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FDI025N06onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI025N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 265A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI030N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI030N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI030N06 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI030N06onsemi / FairchildMOSFET NCH 60V 3.0Mohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI038AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: I2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI038AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
90+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI038AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs 60V 80a 0.0038 Ohms/VGS=10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI038AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI038AN06A0ON Semiconductor
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+5.81 EUR
500+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI038AN06A0_NLONSEMIDescription: ONSEMI - FDI038AN06A0_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI038AN06A0_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
69+7.77 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI040N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI040N06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
142+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI045N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI045N10Aonsemi FET 100V 4.5 MOHM TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI045N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI045N10A-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI045N10A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 263W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Power dissipation: 263W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 656A
Gate charge: 54nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI045N10A-F102ON Semiconductor
auf Bestellung 9900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI045N10A-F102onsemiMOSFETs N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.29 EUR
10+7.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI045N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.09 EUR
50+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI047AN08A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
98+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI047AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI047AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI10-250L3MQuick Disconnect Terminal 10-12AWG F Bag
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+141.47 EUR
10+51.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI10-250Q3MDescription: 3M - FDI10-250Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.25", CRIMP, YEL
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Leiterstärke (AWG), max.: 10AWG
Leiterstärke (AWG), min.: 12AWG
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+52.03 EUR
10+43.86 EUR
25+39.5 EUR
50+36.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI10-250Q3MQuick Disconnect Terminal 10-12AWG Yellow F Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI10-250Q3MQuick Disconnect Terminal 10-12AWG Yellow F Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI10-250Q3MQuick Disconnect Terminal 10-12AWG Yellow F Bag
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.25 EUR
30+24.16 EUR
50+22.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI10-250Q3MDescription: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC
Packaging: Bulk
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.990" (25.15mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
15+1.42 EUR
25+1.32 EUR
50+1.26 EUR
100+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI1394P11AECPHI
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI14-187Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.68 EUR
10+23.26 EUR
20+20.72 EUR
50+16.21 EUR
100+15.62 EUR
200+14.79 EUR
500+14.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI14-187Q3MQuick Disconnect Terminal 14-16AWG Blue F 20.57mm Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI14-187Q3MDescription: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS
Part Status: Active
Contact Material: Brass
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Tab Thickness: 0.020" (0.51mm)
Termination: Crimp
Length - Overall: 0.810" (20.57mm)
Terminal Type: Standard
Insulation: Fully Insulated
Wire Gauge: 14-16 AWG
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Color: Blue
Contact Finish: Tin
Gender: Female
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
20+1.06 EUR
30+0.99 EUR
50+0.95 EUR
100+0.9 EUR
250+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI14-187Q3MDescription: 3M - FDI14-187Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.187", CRIMP, BLUE
tariffCode: 85366990
Isoliermaterial: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 4.75mm x 0.51mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.187" x 0.02"
usEccn: EAR99
Leiterstärke (AWG), max.: 14AWG
Leiterquerschnitt CSA: -
euEccn: NLR
Klemmentyp: Female Quick Disconnect
Isolatorfarbe: Blue
Leiterstärke (AWG), min.: 16AWG
Produktpalette: Highland Series
productTraceability: No
Anschlussmaterial: Brass
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI14-250C3MQuick Disconnect Terminal 14-16AWG Brass F 25.14mm Tin Bag
auf Bestellung 102948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.88 EUR
32+5.49 EUR
100+2.44 EUR
250+1.29 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI14-250C3MDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI14-250Q3MDescription: 3M - FDI14-250Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.25", CRIMP, BLUE
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Leiterstärke (AWG), max.: 14AWG
Leiterstärke (AWG), min.: 16AWG
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI14-250Q3MDisconnect Terminal 14-16AWG Brass Blue F 22.09mm Tin Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI14-250Q3MDescription: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
auf Bestellung 7938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
18+1.18 EUR
25+1.11 EUR
50+1.05 EUR
100+1 EUR
250+0.94 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI14-250Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
Produkt ist nicht verfügbar
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FDI150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FDI150N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.47 EUR
50+3.26 EUR
100+2.95 EUR
500+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDI150N10onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
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FDI150N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI150N10 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FDI18-187Q3MDescription: 3M - FDI18-187Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.187", CRIMP, RED
Isoliermaterial: Nylon (Polyamide)
Flachsteckergröße - Metrisch: 4.75mm x 0.51mm
Flachsteckergröße - Imperial: 0.187" x 0.02"
Leiterstärke (AWG), max.: 18
Leiterquerschnitt CSA: -
Klemmentyp: Female Quick Disconnect
Isolatorfarbe: Red
Leiterstärke (AWG), min.: 22
Produktpalette: Highland Series
Anschlussmaterial: Brass
SVHC: To Be Advised
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDI18-187Q3MDisconnect Terminal 18-22AWG Brass F 22.09mm Tin Bag
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDI18-187Q3MDescription: CONN QC RCPT 18-22 RED 1=1PC
Part Status: Active
Contact Material: Brass
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Tab Thickness: 0.020" (0.51mm)
Termination: Crimp
Length - Overall: 0.810" (20.57mm)
Terminal Type: Standard
Insulation: Fully Insulated
Wire Gauge: 18-22 AWG
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Color: Red
Contact Finish: Tin
Gender: Female
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
19+1.15 EUR
25+1.08 EUR
50+1.02 EUR
100+0.98 EUR
250+0.92 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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FDI18-187Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+26.76 EUR
10+22.38 EUR
50+21.86 EUR
100+20.81 EUR
200+18.98 EUR
500+17.75 EUR
1000+16.29 EUR
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FDI18-250Q3MQuick Disconnect Terminal 18-22AWG F 22.09mm Bag
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI18-250Q3MDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
auf Bestellung 3386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
20+1.06 EUR
25+1 EUR
50+0.95 EUR
100+0.9 EUR
300+0.83 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI18-250Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.4 EUR
10+28.11 EUR
20+24.48 EUR
50+22.73 EUR
100+20.81 EUR
200+18.99 EUR
500+17.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI2-ALLIN1-03GEMBIRDCategory: Computer Adapters
Description: Card reader: memory; fits in 2,5" drive bay,internal supplied
Colour: black
PC accessories features: fits in 2,5" drive bay; internal supplied
Communication with PC: USB
Type of memory card reader: memory
Kind of card: microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; MS Pro Duo; SD; SDHC; SDXC; XD
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDI2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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FDI33N25TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
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FDI3632Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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FDI3652Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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FDI40KIT 838362IntelDescription: SOFTWARE TOOL KIT FDI40KIT BDL
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FDI8441Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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FDI8441ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI8441 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 34800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
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FDI8441_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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FDI8442Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262
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FDI8442ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
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FDI9406ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI9406 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
196+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 196 Stücke
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FDI9406Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 110A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
143+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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FDI9406-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V, 110A, 2.2m Ohm NChannel PowerTrench
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDI9406-F085Fairchild SemiconductorDescription: FDI9406 - N-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
152+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI9406_F085Fairchild SemiconductorDescription: 110A, 40V, 0.0022OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
157+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI9406_F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI9406_F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
277+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 277 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI9409-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI9409-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI9409-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI9409-F085Fairchild SemiconductorDescription: FDI9409 - N-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
178+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI9409-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH