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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
MTY100N10
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MTY100N10EMOT9918+ DIP
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MTY100N10EMOT
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MTY100N10EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10640 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
MTY10N100E
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MTY10N100E/D
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MTY14N100
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MTY14N100EonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
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60+12.09 EUR
Mindestbestellmenge: 60
MTY14N100E
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MTY150A
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MTY16N50E/D
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MTY16N80E
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MTY2-243+Mini-CircuitsSignal Conditioning MMIC TRANSFORMER
auf Bestellung 668 Stücke:
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3+21.58 EUR
10+ 21.53 EUR
20+ 20.75 EUR
50+ 18.23 EUR
100+ 16.56 EUR
200+ 15.44 EUR
500+ 15.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MTY2-243+Mini-CircuitsDescription: 1:2 MMIC TRANSFORMER, 10000 - 24
Packaging: Bag
Package / Case: 6-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 10GHz ~ 24GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 1:2
Insertion Loss (Max): 2.2dB
Phase Difference: 6.4°
auf Bestellung 2050 Stücke:
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2+21.19 EUR
20+ 20.37 EUR
50+ 17.89 EUR
100+ 16.25 EUR
200+ 15.16 EUR
500+ 14.35 EUR
1000+ 14.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MTY2-243+Mini-CircuitsMMIC Balun RF Transformer QFN-6 (2x21mm) 2:1 50 Ohm 10-24 GHz
auf Bestellung 10 Stücke:
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1+59.52 EUR
MTY20N50E/D
auf Bestellung 1000 Stücke:
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MTY250A
auf Bestellung 450 Stücke:
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MTY25N50E/D
auf Bestellung 1000 Stücke:
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MTY25N60E
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MTY25N60EonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10220 pF @ 25 V
auf Bestellung 2233 Stücke:
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47+15.61 EUR
Mindestbestellmenge: 47
MTY25N60ECX
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MTY30N25E
auf Bestellung 50000 Stücke:
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MTY30N50
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MTY30N50EonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10080 pF @ 25 V
auf Bestellung 7932 Stücke:
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55+13.2 EUR
Mindestbestellmenge: 55
MTY30N50E
Produktcode: 23918		MotorolaTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-264
Uds,V: 500
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 7200/235
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
MTY30N50EON
auf Bestellung 2700 Stücke:
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MTY50N50
auf Bestellung 1000 Stücke:
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MTY55N20E
auf Bestellung 8000 Stücke:
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MTY6720
auf Bestellung 600 Stücke:
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