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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
HS8Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers 1/4" RED HANDLE
auf Bestellung 1 Stücke:
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HS8.1Crydom Co.Description: HEATSINK SSR 2.0 DEG C/W PNL MT
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HS8.2Crydom Co.Description: HEATSINK SSR 45MM 2.2DEG C/W DIN
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HS8.3Crydom Co.Description: HEATSINK SSR 45MM 3.5DEG C/W DIN
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HS8000800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
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HS80008000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB SP CLA PARALLEL/T
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HS8000810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
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HS80008100J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB SP CL INTERLACE/T
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HS8030800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
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HS80308000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CLA PARALLEL/T
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HS8030810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
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HS80308100J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CL INTERLACE/T
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HS8108HS08+ DIP20
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HS8108B
Produktcode: 149723		IC > IC andere
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HS8120AEssentraMounting Fixings HOOK - S STYLE:SPRING STEEL
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HS817B
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HS8202
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HS8203
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HS8203BN8HRS
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HS8203BN8HS02+ QFN
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HS8204
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HS8206
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HS8207
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HS8210
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HS8400800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
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HS8400810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
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HS8430800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
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HS84308000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CLA PARALLEL/T
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HS8430810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
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HS84308100J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CL INTERLACE/T
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HS8508-11-15H08GlenairD-Sub Micro-D Connectors
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HS8521NS03+ SOP
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HS8800800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
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HS88008000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB SP CLA PARALLEL/T
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HS8800810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
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HS88008100J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB SP CL INTERLACE/T
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HS8830800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 22POS 45DEG 5.08MM PCB
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HS8830800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
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HS88308000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CLA PARALLEL/T
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HS8830810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
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HS8830810000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 22POS 45DEG 5.08MM PCB
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HS88308100J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CL INTERLACE/T
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HS8K11TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7/11A; Idm: 28÷44A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7/11A
Pulsed drain current: 28...44A
Power dissipation: 2W
Case: uDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.1/15.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1/20.2C
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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HS8K11TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HSML3030L10
Part Status: Active
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HS8K11TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HSML3030L10
Part Status: Active
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.46 EUR
21+ 1.27 EUR
100+ 0.88 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 18
HS8K11TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7/11A; Idm: 28÷44A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7/11A
Pulsed drain current: 28...44A
Power dissipation: 2W
Case: uDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.1/15.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1/20.2C
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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HS8K11TBROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET
auf Bestellung 752 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
31+1.72 EUR
35+ 1.52 EUR
100+ 1.16 EUR
500+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 31
HS8K1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A/11A HSML
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 348pF @ 15V, 429pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HSML3030L10
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.77 EUR
6000+ 0.73 EUR
9000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
HS8K1TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 10/11A; Idm: 40÷44A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10/11A
Pulsed drain current: 40...44A
Power dissipation: 2W
Case: uDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20/16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6/7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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HS8K1TBROHM SemiconductorMOSFET 30V N-CHANNEL DUAL
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.39 EUR
25+ 2.12 EUR
100+ 1.62 EUR
500+ 1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 22
HS8K1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A/11A HSML
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 348pF @ 15V, 429pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HSML3030L10
Part Status: Active
auf Bestellung 10480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
15+ 1.77 EUR
100+ 1.22 EUR
500+ 1.02 EUR
1000+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 13
HS8K1TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 10/11A; Idm: 40÷44A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10/11A
Pulsed drain current: 40...44A
Power dissipation: 2W
Case: uDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20/16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6/7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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HS8MA2TCR1ROHM SemiconductorMOSFET 30V Dual Common Drain Pch+Nch Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.89 EUR
21+ 2.58 EUR
100+ 2.02 EUR
500+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 19
HS8MA2TCR1Rohm SemiconductorDescription: 30V DUAL COMMON DRAIN PCH+NCH PO
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HS8MA2TCR1ROHMDescription: ROHM - HS8MA2TCR1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HS8MA2TCR1ROHMDescription: ROHM - HS8MA2TCR1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HS8MA2TCR1Rohm SemiconductorDescription: 30V DUAL COMMON DRAIN PCH+NCH PO
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+2.94 EUR
10+ 2.62 EUR
100+ 2.04 EUR
500+ 1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
HS8VApex Tool GroupDescription: NUT DRIVER HEX SOCKET 1/4" 7.25"
Produkt ist nicht verfügbar