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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FJN08K-N1B10KFavor ElectronicsDescription: POTENTIO JOYSTICK 2D 10K20%
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.0125W
Tolerance: ±20%
Adjustment Type: Top Adjustment
Size / Dimension: Square - 0.787" L x 0.787" W x 0.197" H (20.00mm x 20.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Axis: 1
Resistance: 10 kOhms
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FJN10K-N1B10K01FavorelectronicsDescription: POTENTIO JOYSTICK 3D 10K20%
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FJN10K-S1B10K298NFavorelectronicsDescription: POTENTIO JOYSTICK 3D 10K20%
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FJN13003BUonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.1 W
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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FJN13003MTAfairchildTO-92 2004
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FJN13003TAFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.1 W
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1514+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1514 Stücke
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FJN13003TAonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.1 W
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FJN3301RBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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FJN3301RTAON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FJN3301RTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92
auf Bestellung 1636110000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FJN3301RTAON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 4446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FJN3301RTAONSEMIDescription: ONSEMI - FJN3301RTA - FJN3301RTA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10688 Stücke
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FJN3301RTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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FJN3302RBUON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
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 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
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FJN3302RBUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/10K 10K
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FJN3302RTAON SemiconductorNPN EPITAXIAL SILICON TRANSIST
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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FJN3302RTAON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.3W TO92-3
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FJN3302RTAON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.3W TO92-3
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 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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FJN3302RTAON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
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FJN3303BUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
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FJN3303BUonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
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FJN3303Fonsemionsemi NPN/1.5A/700V TO-92
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FJN3303FBUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN, 700V/1.5A
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FJN3303FBUonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
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FJN3303FBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 650mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FJN3303FBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 650mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FJN3303FTAonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
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FJN3303FTAonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Hi Volt Fast Switch NPN Power Transistor
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FJN3303FTAonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
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FJN3303FTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 650mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FJN3303Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased NPN/50V/100MA/22K 22K
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FJN3303RBUON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-92 Bulk
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FJN3303RBUonsemi / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/22K 22K
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FJN3303RBUonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
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FJN3303RBU_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/22K 22K
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FJN3303RTAON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FJN3303RTAON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FJN3303RTAonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
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FJN3303RTAonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
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FJN3303RTAONSEMIDescription: ONSEMI - FJN3303RTA - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 22
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FJN3303RTAFairchild SemiconductorDescription: 0.1A, 50V, NPN, TO-92
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FJN3303TAonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
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FJN3303TAFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
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FJN3303TAonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
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FJN3304RBUON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
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 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
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FJN3304RBUONSEMIDescription: ONSEMI - FJN3304RBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 54050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13889+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 13889 Stücke
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FJN3304RBUonsemiDigital Transistors 50V/100mA/47K 47K
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FJN3304RBUON SemiconductorFJN3304RBU
auf Bestellung 44050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
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FJN3304RTARochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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FJN3305RBUonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
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FJN3305RTAON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 11775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FJN3305RTAON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FJN3305RTA
Produktcode: 119588
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3305RTAonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3305RTAonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3306RBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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FJN3306RTARochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3307RBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3307RTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3308RBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3308RTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3309RBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3309RTARochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3310RBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3310RTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 222662 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9458+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 9458 Stücke
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FJN3311RBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3311RTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3312RBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3312RTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3313RBUON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3313RTAON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 16000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3314RBUonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3314RTAonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3314RTAonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3314RTAonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3314RTAON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 4870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJN3314RTAON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FJN3315RBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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FJN3315RTAON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
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FJN4301RBUON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
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FJN4301RBUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/4.7K 4.7K
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FJN4301RTAON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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FJN4301RTAonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 300 mW
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FJN4301RTAON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased PNP Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 15450 Stücke:
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FJN4302RBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
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FJN4302RTAON SemiconductorPNP/50V/100MA/10K 10K
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FJN4302RTAON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased PNP Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 1435 Stücke:
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FJN4302RTAON SemiconductorPNP/50V/100MA/10K 10K
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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FJN4302RTAonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
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FJN4303RBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 20000 Stücke:
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7869+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
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FJN4303RTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 101186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 11539 Stücke
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FJN4303RTAON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased PNP Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 1631 Stücke:
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FJN4303RTAON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 125 Stücke:
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FJN4303RTA-ONRochester Electronics, LLCDescription: 0.1A, 50V, PNP, TO-92
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
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FJN4304RBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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FJN4304RTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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FJN4305RBUonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
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FJN4305RTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 126441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6045+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 6045 Stücke
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FJN4305RTAFAIRCHIL03+ BGA
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FJN4305RTAONSEMIDescription: ONSEMI - FJN4305RTA - FJN4305RTA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 293426 Stücke:
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3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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