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HS8Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers 1/4" RED HANDLE
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HS8.1Crydom Co.Description: HEATSINK SSR 2.0 DEG C/W PNL MT
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HS8.2Crydom Co.Description: HEATSINK SSR 45MM 2.2DEG C/W DIN
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HS8.3Crydom Co.Description: HEATSINK SSR 45MM 3.5DEG C/W DIN
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HS8000800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
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HS80008000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB SP CLA PARALLEL/T
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HS8000810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
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HS80008100J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB SP CL INTERLACE/T
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HS8030800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
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HS80308000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CLA PARALLEL/T
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HS8030810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
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HS80308100J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CL INTERLACE/T
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HS8108HS08+ DIP20
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HS8108B
Produktcode: 149723
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HS8120AEssentraMounting Fixings HOOK - S STYLE:SPRING STEEL
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HS817B
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HS8180AEssentraMounting Fixings HOOK - S STYLE:SPRING STEEL
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HS8202
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HS8203
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HS8203BN8HRS
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HS8204
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HS8206
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HS8207
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HS8210
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HS8400800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
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HS8400810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
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HS8430800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
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HS84308000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CLA PARALLEL/T
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HS8430810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
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HS84308100J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CL INTERLACE/T
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HS8508-11-15H08GlenairD-Sub Micro-D Connectors
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HS8521NS03+ SOP
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HS8800800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK 22POS 45DEG 5MM PCB
Wire Termination: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Positions Per Level: 22
Mating Orientation: 45° (135°) Angle with Board
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Wire Gauge: 12-28 AWG
Mounting Type: Through Hole
Color: Gray
Packaging: Bulk
Voltage: 300 V
Number of Levels: 4
Current: 10 A
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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HS8800800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
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HS88008000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB SP CLA PARALLEL/T
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HS8800810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
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HS8800810000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK 22POS 45DEG 5MM PCB
Number of Levels: 4
Current: 10 A
Wire Termination: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Positions Per Level: 22
Mating Orientation: 45° (135°) Angle with Board
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Wire Gauge: 12-28 AWG
Mounting Type: Through Hole
Color: Gray
Packaging: Bulk
Voltage: 300 V
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HS88008100J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB SP CL INTERLACE/T
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HS8830800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 22POS 45DEG 5.08MM PCB
Voltage: 300 V
Number of Levels: 4
Current: 10 A
Wire Termination: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Positions Per Level: 22
Mating Orientation: 45° (135°) Angle with Board
Pitch: 0.200" (5.08mm)
Wire Gauge: 12-28 AWG
Mounting Type: Through Hole
Color: Gray
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS8830800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
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HS88308000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CLA PARALLEL/T
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HS8830810000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 22POS 45DEG 5.08MM PCB
Current: 10 A
Wire Termination: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Positions Per Level: 22
Mating Orientation: 45° (135°) Angle with Board
Pitch: 0.200" (5.08mm)
Wire Gauge: 12-28 AWG
Mounting Type: Through Hole
Color: Gray
Packaging: Bulk
Voltage: 300 V
Number of Levels: 4
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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HS8830810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
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HS88308100J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CL INTERLACE/T
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HS8K11TBROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET
auf Bestellung 752 Stücke:
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3+1.38 EUR
10+1.23 EUR
100+0.94 EUR
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HS8K11TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HSML3030L10
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 186 Stücke:
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11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.8 EUR
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HS8K11TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Part Status: Active
Supplier Device Package: HSML3030L10
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS8K1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
Part Status: Active
Supplier Device Package: HSML3030L10
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 348pF @ 15V, 429pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
14+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS8K1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 348pF @ 15V, 429pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HSML3030L10
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.64 EUR
6000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS8K1TBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET
auf Bestellung 4224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.58 EUR
6000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS8KE5TBRohm SemiconductorDescription: 100V 4.5A, DUAL NCH+NCH, HSML303
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS8KE5TBRohm SemiconductorDescription: 100V 4.5A, DUAL NCH+NCH, HSML303
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS8MA2TCR1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.06 EUR
10+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.81 EUR
5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS8MA2TCR1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 9DFN
Supplier Device Package: DFN3333-9DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V, 365pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
13+1.7 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS8MA2TCR1ROHMDescription: ROHM - HS8MA2TCR1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+2.68 EUR
147+1.58 EUR
203+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS8MA2TCR1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 9DFN
Supplier Device Package: DFN3333-9DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V, 365pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS8MA2TCR1ROHMDescription: ROHM - HS8MA2TCR1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
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100+2.68 EUR
147+1.58 EUR
203+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS8VApex Tool GroupDescription: NUT DRIVER HEX SOCKET 1/4" 7.25"
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH