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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
T2N3055CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
auf Bestellung 1361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.9 EUR
57+1.51 EUR
75+1.14 EUR
100+1.02 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N3055HVCDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 100W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N3773CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.81 EUR
30+2.84 EUR
34+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N40E
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N50
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N5087CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 250...800
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
auf Bestellung 7043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+0.11 EUR
1660+0.051 EUR
1840+0.046 EUR
2090+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N5172CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.1A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 100...500
Case: TO92
Frequency: 120MHz
Collector current: 0.1A
auf Bestellung 4310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1480+0.058 EUR
2460+0.035 EUR
2720+0.031 EUR
3070+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 1480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N60E
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N6371CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 15A; 117W; TO3
Frequency: 800Hz
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 117W
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 40V
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+0.99 EUR
90+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N6371HVCDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO3
Frequency: 2.5MHz
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 90W
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.04 EUR
87+0.99 EUR
90+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002AKToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002AK,LMToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET
auf Bestellung 100136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.1 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.044 EUR
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002AK,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
auf Bestellung 412450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.057 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.048 EUR
15000+0.044 EUR
21000+0.042 EUR
30000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002AK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4762+0.037 EUR
6000+0.035 EUR
9000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 4762 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002AK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4762+0.037 EUR
6000+0.035 EUR
9000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 4762 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002AK,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
auf Bestellung 412669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
118+0.18 EUR
192+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002AK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002AK,LM(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 1387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002AK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1356+0.13 EUR
2179+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 1356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002AK,LM(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.76A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Pulsed drain current: 0.76A
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002BKToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002BK,LMToshibaMOSFETs Small Signal Mosfet
auf Bestellung 370136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.35 EUR
17+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
3000+0.067 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002BK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
693+0.25 EUR
794+0.21 EUR
800+0.2 EUR
2084+0.075 EUR
2101+0.071 EUR
2119+0.068 EUR
3216+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 693 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002BK,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 1217000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.061 EUR
6000+0.054 EUR
9000+0.051 EUR
15000+0.046 EUR
21000+0.044 EUR
30000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002BK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002BK,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 1218744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
112+0.19 EUR
180+0.12 EUR
500+0.084 EUR
1000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002BK,LM(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 6840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2075+0.083 EUR
2500+0.08 EUR
5000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 2075 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002BK,LM(ES)ElecSuperN-Channel 60V 300mA 350mW Surface Mount SOT-23 T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER T2N7002bk ES
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002BK,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.084 EUR
9000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002BK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002BK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 27000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002BK,LM(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Version: ESD
auf Bestellung 14977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
642+0.13 EUR
1112+0.076 EUR
1266+0.067 EUR
1437+0.06 EUR
1598+0.054 EUR
1767+0.048 EUR
2067+0.042 EUR
2513+0.033 EUR
3000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 642 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002BK,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 97333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.45 EUR
1316+0.18 EUR
1684+0.13 EUR
2137+0.1 EUR
2513+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002BK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 27000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002BK,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 97333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.45 EUR
1316+0.18 EUR
1684+0.13 EUR
2137+0.1 EUR
2513+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2N7002BKLM(TToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
t2nanoX-AL-E3930-2GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Apollo Lake-I E3930, 2GB I-temp DDR3L, ETT -40~+85
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
t2nanoX-AL-E3940-4G/32GBADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM t2nanoX-AL-E3940-4G/32GBMini COM Express Type10 module with Intel Apollo Lake-I Atom E3940, 4GB DDR3L 1600MHz I-temp DDR3L w/ETT test
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
t2nanoX-AL-E3950-8GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM t2nanoX-AL-E3950-8GMini COM Express Type10 module with Intel Apollo Lake-I Atom E3950, 8GB DDR3L, ETT -40-+85
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
t2nanoX-AL-E3950-8G/TPM2.0ADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type10 module with Intel Apollo Lake-I Atom E3950, 8GB DDR3L wide temperature range, TPM2.0 and ETT screening support
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
t2nanoX-BT-E3815-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3815 BAY TRAIL 2GB ETT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
t2nanoX-BT-E3815-2G/8G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3815 BAY TRAIL 2GB/8 ETT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
t2nanoX-BT-E3825-2GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3825 at 1.33 GHz and 2GB non ECC DDR3L, ETT -40~+85
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
t2nanoX-BT-E3825-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3825 BAY TRAIL 2GB ETT
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t2nanoX-BT-E3825-2G/8G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3825 BAY TRAIL 2GB/8 ETT
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t2nanoX-BT-E3826-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3826 at 1.46 GHz and 2GB I-temp non ECC DDR3L, ETT -40~+85
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t2nanoX-BT-E3826-2G/8G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM EA) Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3826 at 1.46 GHz and 2GB non ECC DDR3L,and 8GB eMMC flash storage,ETT -40+85
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t2nanoX-BT-E3827-2G/8GBADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3827 at 1.75 GHz and 2GB non ECC DDR3, 8GB eMMC flash storage, ETT -40~+85
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t2nanoX-BT-E3845-2GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM t2nanoX-BT-E3845-2GMini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3845 at 1.91 GHz and 2GB I-temp non ECC DDR3L
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t2nanoX-BT-E3845-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3845 BAY TRAIL 2GB ETT
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t2nanoX-BT-E3845-2G/8G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3845 BAY TRAIL 2GB/8 ETT
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t2nanoX-BT-E3845-4GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3845 at 1.91 GHz and 4GB non ECC DDR3L, ETT -40 +85
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t2nanoX-EL-x6211E-8G-32GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Elkhart Lake Atom x6211E, 8GB LPDDR4, 32GB EMMC, ETT
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t2nanoX-EL-x6413E-8G-32GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Elkhart Lake Atom x6413E, 8GB LPDDR4, 32GB EMMC, ETT
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