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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SPW-2EssentraEssentra
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW-2OMEGADescription: OMEGA - SPW-2 - Unterlegscheibe, kugelförmig, 8.7mm Innendurchmesser
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW-3OMEGADescription: OMEGA - SPW-3 - Unterlegscheibe, kugelförmig, 10mm Innendurchmesser
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW-3EssentraEssentra
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW-9EssentraEssentra
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0430HR5HB-BKnowlesDescription: MICROPHONE MEMS ANALOG OMNI
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0430HR5HB-BKnowlesDescription: MICROPHONE MEMS ANALOG OMNI
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0430HR5HB-BKnowlesMEMS Microphones MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0442HR5H-1SyntiantMEMS Microphones SISONIC MEMS MICROPHONE;Analog;Top;59dB SNR;130dB SPL;-42 +/-1dBV;-Hz;66dB PSRR;130;1.8V
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.36 EUR
25+1.25 EUR
100+1.12 EUR
250+1.04 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0442HR5H-1KnowlesDescription: MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB
auf Bestellung 17100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5700+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0442HR5H-1KnowlesMEMS Microphones SISONIC MEMS MICROPHONE;Analog;Top;59dB SNR;130dB SPL;-42 +/-1dBV;-Hz;66dB PSRR;130;1.8V
auf Bestellung 3296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.25 EUR
10+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0442HR5H-1
Produktcode: 126538
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Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0442HR5H-1KnowlesDescription: MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB
auf Bestellung 23603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
14+1.56 EUR
25+1.44 EUR
50+1.36 EUR
100+1.27 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0442HR5H-1-8KnowlesMEMS Microphones SISONIC MEMS MICROPHONE;Analog;Top;59dB SNR;130dB SPL;-42 +/-1dBV;-Hz;66dB PSRR;130;1.8V
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 Mindestbestellmenge: 5700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW05F0D (WEAA)Seoul Semiconductor CO., LTD.SPW05F0D (WEAA) SPW05F0D 3,7x3,9 / 6500K(=CW) / 450-565lmx1400mAx1,9-2,8V (at Tj=25С) / Max=4500mA / 120deg. Світлодіоди потужні SMD (1-3W)
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW05F0D (WEAA)Seoul Semiconductor CO., LTD.SPW05F0D (WEAA) SPW05F0D 3,7x3,9 / 6500K(=CW) / 450-565lmx1400mAx1,9-2,8V (at Tj=25С) / Max=4500mA / 120deg. Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0690LM4H-1SyntiantDescription: MIC MEMS DIGITAL PDM OMNI -41DB
Frequency Range: 20 Hz ~ 10 kHz
Voltage Range: 1.65 V ~ 3.6 V
Current - Supply: 2 mA
Height (Max): 0.037" (0.95mm)
Port Location: Bottom
Direction: Omnidirectional
Termination: Solder Pads
S/N Ratio: 66.5dB
Type: MEMS (Silicon)
Shape: Rectangular
Sensitivity: -41dB ±1dB @ 94dB SPL
Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm)
Output Type: Digital, PDM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0690LM4H-1KnowlesMEMS Microphones SISONIC MEMS MICROPHONE;Digital;Bottom;66.5dB SNR;135dB SPL;-41+/-1dBV;40Hz;88dB PSRR;Low Power: 260 / Standard: 1000;1.8V
auf Bestellung 1903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+2.81 EUR
25+2.59 EUR
50+2.43 EUR
100+2.28 EUR
250+2.14 EUR
500+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0690LM4H-1SyntiantDescription: MIC MEMS DIGITAL PDM OMNI -41DB
Packaging: Cut Tape (CT)
Output Type: Digital, PDM
Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm)
Sensitivity: -41dB ±1dB @ 94dB SPL
Shape: Rectangular
Type: MEMS (Silicon)
S/N Ratio: 66.5dB
Termination: Solder Pads
Direction: Omnidirectional
Port Location: Bottom
Height (Max): 0.037" (0.95mm)
Current - Supply: 2 mA
Voltage Range: 1.65 V ~ 3.6 V
Frequency Range: 20 Hz ~ 10 kHz
auf Bestellung 2837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
10+2.81 EUR
25+2.59 EUR
50+2.43 EUR
100+2.28 EUR
250+2.11 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0690LM4H-1SyntiantMEMS Microphones SISONIC MEMS MICROPHONE;Digital;Bottom;66.5dB SNR;135dB SPL;-41+/-1dBV;40Hz;88dB PSRR;Low Power: 260 / Standard: 1000;1.8V
auf Bestellung 8221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.83 EUR
10+3.01 EUR
25+2.75 EUR
50+2.56 EUR
100+2.39 EUR
250+2.24 EUR
500+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0690LM4H-1-2SyntiantMEMS Microphones SILICON MICROPHONE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0690LM4H-1-7KnowlesMEMS Microphones SILICON MICROPHONE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0690LM4H-1-7KnowlesDescription: SILICON MICROPHONE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Digital, PDM
Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm)
Sensitivity: -41dB ±1dB @ 94dB SPL
Shape: Rectangular
Type: MEMS (Silicon)
S/N Ratio: 66.5dB
Termination: Solder Pads
Direction: Omnidirectional
Port Location: Bottom
Height (Max): 0.037" (0.95mm)
Voltage - Rated: 1.8 V
Current - Supply: 2 mA
Voltage Range: 1.65 V ~ 3.6 V
Frequency Range: 45 Hz ~ 15 kHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0690LM4H-1-7SyntiantMEMS Microphones SILICON MICROPHONE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0690LM4H-1-8KnowlesMEMS Microphones SILICON MICROPHONE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW07N60CFDInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
226+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW07N60CFDINFTO-247
auf Bestellung 32480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW07N60CFDFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0878LR5H-1SyntiantDescription: MIC MEMS ANLG ELLEN OMNI -44DB
Packaging: Cut Tape (CT)
Output Type: Analog
Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm)
Sensitivity: -44dB ±1dB @ 94dB SPL
Shape: Rectangular
Type: MEMS (Silicon)
S/N Ratio: 64.5dB
Termination: Solder Pads
Direction: Omnidirectional
Port Location: Bottom
Height (Max): 0.042" (1.06mm)
Impedance: 380 Ohms
Voltage Range: 1.6 V ~ 3.6 V
Frequency Range: 15 Hz ~ 24 kHz
auf Bestellung 4169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
11+2.07 EUR
25+1.89 EUR
50+1.76 EUR
100+1.64 EUR
250+1.5 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0878LR5H-1SyntiantDescription: MIC MEMS ANLG ELLEN OMNI -44DB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Analog
Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm)
Sensitivity: -44dB ±1dB @ 94dB SPL
Shape: Rectangular
Type: MEMS (Silicon)
S/N Ratio: 64.5dB
Termination: Solder Pads
Direction: Omnidirectional
Port Location: Bottom
Height (Max): 0.042" (1.06mm)
Impedance: 380 Ohms
Voltage Range: 1.6 V ~ 3.6 V
Frequency Range: 15 Hz ~ 24 kHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0878LR5H-1SyntiantMicrophones 65dB 15Hz 2.7V 3.1x2.5x0.96
auf Bestellung 8813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+2.09 EUR
25+1.89 EUR
50+1.75 EUR
100+1.62 EUR
250+1.45 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW0878LR5H-1-7KnowlesMEMS Microphones Knowles Versatile, High-performance, Bottom Port, multi-mode analog microphone (Ellen)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW1020N/A08+ N/A
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW1050A-HB271
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW1102
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW112A
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N60C2
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N60C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 11A TO247-3 CoolMOS C3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N60C3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N60C3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
166+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N60C3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N60C3FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N60C3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 259866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
145+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N60CFD
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N60CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 11A TO247-3 CoolMOS CFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N60CFDInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
159+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N60CFDFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N60CFDFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 4250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
140+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N60S5Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 13461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
140+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N60S5INFTO-247
auf Bestellung 32640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N60S5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N80C3
Produktcode: 132782
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
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SPW11N80C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.71 EUR
10+5.05 EUR
100+3.77 EUR
480+3.14 EUR
1200+2.92 EUR
2640+2.75 EUR
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SPW11N80C3INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
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SPW11N80C3FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.03 EUR
61+2.77 EUR
120+2.25 EUR
510+2.11 EUR
1020+1.95 EUR
2010+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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SPW11N80C3FKSA1InfineonMOSFET N-CH 800V 11A TO247-3 Транзистори
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SPW11N80C3FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 10435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+2.89 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.5 EUR
10000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
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SPW11N80C3FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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SPW11N80C3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.6 EUR
30+4.18 EUR
120+3.42 EUR
510+2.87 EUR
1020+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SPW11N80C3FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.35 EUR
10+4.66 EUR
100+3.69 EUR
480+3.28 EUR
1200+2.83 EUR
2640+2.76 EUR
5040+2.62 EUR
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SPW11N80C3FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.55 EUR
50+4 EUR
100+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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SPW11N80C3FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
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SPW11N80C3FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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SPW11N80C3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - SPW11N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.59 EUR
50+4.64 EUR
100+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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SPW11N80C3FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.03 EUR
61+2.83 EUR
120+2.33 EUR
510+2.23 EUR
1020+2.11 EUR
2010+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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SPW11N80C3FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 32640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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SPW11N80CC
auf Bestellung 6900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPW12N50C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 560V 11.6A TO247-3 CoolMOS C3
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SPW12N50C3INF07+;
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPW12N50C3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
189+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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SPW12N50C3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
141+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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SPW12N50C3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW12N50C3INInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW12N50C3XKInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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SPW13N50C3
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW1518DJSuntak06+ SOP
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPW1550COTR
auf Bestellung 2872 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPW15N60C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 15A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.92 EUR
10+7.6 EUR
25+7.39 EUR
100+6.24 EUR
240+6.22 EUR
480+4.74 EUR
1200+4.46 EUR
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SPW15N60C3INF07+;
auf Bestellung 4470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPW15N60C3(Transistor)
Produktcode: 45716
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SPW15N60C3FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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SPW15N60C3FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+10.69 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW15N60C3FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW15N60C3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - SPW15N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.47 EUR
23+10.4 EUR
100+4.84 EUR
500+4.44 EUR
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW15N60C3FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.04 EUR
17+9.97 EUR
25+9.1 EUR
50+8.32 EUR
100+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW15N60C3FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.04 EUR
17+10.2 EUR
25+9.45 EUR
50+8.78 EUR
100+8.28 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW15N60C3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.25 EUR
30+6.37 EUR
120+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW15N60CFDINFTO-247
auf Bestellung 24480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW15N60CFDInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW15N60CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 13.4A TO247-3 CoolMOS CFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW15N60CFDFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW15N60CFDFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
124+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW16N50C3NFINEON09+ SSOP20
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPW16N50C3Infineon TechnologiesDescription: SPW16N50 - 500V COOLMOS N-CHANNE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
141+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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SPW16N50C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3
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SPW16N50C3InfineonТранзистори
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SPW16N50C3(Transistor)
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SPW16N50C3FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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SPW16N50C3FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
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