Produkte > T2N
Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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T2N3055 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 15A Power dissipation: 115W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2.5MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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T2N3055 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 15A Power dissipation: 115W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2.5MHz | auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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T2N3055HV | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 100W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 15A Power dissipation: 100W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2.5MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
T2N3055HV | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 100W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 15A Power dissipation: 100W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2.5MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
T2N3773 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 16A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 16A Power dissipation: 150W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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T2N3773 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 16A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 16A Power dissipation: 150W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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T2N40E | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
T2N50 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
T2N5087 | CDIL | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.625W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 250...800 Mounting: THT Frequency: 40MHz Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 9650 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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T2N5087 | CDIL | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.625W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 250...800 Mounting: THT Frequency: 40MHz | auf Bestellung 9650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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T2N5172 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.1A; 0.625W; TO92 Case: TO92 Frequency: 120MHz Collector-emitter voltage: 25V Current gain: 100...500 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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T2N5172 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.1A; 0.625W; TO92 Case: TO92 Frequency: 120MHz Collector-emitter voltage: 25V Current gain: 100...500 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Mounting: THT | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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T2N60E | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
T2N6257 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 20A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Case: TO3 Frequency: 200kHz Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 20A Power dissipation: 150W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT | auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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T2N6257 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 20A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Case: TO3 Frequency: 200kHz Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 20A Power dissipation: 150W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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T2N6371 | CDIL | 2N6371-CDI NPN THT transistors | auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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T2N6371HV | CDIL | 2N6371HV-CDI NPN THT transistors | auf Bestellung 911 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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T2N7002AK,LM | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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T2N7002AK,LM | Toshiba | MOSFETs Small-signal MOSFET | auf Bestellung 414745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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T2N7002AK,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V | auf Bestellung 236924 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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T2N7002AK,LM | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
T2N7002AK,LM | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
T2N7002AK,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V | auf Bestellung 236729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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T2N7002AK,LM(B | Toshiba | T2N7002AK,LM(B | auf Bestellung 1535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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T2N7002AK,LM(B | Toshiba | T2N7002AK,LM(B | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
T2N7002AK,LM(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
T2N7002AK,LM(T | TOSHIBA | T2N7002AK SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
T2N7002BK | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
T2N7002BK,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
T2N7002BK,LM | Toshiba | MOSFETs Small Signal Mosfet | auf Bestellung 95312 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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T2N7002BK,LM | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
T2N7002BK,LM | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
T2N7002BK,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | auf Bestellung 1498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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T2N7002BK,LM | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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T2N7002BK,LM(B | Toshiba | T2N7002BK,LM(B | auf Bestellung 8498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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T2N7002BK,LM(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
T2N7002BK,LM(T | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A Version: ESD | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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T2N7002BK,LM(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 720000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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T2N7002BK,LM(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 320mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 48394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
T2N7002BK,LM(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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T2N7002BK,LM(T | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A Version: ESD Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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T2N7002BK,LM(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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T2N7002BK,LM(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 48394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
T2N7002BK,LM(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
T2N7002BK,LM(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
T2N7002BK,LM(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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T2N7002BKLM(T | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
t2nanoX-AL-E3930-2G | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Apollo Lake-I E3930, 2GB I-temp DDR3L, ETT -40~+85 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
t2nanoX-AL-E3950-8G/TPM2.0 | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM Mini COM Express Type10 module with Intel Apollo Lake-I Atom E3950, 8GB DDR3L wide temperature range, TPM2.0 and ETT screening support | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3815-2G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3815 BAY TRAIL 2GB ETT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3815-2G/8G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3815 BAY TRAIL 2GB/8 ETT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3825-2G | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3825 at 1.33 GHz and 2GB non ECC DDR3L, ETT -40~+85 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3825-2G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3825 BAY TRAIL 2GB ETT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3825-2G/8G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3825 BAY TRAIL 2GB/8 ETT | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3826-2G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3826 at 1.46 GHz and 2GB I-temp non ECC DDR3L, ETT -40~+85 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3826-2G/8G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM EA) Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3826 at 1.46 GHz and 2GB non ECC DDR3L,and 8GB eMMC flash storage,ETT -40+85 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3827-2G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3827 BAY TRAIL 2GB ETT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3827-2G/8G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3827 BAY TRAIL 2GB/8 ETT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3827-2G/8GB | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3827 at 1.75 GHz and 2GB non ECC DDR3, 8GB eMMC flash storage, ETT -40~+85 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3845-2G | ADLINK Technology | t2nanoX-BT-E3845-2GMini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3845 at 1.91 GHz and 2GB I-temp non ECC DDR3L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3845-2G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3845 BAY TRAIL 2GB ETT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3845-2G/8G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3845 BAY TRAIL 2GB/8 ETT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3845-4G | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3845 at 1.91 GHz and 4GB non ECC DDR3L, ETT -40 +85 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |