf Bestellung 102948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDI14-250Q | 3M Electronic Specialty | Terminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI14-250Q | 3M | Description: 3M - FDI14-250Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.25", CRIMP, BLUE tariffCode: 85369010 Isoliermaterial: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032" usEccn: EAR99 Leiterstärke (AWG), max.: 0 Leiterquerschnitt CSA: - euEccn: NLR Klemmentyp: Female Quick Disconnect Isolatorfarbe: Blue Leiterstärke (AWG), min.: 16AWG Produktpalette: Highland Series productTraceability: No Anschlussmaterial: Brass directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI14-250Q | 3M | Disconnect Terminal 14-16AWG Brass Blue F 22.09mm Tin Bag | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI14-250Q | 3M | Description: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC Packaging: Bulk Features: Butted Seam Gender: Female Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.870" (22.10mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.250" (6.35mm) Contact Material: Brass Part Status: Active | auf Bestellung 2105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI150N10 | ONSEMI | FDI150N10 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI150N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V | auf Bestellung 10351 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI150N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench | auf Bestellung 356 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI150N10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI150N10 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI150N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI150N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI18-187Q | 3M Electronic Specialty | Terminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI18-187Q | 3M | Description: 3M - FDI18-187Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.187", CRIMP, RED Isoliermaterial: Nylon (Polyamide) Flachsteckergröße - Metrisch: 4.75mm x 0.51mm Flachsteckergröße - Imperial: 0.187" x 0.02" Leiterstärke (AWG), max.: 18 Leiterquerschnitt CSA: - Klemmentyp: Female Quick Disconnect Isolatorfarbe: Red Leiterstärke (AWG), min.: 22 Produktpalette: Highland Series Anschlussmaterial: Brass SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI18-187Q | 3M | Disconnect Terminal 18-22AWG Brass F 22.09mm Tin Bag | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI18-187Q | 3M | Description: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS Packaging: Bulk Features: Butted Seam Gender: Female Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.810" (20.57mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.020" (0.51mm) Tab Width: 0.187" (4.75mm) Contact Material: Brass Part Status: Active | auf Bestellung 1655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI18-250Q | 3M | Quick Disconnect Terminal 18-22AWG F 22.09mm Bag | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI18-250Q | 3M | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250 Features: Butted Seam Packaging: Bulk Gender: Female Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.870" (22.10mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.250" (6.35mm) Contact Material: Brass Part Status: Active | auf Bestellung 3386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI18-250Q | 3M Electronic Specialty | Terminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI18-250Q | 3M | Description: 3M - FDI18-250Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.25", CRIMP, RED tariffCode: 85369010 Isoliermaterial: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032" usEccn: EAR99 Leiterstärke (AWG), max.: 18AWG Leiterquerschnitt CSA: - euEccn: NLR Klemmentyp: Female Quick Disconnect Isolatorfarbe: Red Leiterstärke (AWG), min.: 22AWG Produktpalette: Highland Series productTraceability: No Anschlussmaterial: Brass directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI2-ALLIN1-02-B | GEMBIRD | Category: Computer Adapters Description: Card reader: memory; fits in 3,5" drive bay,internal supplied Kind of card: CF; CF Type I; CF Type II; M2; microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; SD; SDHC; SDXC; XD PC accessories features: fits in 3,5" drive bay; internal supplied Type of memory card reader: memory Communication with PC: USB Colour: black | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDI2-ALLIN1-02-B | GEMBIRD | Category: Computer Adapters Description: Card reader: memory; fits in 3,5" drive bay,internal supplied Kind of card: CF; CF Type I; CF Type II; M2; microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; SD; SDHC; SDXC; XD PC accessories features: fits in 3,5" drive bay; internal supplied Type of memory card reader: memory Communication with PC: USB Colour: black Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDI2-ALLIN1-03 | GEMBIRD | Category: Computer Adapters Description: Card reader: memory; fits in 2,5" drive bay,internal supplied PC accessories features: fits in 2,5" drive bay; internal supplied Kind of card: microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; MS Pro Duo; SD; SDHC; SDXC; XD Type of memory card reader: memory Communication with PC: USB Colour: black Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDI2-ALLIN1-03 | GEMBIRD | Category: Computer Adapters Description: Card reader: memory; fits in 2,5" drive bay,internal supplied PC accessories features: fits in 2,5" drive bay; internal supplied Kind of card: microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; MS Pro Duo; SD; SDHC; SDXC; XD Type of memory card reader: memory Communication with PC: USB Colour: black | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDI2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI2532 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI33N25TU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI33N25TU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK (TO-262) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI3632 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI3652 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI40KIT 838362 | Intel | Description: SOFTWARE TOOL KIT FDI40KIT BDL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI8441 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI8441 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 34800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI8441 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI8441-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 26A Automotive 3-Pin TO-262AB Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI8441_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI8442 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI8442 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI9406 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI9406 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI9406 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 110A Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 469 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI9406-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: FDI9406 - N-CHANNEL POWERTRENCH Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK (TO-262) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI9406-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V, 110A, 2.2m Ohm NChannel PowerTrench | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI9406_F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI9406_F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI9406_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: 110A, 40V, 0.0022OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI9409-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET | auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI9409-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: FDI9409 - N-CHANNEL POWERTRENCH Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK (TO-262) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDI9409-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDI9409-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI9409-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |