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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
T2N3055CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
Produkt ist nicht verfügbar
T2N3055CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
T2N3055HVCDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 100W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
60+ 1.2 EUR
76+ 0.94 EUR
80+ 0.9 EUR
500+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 45
T2N3055HVCDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 100W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.6 EUR
60+ 1.2 EUR
76+ 0.94 EUR
80+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 45
T2N3773CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.8 EUR
26+ 2.85 EUR
34+ 2.12 EUR
36+ 2 EUR
Mindestbestellmenge: 19
T2N3773CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.8 EUR
26+ 2.85 EUR
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36+ 2 EUR
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T2N40E
auf Bestellung 90 Stücke:
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T2N50
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
T2N5087CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.625W; TO92; 2dB
Frequency: 40MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...800
Collector current: 50mA
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Noise Figure: 2dB
Mounting: THT
Case: TO92
auf Bestellung 5980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
630+0.11 EUR
1390+ 0.051 EUR
2010+ 0.036 EUR
2130+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 630
T2N5087CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.625W; TO92; 2dB
Frequency: 40MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...800
Collector current: 50mA
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Noise Figure: 2dB
Mounting: THT
Case: TO92
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 5980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
630+0.11 EUR
1390+ 0.051 EUR
2010+ 0.036 EUR
2130+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 630
T2N5172CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.1A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...500
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1220+0.059 EUR
2050+ 0.035 EUR
2280+ 0.031 EUR
2820+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1220
T2N5172CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.1A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...500
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1220+0.059 EUR
2050+ 0.035 EUR
2280+ 0.031 EUR
2820+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1220
T2N60E
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
T2N6257CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 20A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200kHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.8 EUR
45+ 1.62 EUR
46+ 1.59 EUR
50+ 1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 40
T2N6257CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 20A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200kHz
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.8 EUR
45+ 1.62 EUR
46+ 1.59 EUR
50+ 1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 40
T2N6371CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 15A; 117W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 15A
Power dissipation: 117W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 800Hz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.64 EUR
50+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 44
T2N6371CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 15A; 117W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 15A
Power dissipation: 117W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 800Hz
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.64 EUR
50+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 44
T2N6371HVCDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 90W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.82 EUR
44+ 1.64 EUR
45+ 1.6 EUR
50+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 40
T2N6371HVCDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 90W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.82 EUR
44+ 1.64 EUR
45+ 1.6 EUR
50+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 40
T2N7002AK,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
auf Bestellung 552000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+ 0.057 EUR
9000+ 0.048 EUR
30000+ 0.045 EUR
75000+ 0.039 EUR
150000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
T2N7002AK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4099+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 4099
T2N7002AK,LMToshibaMOSFET Small-signal MOSFET
auf Bestellung 522315 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
143+0.36 EUR
209+ 0.25 EUR
488+ 0.11 EUR
1000+ 0.075 EUR
3000+ 0.057 EUR
9000+ 0.052 EUR
24000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 143
T2N7002AK,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
auf Bestellung 552369 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
72+0.36 EUR
106+ 0.25 EUR
195+ 0.13 EUR
500+ 0.1 EUR
1000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 72
T2N7002AK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
T2N7002AK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
T2N7002AK,LM(BToshibaT2N7002AK,LM(B
Produkt ist nicht verfügbar
T2N7002AK,LM(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.76A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
T2N7002AK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
T2N7002AK,LM(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.76A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 30000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
T2N7002BKToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
T2N7002BK,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 321000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.066 EUR
6000+ 0.063 EUR
9000+ 0.053 EUR
30000+ 0.049 EUR
75000+ 0.043 EUR
150000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
T2N7002BK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
693+0.23 EUR
794+ 0.19 EUR
800+ 0.18 EUR
2084+ 0.067 EUR
2101+ 0.064 EUR
2119+ 0.061 EUR
3216+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 693
T2N7002BK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
T2N7002BK,LMToshibaMOSFET Small Signal Mosfet
auf Bestellung 271896 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
135+0.39 EUR
203+ 0.26 EUR
445+ 0.12 EUR
1000+ 0.07 EUR
3000+ 0.052 EUR
9000+ 0.049 EUR
24000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 135
T2N7002BK,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 326011 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
67+0.39 EUR
97+ 0.27 EUR
178+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 67
T2N7002BK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
T2N7002BK,LM(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
T2N7002BK,LM(BToshibaT2N7002BK,LM(B
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
683+0.23 EUR
1000+ 0.21 EUR
2500+ 0.2 EUR
5000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 683
T2N7002BK,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
auf Bestellung 14515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
T2N7002BK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
T2N7002BK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
T2N7002BK,LM(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1055+0.068 EUR
1345+ 0.053 EUR
1750+ 0.041 EUR
1855+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1055
T2N7002BK,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
auf Bestellung 14515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
T2N7002BK,LM(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1055+0.068 EUR
1345+ 0.053 EUR
1750+ 0.041 EUR
1855+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1055
T2N7002BK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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T2N7002BK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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T2N7002BKLM(TToshibaMOSFET
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t2nanoX-AL-E3930-2GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Apollo Lake-I E3930, 2GB I-temp DDR3L, ETT -40~+85
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t2nanoX-BT-E3815-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3815 BAY TRAIL 2GB ETT
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t2nanoX-BT-E3825-2GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3825 at 1.33 GHz and 2GB non ECC DDR3L, ETT -40~+85
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t2nanoX-BT-E3826-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3826 at 1.46 GHz and 2GB I-temp non ECC DDR3L, ETT -40~+85
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t2nanoX-BT-E3826-2G/8G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM EA) Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3826 at 1.46 GHz and 2GB non ECC DDR3L,and 8GB eMMC flash storage,ETT -40+85
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t2nanoX-BT-E3827-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3827 BAY TRAIL 2GB ETT
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t2nanoX-BT-E3827-2G/8G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3827 BAY TRAIL 2GB/8 ETT
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t2nanoX-BT-E3827-2G/8GBADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3827 at 1.75 GHz and 2GB non ECC DDR3, 8GB eMMC flash storage, ETT -40~+85
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t2nanoX-BT-E3845-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3845 BAY TRAIL 2GB ETT
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t2nanoX-BT-E3845-4GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3845 at 1.91 GHz and 4GB non ECC DDR3L, ETT -40 +85
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