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TJ9-8P8C Розетка 8Р8С тип 9 на плату
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TJ90S04M3LToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TJ90S04M3L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 489 Stücke:
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5+5.21 EUR
10+3.38 EUR
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TJ90S04M3L,LQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TJ90S04M3L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TJ90S04M3L,LQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ
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1+5.65 EUR
10+3.67 EUR
100+2.53 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.96 EUR
2000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TJ90S04M3L,LQ Transistor
Produktcode: 214290
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TJ90S04M3L,LXHQToshibaMOSFETs 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1+4.5 EUR
10+2.89 EUR
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1000+1.49 EUR
2000+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TJ90S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8551 Stücke:
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6+4.14 EUR
10+2.67 EUR
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500+1.45 EUR
1000+1.42 EUR
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TJ90S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2000+1.2 EUR
4000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TJ90S04M3L,LXHQ(OToshibaMOSFET Silicon P-Channel Mos (U-Mos 1 )
auf Bestellung 2000 Stücke:
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76+2.28 EUR
100+2.15 EUR
250+2.02 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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TJ90S04M3LLQ(OToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TJ9198GSF5-3.3DTAEJINDescription: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 0.035 mA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23-5L
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
PSRR: 55dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.19V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
auf Bestellung 34443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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TJ9198GSF5-3.3DSTMicroelectronics
auf Bestellung 42020 Stücke:
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TJ91UEB562LVishayPower Inductors - Leaded TJ9-1U 5.6K 15% EB E2
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TJ92UEB222LVishayPower Inductors - Leaded 2200uH 15%
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 106-110 Tag (e)
1+36.15 EUR
9+34.89 EUR
27+33.15 EUR
54+32.11 EUR
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TJ92UEB222LVishay / DalePower Inductors - Leaded 2200uH 15%
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.09 EUR
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TJ92UTG152LVishay / DalePower Inductors - Leaded Toroid 1500uH
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 Mindestbestellmenge: 2520 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TJ92UTG471LVishayFixed Inductors Toroid 470uH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TJ92UTG471LVishay / DalePower Inductors - Leaded Toroid 470uH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TJ95-ICSS-032U-17-OSTW-MOmegaDescription: TJ95-ICSS-032U-17-OSTW-M
Packaging: Bulk
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TJ96-CASS-18G-12-BXOmegaDescription: TJ96-CASS-18G-12-BX
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TJ96-ICSS-032U-2-SBOmegaDescription: TJ96-ICSS-032U-2-SB
Packaging: Bulk
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TJ96-ICSS-14E-3-BXOmegaDescription: TJ96-ICSS-14E-3-BX
Packaging: Bulk
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TJ96-ICSS-14G-12-BXOmegaDescription: TJ96-ICSS-14G-12-BX
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TJ98500117-P
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TJ9A10M3ToshibaMOSFETs
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TJ9A10M3,S4QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TJ9A10M3,S4QToshibaMOSFET PWR MOS PD=19W F=1MHZ
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TJ9A10M3,S4Q(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TJ9A10M3,S5Q(J)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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