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MOSFET NFET SC70 20V 300MA 1.0OH

auf Bestellung 6082 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

NVF2201NT1G

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A Automotive 3-Pin SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NVF2201NT1G

Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V

Produkt ist nicht verfügbar

NVF2201NT1G

Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V

Produkt ist nicht verfügbar

NVF2955PT1G

Description: MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

NVF2955T1G

ON-Semicoductor

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C; NVF2955T1G TNVF2955t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 20

NVF2955T1G

Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NVF2955T1G

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
On-state resistance: 154mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223

auf Bestellung 966 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	2.03 EUR
53+	1.37 EUR
75+	0.96 EUR
79+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 36

NVF2955T1G

Description: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	1.19 EUR
2000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

NVF2955T1G

auf Bestellung 966 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

36+	2.03 EUR
53+	1.37 EUR
75+	0.96 EUR
79+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 36

NVF2955T1G

MOSFET PFET SOT223 60V 2.6A 140M

auf Bestellung 11713 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.63 EUR
25+	2.14 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.18 EUR
2000+	1.12 EUR
5000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 20

NVF2955T1G

Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NVF2955T1G

Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 2.3W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 540 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NVF2955T1G

Description: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.7 EUR
12+	2.21 EUR
100+	1.72 EUR
500+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 10

NVF3-MOH-5/2-K-1/4-EX

Festo Corporation

Description: SOLENOID VALVE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
For Use With/Related Products: Solenoid Valve
Mounting Type: Chassis Mount
Function: 3/2, 5/2
Operating Pressure: 29 ~ 145 PSI (2 ~ 10 bar)
Type: Solenoid Valve
Connection Method: Threaded
Fluid Type: Air

Produkt ist nicht verfügbar

NVF3055-100T1G

Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

NVF3055-100T1G

Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NVF3055-100T1G

MOSFET NFET 60V 3A 0.100R

Produkt ist nicht verfügbar

NVF3055-100T1G

Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NVF3055-100T1G

auf Bestellung 355 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NVF3055-100T1G

Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

NVF3055L108T1G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 286 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	1.8 EUR
80+	0.9 EUR
102+	0.7 EUR
108+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 40

NVF3055L108T1G

Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 46637 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.21 EUR
15+	1.79 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 12

NVF3055L108T1G

Description: ONSEMI - NVF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.092 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1292 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NVF3055L108T1G

Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	1.51 EUR
117+	1.3 EUR
137+	1.06 EUR
152+	0.92 EUR
250+	0.8 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 104

NVF3055L108T1G

Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NVF3055L108T1G

MOSFET NFET 60V 3A 0.120R

auf Bestellung 23830 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.23 EUR
29+	1.83 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	0.98 EUR
2000+	0.92 EUR
5000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 24

NVF3055L108T1G

auf Bestellung 286 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	1.8 EUR
80+	0.9 EUR
102+	0.7 EUR
108+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 40

NVF3055L108T1G

Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 46000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	0.96 EUR
2000+	0.91 EUR
5000+	0.86 EUR
10000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

NVF3055L108T1G

Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NVF3055L108T1G

Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	1.35 EUR
137+	1.1 EUR
152+	0.96 EUR
250+	0.84 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 117

NVF3055L108T3G

Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

NVF3055L108T3G

Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NVF3055L108T3G

Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 64000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.35 EUR
8000+	0.31 EUR
24000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

NVF3055L108T3G

MOSFET NFET 60V 3A 0.120R

auf Bestellung 5321 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

NVF3055L108T3G

Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

NVF3055L108T3G

Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NVF3055L108T3G

Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NVF4-1CZ30a1DC12V1.6

30A; 12V; SPDT; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5mm QC; equivalent: HFV4, GRL, CB, V23076, AZ973/972, G8L, VF4 NFV4-1-CZ40a 12VDC automotive relay P NVF4-1CZ30a-12
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.23 EUR

Mindestbestellmenge: 20

NVF4-1CZ30a1DC12V1.6

30A; 12V; SPDT; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5mm QC; equivalent: HFV4, GRL, CB, V23076, AZ973/972, G8L, VF4 NFV4-1-CZ40a 12VDC automotive relay P NVF4-1CZ30a-12
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.23 EUR

Mindestbestellmenge: 20

NVF4-1CZ30a1DC12V1.6

30A; 12V; SPDT; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5mm QC; equivalent: HFV4, GRL, CB, V23076, AZ973/972, G8L, VF4 NFV4-1-CZ40a 12VDC automotive relay P NVF4-1CZ30a-12
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.23 EUR

Mindestbestellmenge: 20

NVF4-1CZ30a1DC24V1.6

30A; 24V; SPDT; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5mm QC; equivalent: HFV4, GRL, CB, V23076, AZ973/972, G8L, VF4 NFV4-1-CZ40a 24VDC automotive relay P NVF4-1CZ30a-24
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.77 EUR

Mindestbestellmenge: 20

NVF4-2A-Z40A

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NVF4-2ACZ30A1DC12V1.6

Ningbo Forward Relay

Реле потужне; Iк = 40 А; Uн, В = 12; Р, Вт = 1,6; 26.5х24.5mm

auf Bestellung 336 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	2.69 EUR
10+	2.32 EUR
100+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3

NVF4-2AZ40a1DC12V1.6

40A; 12V; SPST-NO; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5(+16)mm NFV4-2AZ40a 12VDC automotive relay P NVF4-2AZ40a-12
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.28 EUR

Mindestbestellmenge: 20

NVF4-2AZ40aDC12V1.6

40A; 12V; SPST-NO; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5(+16)mm NFV4-2AZ40a 12VDC automotive relay P NVF4-2AZ40a-12
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.28 EUR

Mindestbestellmenge: 20

NVF4-2C-Z30A(Relais)
Produktcode: 61296

Relais

Produkt ist nicht verfügbar

NVF4-2CZ30a1DC12V1.6

30A; 12V; SPDT; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5(+16)mm QC; equivalent: HFV4, GRL, CB, V23076, AZ973/972, G8L, VF4; plastic shrouded NVF4-2-CZ30a 12VDC automotive relay P NVF4-2CZ40a-12
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	3.14 EUR

Mindestbestellmenge: 100

NVF4-2CZ30a1DC12V1.6

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	3.14 EUR

Mindestbestellmenge: 100

NVF4-2CZ30aDC24V
Produktcode: 60504

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

Produkt ist nicht verfügbar

NVF4-2CZ30aDC24V1.6

30A; 24V; SPDT; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5(+16)mm QC; equivalent: HFV4, GRL, CB, V23076, AZ973/972, G8L, VF4; plastic shrouded NVF4-2-CZ30a 24VDC automotive relay P NVF4-2CZ40a-24
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

auf Bestellung 1 Stücke:

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20+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 20

NVF4-2CZ30aDC24V1.6

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 20

NVF4-7AZ70aDC12V1.6W

70A; 12V; SPST-NO; coil power 1.6W 26,5 x 26,5 x 25,2mm QC NVF4-7AZ70a 12VDC automotive relay P NVF4-7AZ70a-12
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

auf Bestellung 14 Stücke:

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20+	7.54 EUR

Mindestbestellmenge: 20

NVF4-S1 SOCKET

for relays: NVF4, HFV4 NVF4 socket P gNVF4
Anzahl je Verpackung: 84 Stücke

auf Bestellung 976 Stücke:

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84+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 84

NVF5P03T3G

MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET

auf Bestellung 1044 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

NVF5P03T3G

Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

auf Bestellung 5746 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.5 EUR
12+	2.2 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.07 EUR
2000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 11

NVF5P03T3G

Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3833 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

487+	0.32 EUR
692+	0.22 EUR
703+	0.21 EUR
713+	0.2 EUR
725+	0.18 EUR
736+	0.17 EUR
748+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 487

NVF5P03T3G

Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

NVF5P03T3G

Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NVF6P02T3G

auf Bestellung 1204 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NVF6P02T3G

Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V

auf Bestellung 9207 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.17 EUR
10+	2.84 EUR
100+	2.22 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.45 EUR
2000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 9

NVF6P02T3G

Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.044 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 8.3W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2219 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NVF6P02T3G

Trans MOSFET P-CH 20V 10A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NVF6P02T3G

MOSFET POWER MOSFET

auf Bestellung 3043 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.94 EUR
22+	2.44 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.3 EUR
2000+	1.23 EUR
4000+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 18

NVF6P02T3G

Trans MOSFET P-CH 20V 10A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NVF6P02T3G

Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

NVF6P02T3G

Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.044 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 8.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2219 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NVF6P02T3G

Trans MOSFET P-CH 20V 10A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NVFSA30DC24V