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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BZX84W-B20F NEXPERIA BZX84W_SER.pdf BZX84W-B20F SMD Zener diodes
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BZX84W-B22X NEXPERIA BZX84W_SER.pdf BZX84W-B22X SMD Zener diodes
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BZX84W-B27-QF NEXPERIA BZX84W-B27-QF SMD Zener diodes
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BZX84W-B36X NEXPERIA BZX84W_SER.pdf BZX84W-B36X SMD Zener diodes
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BZX84W-B39F NEXPERIA BZX84W_SER.pdf BZX84W-B39F SMD Zener diodes
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BZX84W-B5V1F NEXPERIA BZX84W_SER.pdf BZX84W-B5V1F SMD Zener diodes
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BZX84W-B5V1X NEXPERIA BZX84W_SER.pdf BZX84W-B5V1X SMD Zener diodes
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BZX84W-C10-QX NEXPERIA BZX84W-C10-QX SMD Zener diodes
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BZX84W-C10X NEXPERIA BZX84W_SER.pdf BZX84W-C10X SMD Zener diodes
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BZX84W-C18X NEXPERIA BZX84W_SER.pdf BZX84W-C18X SMD Zener diodes
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BZX84W-C24-QF NEXPERIA BZX84W-C24-QF SMD Zener diodes
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BZX84W-C24F NEXPERIA BZX84W_SER.pdf BZX84W-C24F SMD Zener diodes
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BZX84W-C2V7-QF NEXPERIA BZX84W-C2V7-QF SMD Zener diodes
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BZX84W-C2V7F NEXPERIA BZX84W_SER.pdf BZX84W-C2V7F SMD Zener diodes
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BZX84W-C3V3-QX NEXPERIA BZX84W-Q_SER.pdf BZX84W-C3V3-QX SMD Zener diodes
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BZX84W-C3V3F NEXPERIA BZX84W_SER.pdf BZX84W-C3V3F SMD Zener diodes
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BZX84W-C3V6-QF NEXPERIA BZX84W-Q_SER.pdf BZX84W-C3V6-QF SMD Zener diodes
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BZX84W-C3V6-QX NEXPERIA BZX84W-Q_SER.pdf BZX84W-C3V6-QX SMD Zener diodes
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BZX84W-C4V7F NEXPERIA BZX84W_SER.pdf BZX84W-C4V7F SMD Zener diodes
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BZX84W-C4V7X NEXPERIA BZX84W_SER.pdf BZX84W-C4V7X SMD Zener diodes
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BZX84W-C5V1F NEXPERIA BZX84W_SER.pdf BZX84W-C5V1F SMD Zener diodes
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BZX84W-C5V6F NEXPERIA BZX84W_SER.pdf BZX84W-C5V6F SMD Zener diodes
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BZX84W-C8V2F NEXPERIA BZX84W_SER.pdf BZX84W-C8V2F SMD Zener diodes
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BZX884-B13,315 BZX884-B13,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 250mW; 13V; SMD; reel,tape; DFN1006-2,SOD882
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.25W
Zener voltage: 13V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-2; SOD882
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BZX884-B15,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-B15.315 SMD Zener diodes
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BZX884-B16,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-B16.315 SMD Zener diodes
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BZX884-B18,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-B18.315 SMD Zener diodes
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BZX884-B30,315 BZX884-B30,315 NEXPERIA PHGLS19465-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 250mW; 30V; SMD; reel,tape; DFN1006-2,SOD882
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Zener
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
Tolerance: ±2%
Zener voltage: 30V
Case: DFN1006-2; SOD882
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BZX884-B33,315 BZX884-B33,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 250mW; 33V; SMD; reel,tape; DFN1006-2,SOD882
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.25W
Zener voltage: 33V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-2; SOD882
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
Leakage current: 50nA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9986 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
341+0.21 EUR
722+0.099 EUR
1471+0.049 EUR
1556+0.046 EUR
10000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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BZX884-B36,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-B36.315 SMD Zener diodes
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BZX884-B3V3,315 BZX884-B3V3,315 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA0CEFC647E5980C7&compId=BZX884_SER.pdf?ci_sign=0b16d9a75958a61c875ff450ff36da09ee6386f0 Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.25W; 3.3V; SMD; reel,tape; DFN1006-2,SOD882; Ir: 5uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.25W
Zener voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-2; SOD882
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
Leakage current: 5µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BZX884-B3V9,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-B3V9.315 SMD Zener diodes
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
263+0.27 EUR
1521+0.047 EUR
1609+0.044 EUR
5000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 263
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BZX884-B4V7,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-B4V7.315 SMD Zener diodes
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BZX884-B5V1,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-B5V1.315 SMD Zener diodes
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BZX884-B6V2,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-B6V2.315 SMD Zener diodes
auf Bestellung 9830 Stücke:
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201+0.36 EUR
1568+0.046 EUR
1662+0.043 EUR
100000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 201
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BZX884-B8V2,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-B8V2.315 SMD Zener diodes
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BZX884-B9V1,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-B9V1.315 SMD Zener diodes
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BZX884-C10,315 BZX884-C10,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 250mW; 10V; SMD; reel,tape; DFN1006-2,SOD882
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Zener
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 10V
Case: DFN1006-2; SOD882
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BZX884-C15,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-C15.315 SMD Zener diodes
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BZX884-C18,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-C18.315 SMD Zener diodes
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BZX884-C30,315 BZX884-C30,315 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA0CEFC647E5980C7&compId=BZX884_SER.pdf?ci_sign=0b16d9a75958a61c875ff450ff36da09ee6386f0 Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.25W; 30V; SMD; reel,tape; DFN1006-2,SOD882
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Zener
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 30V
Case: DFN1006-2; SOD882
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX884-C36,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-C36.315 SMD Zener diodes
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BZX884-C3V6,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-C3V6.315 SMD Zener diodes
auf Bestellung 3218 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
211+0.34 EUR
1629+0.044 EUR
1725+0.041 EUR
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 211
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BZX884-C4V3,315 BZX884-C4V3,315 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA0CEFC647E5980C7&compId=BZX884_SER.pdf?ci_sign=0b16d9a75958a61c875ff450ff36da09ee6386f0 Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.25W; 4.3V; SMD; reel,tape; DFN1006-2,SOD882; Ir: 3uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.25W
Zener voltage: 4.3V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-2; SOD882
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
Leakage current: 3µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BZX884-C4V7,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-C4V7.315 SMD Zener diodes
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BZX884-C56,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-C56.315 SMD Zener diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX884-C5V6,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-C5V6.315 SMD Zener diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX884-C6V2,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-C6V2.315 SMD Zener diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX884-C8V2,315 NEXPERIA BZX884_BC_SER.pdf BZX884-C8V2.315 SMD Zener diodes
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GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBED197D0589900C7&compId=GAN041-650WSB.pdf?ci_sign=898d1b882129069515e6102f86ab73d2826acd96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33.4A
Pulsed drain current: 240A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.7 EUR
30+14.03 EUR
300+13.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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GAN063-650WSAQ GAN063-650WSAQ NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBED3767B757160C7&compId=GAN063-650WSA.pdf?ci_sign=87d585a5d2bd9c8f876d3aaa484f18e7d3929f08 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24.4A
Pulsed drain current: 150A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 143W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZ NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FAA87DFFA1E0D6&compId=GAN080-650EBE.pdf?ci_sign=90f43057e980b9d6da9c78399b73ec997f59569b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 29A; Idm: 58A; 240W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 58A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -6...7V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 240W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZ NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FAB41E0794A0D6&compId=GAN140-650EBE.pdf?ci_sign=0434b100b07e91ccca652f5815d9f11711e6ad3d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZ NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FABCACF3F3C0D6&compId=GAN140-650FBE.pdf?ci_sign=a08e563dd3a81a417a59fe5b6c94b5b0cfdc25aa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZ NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FAC891047C40D6&compId=GAN190-650EBE.pdf?ci_sign=c10bc89d340a42d71cf119e4ad233b72a9cec9df Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZ NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FAD2C3B51260D6&compId=GAN190-650FBE.pdf?ci_sign=2b5dce18527c20356551114f40def3f37df65394 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3R2-100CBEAZ NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FAEAFEB170E0D6&compId=GAN3R2-100CBE.pdf?ci_sign=23aa46b26608778d9a659fe092580152969ddbd5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 60A; Idm: 230A; 394W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 230A
Case: WLCSP8
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 394W
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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GAN7R0-150LBEZ NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FADE398137E0D6&compId=GAN7R0-150LBE.pdf?ci_sign=0fd43f73e68749ad32ff09f42b52be78c280a641 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 150V; 28A; Idm: 120A; 28W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 120A
Case: FCLGA3
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 28W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HEF4001BT,653 HEF4001BT,653 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED4A1BC3F029021F5EA&compId=HEF4001BP.pdf?ci_sign=1d2e0b85241847583ab3118ebe6cc5c86cbb8394 Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; reel,tape; HEF4000B
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Kind of package: reel; tape
Family: HEF4000B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
230+0.31 EUR
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348+0.21 EUR
350+0.2 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HEF4007UBT,653 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9DDDD43C5982E0D3&compId=HEF4007UB.pdf?ci_sign=7ae79cc814111ad8b0c9afc2fb389860867d1e95 Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter,complementary pair; CMOS; SMD; SO14; 3÷15VDC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO14
Technology: CMOS
Kind of integrated circuit: complementary pair; inverter
Type of integrated circuit: digital
Family: HEF4000B
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...15V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BZX84W-C5V6F SMD Zener diodes
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BZX84W-C8V2F SMD Zener diodes
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BZX884-B13,315
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 250mW; 13V; SMD; reel,tape; DFN1006-2,SOD882
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.25W
Zener voltage: 13V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-2; SOD882
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BZX884-B15,315 BZX884_BC_SER.pdf
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BZX884-B15.315 SMD Zener diodes
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BZX884-B16.315 SMD Zener diodes
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BZX884-B18.315 SMD Zener diodes
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BZX884-B30,315 PHGLS19465-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BZX884-B30,315
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 250mW; 30V; SMD; reel,tape; DFN1006-2,SOD882
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Zener
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
Tolerance: ±2%
Zener voltage: 30V
Case: DFN1006-2; SOD882
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BZX884-B33,315 BZX884_BC_SER.pdf
BZX884-B33,315
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 250mW; 33V; SMD; reel,tape; DFN1006-2,SOD882
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.25W
Zener voltage: 33V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-2; SOD882
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
Leakage current: 50nA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9986 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
341+0.21 EUR
722+0.099 EUR
1471+0.049 EUR
1556+0.046 EUR
10000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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BZX884-B36,315 BZX884_BC_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BZX884-B36.315 SMD Zener diodes
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BZX884-B3V3,315 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA0CEFC647E5980C7&compId=BZX884_SER.pdf?ci_sign=0b16d9a75958a61c875ff450ff36da09ee6386f0
BZX884-B3V3,315
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.25W; 3.3V; SMD; reel,tape; DFN1006-2,SOD882; Ir: 5uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.25W
Zener voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-2; SOD882
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
Leakage current: 5µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BZX884-B3V9.315 SMD Zener diodes
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
263+0.27 EUR
1521+0.047 EUR
1609+0.044 EUR
5000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 263
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BZX884-B6V2.315 SMD Zener diodes
auf Bestellung 9830 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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201+0.36 EUR
1568+0.046 EUR
1662+0.043 EUR
100000+0.041 EUR
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BZX884-B8V2.315 SMD Zener diodes
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BZX884-C10,315 BZX884_BC_SER.pdf
BZX884-C10,315
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 250mW; 10V; SMD; reel,tape; DFN1006-2,SOD882
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Zener
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 10V
Case: DFN1006-2; SOD882
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BZX884-C30,315 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA0CEFC647E5980C7&compId=BZX884_SER.pdf?ci_sign=0b16d9a75958a61c875ff450ff36da09ee6386f0
BZX884-C30,315
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.25W; 30V; SMD; reel,tape; DFN1006-2,SOD882
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Zener
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 30V
Case: DFN1006-2; SOD882
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BZX884-C36,315 BZX884_BC_SER.pdf
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BZX884-C3V6.315 SMD Zener diodes
auf Bestellung 3218 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
211+0.34 EUR
1629+0.044 EUR
1725+0.041 EUR
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 211
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BZX884-C4V3,315 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA0CEFC647E5980C7&compId=BZX884_SER.pdf?ci_sign=0b16d9a75958a61c875ff450ff36da09ee6386f0
BZX884-C4V3,315
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.25W; 4.3V; SMD; reel,tape; DFN1006-2,SOD882; Ir: 3uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.25W
Zener voltage: 4.3V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-2; SOD882
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
Leakage current: 3µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BZX884-C4V7,315 BZX884_BC_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BZX884-C4V7.315 SMD Zener diodes
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BZX884-C56,315 BZX884_BC_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
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BZX884-C5V6,315 BZX884_BC_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BZX884-C5V6.315 SMD Zener diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX884-C6V2,315 BZX884_BC_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BZX884-C6V2.315 SMD Zener diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX884-C8V2,315 BZX884_BC_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BZX884-C8V2.315 SMD Zener diodes
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GAN041-650WSBQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBED197D0589900C7&compId=GAN041-650WSB.pdf?ci_sign=898d1b882129069515e6102f86ab73d2826acd96
GAN041-650WSBQ
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33.4A
Pulsed drain current: 240A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.7 EUR
30+14.03 EUR
300+13.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBED3767B757160C7&compId=GAN063-650WSA.pdf?ci_sign=87d585a5d2bd9c8f876d3aaa484f18e7d3929f08
GAN063-650WSAQ
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24.4A
Pulsed drain current: 150A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 143W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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GAN080-650EBEZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FAA87DFFA1E0D6&compId=GAN080-650EBE.pdf?ci_sign=90f43057e980b9d6da9c78399b73ec997f59569b
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 29A; Idm: 58A; 240W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 58A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -6...7V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 240W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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GAN140-650EBEZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FAB41E0794A0D6&compId=GAN140-650EBE.pdf?ci_sign=0434b100b07e91ccca652f5815d9f11711e6ad3d
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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GAN140-650FBEZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FABCACF3F3C0D6&compId=GAN140-650FBE.pdf?ci_sign=a08e563dd3a81a417a59fe5b6c94b5b0cfdc25aa
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FAC891047C40D6&compId=GAN190-650EBE.pdf?ci_sign=c10bc89d340a42d71cf119e4ad233b72a9cec9df
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FAD2C3B51260D6&compId=GAN190-650FBE.pdf?ci_sign=2b5dce18527c20356551114f40def3f37df65394
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3R2-100CBEAZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FAEAFEB170E0D6&compId=GAN3R2-100CBE.pdf?ci_sign=23aa46b26608778d9a659fe092580152969ddbd5
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 60A; Idm: 230A; 394W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 230A
Case: WLCSP8
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 394W
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN7R0-150LBEZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FADE398137E0D6&compId=GAN7R0-150LBE.pdf?ci_sign=0fd43f73e68749ad32ff09f42b52be78c280a641
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 150V; 28A; Idm: 120A; 28W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 120A
Case: FCLGA3
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 28W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HEF4001BT,653 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED4A1BC3F029021F5EA&compId=HEF4001BP.pdf?ci_sign=1d2e0b85241847583ab3118ebe6cc5c86cbb8394
HEF4001BT,653
Hersteller: NEXPERIA
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; reel,tape; HEF4000B
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Kind of package: reel; tape
Family: HEF4000B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
230+0.31 EUR
272+0.26 EUR
311+0.23 EUR
332+0.22 EUR
348+0.21 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HEF4007UBT,653 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9DDDD43C5982E0D3&compId=HEF4007UB.pdf?ci_sign=7ae79cc814111ad8b0c9afc2fb389860867d1e95
Hersteller: NEXPERIA
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter,complementary pair; CMOS; SMD; SO14; 3÷15VDC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO14
Technology: CMOS
Kind of integrated circuit: complementary pair; inverter
Type of integrated circuit: digital
Family: HEF4000B
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...15V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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