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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
MJW0281AonsemiDescription: TRANS NPN 260V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 150 W
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MJW0281AONTO-247 09+
auf Bestellung 1000 Stücke:
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MJW0281AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 260V 150W NPN
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MJW0281ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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MJW0281AGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN DIP PWR XTOR
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MJW0281AGonsemiDescription: TRANS NPN 260V 15A TO-247
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MJW0281AG
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW0302AonsemiDescription: TRANS PNP 260V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 150 W
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MJW0302A
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW0302AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW0302AG - POWER BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJW0302AGonsemiDescription: TRANS PNP 260V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 150 W
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MJW0302AG
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW1102L
auf Bestellung 100 Stücke:
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MJW13003
auf Bestellung 1250 Stücke:
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MJW13009
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW1302A
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW1302AonsemiDescription: TRANS PNP 230V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
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MJW1302AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 250V 200W PNP
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MJW1302AGonsemiDescription: TRANS PNP 230V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
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MJW1302AGonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 250V 200W PNP
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 699-713 Tag (e)
6+9.67 EUR
10+ 8.11 EUR
30+ 6.55 EUR
300+ 5.98 EUR
600+ 5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW1302AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW1302AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW1302AMJW3281A
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW16010
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW16010
Produktcode: 47199		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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MJW16010A--TO-3PI 09+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW16018
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW16110
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW16206onsemiDescription: TRANS GP BJT NPN 500V 12A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.5A, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 7717 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
98+7.42 EUR
Mindestbestellmenge: 98
MJW16206
auf Bestellung 2145 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW16212MotorolaDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2.2A, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 2.75MHz
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
61+12.79 EUR
Mindestbestellmenge: 61
MJW16212ON SEMICONDUCTORnpn 650V 10A 125W TO-247
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJW16212 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 29090		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJW18020onsemiBipolar Transistors - BJT 20A 450V 250W NPN
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MJW18020
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW18020GonsemiBipolar Transistors - BJT 30A 450V 250W NPN
auf Bestellung 1271 Stücke:
Lieferzeit 583-597 Tag (e)
4+16.98 EUR
10+ 16.07 EUR
240+ 12.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW18020GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 30A; 250W; TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 450V
Power dissipation: 250W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 4...34
Case: TO247-3
Frequency: 13MHz
Collector current: 30A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW18020GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 30A; 250W; TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 450V
Power dissipation: 250W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 4...34
Case: TO247-3
Frequency: 13MHz
Collector current: 30A
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
MJW18020GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+16.28 EUR
30+ 13 EUR
120+ 11.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJW21191onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W PNP
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MJW21191
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW21191onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21191onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
329+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 329
MJW21191GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 3962 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
329+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 329
MJW21191GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21191GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21192ONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21192 - MJW21192 - TRANSISTOR NPN 150V 8A TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJW21192onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21192
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW21192onsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21192GonsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21192GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW21193onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193onsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.51 EUR
10+ 10.5 EUR
30+ 9.91 EUR
120+ 8.48 EUR
210+ 8.01 EUR
420+ 7.54 EUR
1050+ 6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Collector current: 16A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 250V
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.32 EUR
30+ 9.75 EUR
120+ 8.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJW21193GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21193G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250V, 16A, 200W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Collector current: 16A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 250V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21194onsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21194
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW21194onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21194GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Mounting: THT
Current gain: 8...80
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 200W
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.91 EUR
12+ 6.21 EUR
16+ 4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MJW21194GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21194G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250V, 16A, 200W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJW21194GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
auf Bestellung 8061 Stücke:
Lieferzeit 119-133 Tag (e)
5+12.79 EUR
10+ 11.49 EUR
30+ 10.19 EUR
120+ 9.41 EUR
210+ 9.31 EUR
420+ 7.77 EUR
1050+ 6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21194GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.43 EUR
30+ 9.85 EUR
120+ 8.44 EUR
510+ 7.5 EUR
1020+ 6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW21194GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Mounting: THT
Current gain: 8...80
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 200W
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 250V
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.91 EUR
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Mindestbestellmenge: 11
MJW21195onsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
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MJW21195
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW21195onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
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MJW21195
Produktcode: 46846		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW21195GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJW21195GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+10.89 EUR
10+ 10.3 EUR
30+ 8.63 EUR
120+ 7.41 EUR
420+ 5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW21195GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21195GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 16A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21195GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.61 EUR
30+ 8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW21195MJW21196
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW21196
Produktcode: 46841		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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MJW21196
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW21196onsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
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MJW21196onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
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MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200W
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 16A
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
auf Bestellung 3451 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+10.89 EUR
10+ 9.15 EUR
30+ 8.45 EUR
120+ 7.41 EUR
420+ 6.42 EUR
1050+ 6.21 EUR
2520+ 5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW3281A
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW3281AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 230V 200W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJW3281AonsemiDescription: TRANS NPN 230V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW3281AGonsemiDescription: TRANS NPN 230V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 4595 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.59 EUR
30+ 7.61 EUR
120+ 6.52 EUR
510+ 5.8 EUR
1020+ 4.97 EUR
2010+ 4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW3281AGonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 230V 200W NPN
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.67 EUR
10+ 8.81 EUR
30+ 7.05 EUR
120+ 6.55 EUR
300+ 5.82 EUR
600+ 5.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MJW3281AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW3281AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)