Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NMUX1308BQ-Q100X | NEXPERIA |
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NMUX1308BQX | NEXPERIA |
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NMUX1308PW-Q100J | NEXPERIA |
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NMUX1308PWJ | NEXPERIA |
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NPS4053GHZ | NEXPERIA |
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NSF040120L3A0Q | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NSF080120L3A0Q | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 183W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NUP1301-QR | NEXPERIA |
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NUP1301,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SOT23 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 220W Max. off-state voltage: 80V Semiconductor structure: unidirectional Case: SOT23 Mounting: SMD Leakage current: 0.1µA Max. forward impulse current: 4A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 727 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NUP1301U-QX | NEXPERIA |
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NUP1301U,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SC70,SOT323; ESD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 220W Max. off-state voltage: 80V Semiconductor structure: unidirectional Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Leakage current: 0.1µA Version: ESD Max. forward impulse current: 4A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3025 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX138AKR | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 0.265W; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A Power dissipation: 0.265W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 1.4nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2702 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX138AKVL | NEXPERIA |
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auf Bestellung 9440 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX138BKR | NEXPERIA |
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NX138BKWX | NEXPERIA |
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NX2301P,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 400mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 6nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5628 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3008CBKS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW Mounting: SMD Drain current: 0.35/-0.2A Power dissipation: 0.99W On-state resistance: 1.4/4.1Ω Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 30/-30V Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate charge: 0.68/0.72nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5063 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3008CBKV,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.4/-0.22A; 1.09W Mounting: SMD Drain current: 0.4/-0.22A Power dissipation: 1.09W On-state resistance: 1.4/4.1Ω Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 30/-30V Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SOT666 Gate charge: 0.68/0.72nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NX3008NBK,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 350mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.68nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9246 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3008NBKS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 280mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.35A Power dissipation: 0.28W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6033 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3008NBKV,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 330mW; SOT666 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.33W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NX3008NBKW,115 | NEXPERIA |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 260mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.35A Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.26W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1303 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3008PBK,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.23A; 420mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.23A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 4.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.72nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3008PBKS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 80mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.2A Power dissipation: 80mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 4.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.72nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3816 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3008PBKV,115 | NEXPERIA |
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NX3008PBKW,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 260mW; SC70,SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -200mA Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 4.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.26W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2546 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3020NAK,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125mA; Idm: 0.8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.125A Pulsed drain current: 0.8A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.44nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1659 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3020NAKS,115 | NEXPERIA |
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auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3020NAKV,115 | NEXPERIA |
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auf Bestellung 1484 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3020NAKW,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.11A; 300mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.11A Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.3W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3327 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX6008NBKR | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 1A; 270mW Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Polarisation: unipolar Gate charge: 0.5nC Drain current: 0.27A Power dissipation: 0.27W Pulsed drain current: 1A On-state resistance: 2.8Ω Gate-source voltage: ±8V Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NX6020CAKSX | NEXPERIA |
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NX7002AK,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 325mW Drain current: 0.12A On-state resistance: 6.2Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 12840 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX7002AKS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; 330mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.1A Pulsed drain current: 0.68A Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.33W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NX7002AKVL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120mA; Idm: 760mA; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A Pulsed drain current: 0.76A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5073 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX7002AKW,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.1A Pulsed drain current: 0.68A Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6380 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX7002BKHH | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 1.4A; 380mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.35A Pulsed drain current: 1.4A Power dissipation: 0.38W Case: DFN0606-3; SOT8001 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NX7002BKMBYL | NEXPERIA |
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auf Bestellung 8633 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX7002BKMYL | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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NX7002BKR | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.9A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 5.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 1nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX7002BKSX | NEXPERIA |
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auf Bestellung 3067 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX7002BKWX | NEXPERIA |
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auf Bestellung 2527 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX7002BKXBZ | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0101GS-Q100H | NEXPERIA | NXB0101GS-Q100H Level translators |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0101GW-Q100H | NEXPERIA | NXB0101GW-Q100H Level translators |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0101GWH | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0102DC-Q100H | NEXPERIA |
![]() Description: IC: digital; 2bit,bidirectional,transceiver,translator; VSSOP8 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: 2bit; bidirectional; transceiver; translator Supply voltage: 1.2...3.6V DC; 1.65...5.5V DC Case: VSSOP8 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Kind of output: 3-state Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0102DCH | NEXPERIA |
![]() Description: IC: digital; 2bit,bidirectional,transceiver,translator; VSSOP8 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: 2bit; bidirectional; transceiver; translator Supply voltage: 1.2...3.6V DC; 1.65...5.5V DC Case: VSSOP8 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Kind of output: 3-state Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0102GTX | NEXPERIA |
![]() Description: IC: digital; 2bit,bidirectional,transceiver,translator; XSON8 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: 2bit; bidirectional; transceiver; translator Supply voltage: 1.2...3.6V DC; 1.65...5.5V DC Case: XSON8 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Kind of output: 3-state Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0104BQ-Q100X | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0104BQX | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0104GU12-Q100X | NEXPERIA |
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NXB0104GU12X | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0104PW-Q100J | NEXPERIA |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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NXB0104PWJ | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0108BQ-Q100X | NEXPERIA |
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NXB0108BQX | NEXPERIA |
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auf Bestellung 2831 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NXB0108PW-Q100J | NEXPERIA |
![]() Description: IC: digital; 8bit,bidirectional,transceiver,translator; TSSOP20 Type of integrated circuit: digital Case: TSSOP20 Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 1.2...3.6V DC; 1.65...5.5V DC Kind of output: 3-state Kind of integrated circuit: 8bit; bidirectional; transceiver; translator Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2378 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NXB0108PWJ | NEXPERIA |
![]() Description: IC: digital; bidirectional,transceiver,translator; Ch: 8; SMD Type of integrated circuit: digital Case: TSSOP20 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 1.2...3.6V DC Number of channels: 8 Kind of output: 3-state Kind of integrated circuit: bidirectional; transceiver; translator Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXP3875GR | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
NMUX1308BQ-Q100X |
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Hersteller: NEXPERIA
NMUX1308BQ-Q100X Analog multiplexers and switches
NMUX1308BQ-Q100X Analog multiplexers and switches
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NMUX1308BQX |
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Hersteller: NEXPERIA
NMUX1308BQX Analog multiplexers and switches
NMUX1308BQX Analog multiplexers and switches
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NMUX1308PW-Q100J |
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Hersteller: NEXPERIA
NMUX1308PW-Q100J Analog multiplexers and switches
NMUX1308PW-Q100J Analog multiplexers and switches
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NMUX1308PWJ |
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Hersteller: NEXPERIA
NMUX1308PWJ Analog multiplexers and switches
NMUX1308PWJ Analog multiplexers and switches
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NPS4053GHZ |
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Hersteller: NEXPERIA
NPS4053GHZ Power switches - integrated circuits
NPS4053GHZ Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NSF040120L3A0Q |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3+ | 24.35 EUR |
4+ | 23.02 EUR |
NSF080120L3A0Q |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 14.21 EUR |
NUP1301-QR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NUP1301-QR Unidirectional TVS SMD diodes
NUP1301-QR Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NUP1301,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SOT23
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 220W
Max. off-state voltage: 80V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SOT23
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 220W
Max. off-state voltage: 80V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
385+ | 0.19 EUR |
455+ | 0.16 EUR |
715+ | 0.1 EUR |
727+ | 0.099 EUR |
NUP1301U-QX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NUP1301U-QX Unidirectional TVS SMD diodes
NUP1301U-QX Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NUP1301U,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SC70,SOT323; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 220W
Max. off-state voltage: 80V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SC70,SOT323; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 220W
Max. off-state voltage: 80V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
358+ | 0.2 EUR |
439+ | 0.16 EUR |
500+ | 0.14 EUR |
685+ | 0.1 EUR |
770+ | 0.093 EUR |
863+ | 0.083 EUR |
910+ | 0.079 EUR |
NX138AKR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 0.265W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 1.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 0.265W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 1.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2702 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
455+ | 0.16 EUR |
667+ | 0.11 EUR |
1247+ | 0.057 EUR |
1909+ | 0.037 EUR |
2146+ | 0.033 EUR |
2273+ | 0.031 EUR |
3000+ | 0.03 EUR |
NX138AKVL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX138AKVL SMD N channel transistors
NX138AKVL SMD N channel transistors
auf Bestellung 9440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1316+ | 0.054 EUR |
2273+ | 0.031 EUR |
2404+ | 0.03 EUR |
NX138BKR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX138BKR SMD N channel transistors
NX138BKR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NX138BKWX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX138BKWX SMD N channel transistors
NX138BKWX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NX2301P,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 400mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 400mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5628 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
239+ | 0.3 EUR |
338+ | 0.21 EUR |
439+ | 0.16 EUR |
496+ | 0.14 EUR |
897+ | 0.08 EUR |
949+ | 0.075 EUR |
3000+ | 0.073 EUR |
NX3008CBKS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW
Mounting: SMD
Drain current: 0.35/-0.2A
Power dissipation: 0.99W
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30/-30V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate charge: 0.68/0.72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW
Mounting: SMD
Drain current: 0.35/-0.2A
Power dissipation: 0.99W
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30/-30V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate charge: 0.68/0.72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
179+ | 0.4 EUR |
228+ | 0.31 EUR |
264+ | 0.27 EUR |
379+ | 0.19 EUR |
447+ | 0.16 EUR |
705+ | 0.1 EUR |
736+ | 0.097 EUR |
NX3008CBKV,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.4/-0.22A; 1.09W
Mounting: SMD
Drain current: 0.4/-0.22A
Power dissipation: 1.09W
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30/-30V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT666
Gate charge: 0.68/0.72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.4/-0.22A; 1.09W
Mounting: SMD
Drain current: 0.4/-0.22A
Power dissipation: 1.09W
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30/-30V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT666
Gate charge: 0.68/0.72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NX3008NBK,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.68nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.68nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9246 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
264+ | 0.27 EUR |
338+ | 0.21 EUR |
400+ | 0.18 EUR |
760+ | 0.094 EUR |
1593+ | 0.045 EUR |
1684+ | 0.042 EUR |
NX3008NBKS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 280mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 280mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6033 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
167+ | 0.43 EUR |
232+ | 0.31 EUR |
281+ | 0.25 EUR |
443+ | 0.16 EUR |
532+ | 0.13 EUR |
618+ | 0.12 EUR |
650+ | 0.11 EUR |
NX3008NBKV,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 330mW; SOT666
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 330mW; SOT666
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NX3008NBKW,115 |
![]() ![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.35A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.26W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.35A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.26W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
239+ | 0.3 EUR |
355+ | 0.2 EUR |
704+ | 0.1 EUR |
1303+ | 0.054 EUR |
3000+ | 0.046 EUR |
NX3008PBK,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.23A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.23A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.23A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.23A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
426+ | 0.17 EUR |
982+ | 0.073 EUR |
NX3008PBKS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 80mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.2A
Power dissipation: 80mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 80mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.2A
Power dissipation: 80mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3816 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
228+ | 0.31 EUR |
327+ | 0.22 EUR |
391+ | 0.18 EUR |
506+ | 0.14 EUR |
667+ | 0.11 EUR |
705+ | 0.1 EUR |
1000+ | 0.099 EUR |
NX3008PBKV,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX3008PBKV.115 SMD P channel transistors
NX3008PBKV.115 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NX3008PBKW,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -200mA
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.26W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -200mA
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.26W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2546 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
264+ | 0.27 EUR |
360+ | 0.2 EUR |
538+ | 0.13 EUR |
648+ | 0.11 EUR |
1158+ | 0.062 EUR |
1223+ | 0.058 EUR |
NX3020NAK,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125mA; Idm: 0.8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.125A
Pulsed drain current: 0.8A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.44nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125mA; Idm: 0.8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.125A
Pulsed drain current: 0.8A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.44nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
358+ | 0.2 EUR |
486+ | 0.15 EUR |
613+ | 0.12 EUR |
901+ | 0.079 EUR |
1659+ | 0.043 EUR |
3000+ | 0.032 EUR |
NX3020NAKS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX3020NAKS.115 Multi channel transistors
NX3020NAKS.115 Multi channel transistors
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
240+ | 0.3 EUR |
892+ | 0.08 EUR |
942+ | 0.076 EUR |
3000+ | 0.073 EUR |
NX3020NAKV,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX3020NAKV.115 Multi channel transistors
NX3020NAKV.115 Multi channel transistors
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
152+ | 0.47 EUR |
742+ | 0.096 EUR |
785+ | 0.091 EUR |
100000+ | 0.087 EUR |
NX3020NAKW,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.11A; 300mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.11A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.3W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.11A; 300mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.11A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.3W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3327 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
313+ | 0.23 EUR |
368+ | 0.19 EUR |
428+ | 0.17 EUR |
699+ | 0.1 EUR |
887+ | 0.081 EUR |
1548+ | 0.046 EUR |
1701+ | 0.042 EUR |
NX6008NBKR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 1A; 270mW
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.5nC
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.27W
Pulsed drain current: 1A
On-state resistance: 2.8Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 1A; 270mW
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.5nC
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.27W
Pulsed drain current: 1A
On-state resistance: 2.8Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
NX6020CAKSX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX6020CAKSX Multi channel transistors
NX6020CAKSX Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
NX7002AK,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 325mW
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 6.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 325mW
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 6.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
612+ | 0.12 EUR |
807+ | 0.089 EUR |
910+ | 0.079 EUR |
1634+ | 0.044 EUR |
2093+ | 0.034 EUR |
2500+ | 0.029 EUR |
3013+ | 0.024 EUR |
NX7002AKS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; 330mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 0.68A
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.33W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; 330mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 0.68A
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.33W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
NX7002AKVL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120mA; Idm: 760mA; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120mA; Idm: 760mA; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5073 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
500+ | 0.14 EUR |
569+ | 0.13 EUR |
667+ | 0.11 EUR |
1055+ | 0.068 EUR |
1303+ | 0.055 EUR |
2017+ | 0.035 EUR |
2337+ | 0.031 EUR |
NX7002AKW,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 0.68A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 0.68A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
417+ | 0.17 EUR |
472+ | 0.15 EUR |
544+ | 0.13 EUR |
695+ | 0.1 EUR |
1055+ | 0.068 EUR |
1667+ | 0.043 EUR |
2137+ | 0.033 EUR |
NX7002BKHH |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 1.4A; 380mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.38W
Case: DFN0606-3; SOT8001
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 1.4A; 380mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.38W
Case: DFN0606-3; SOT8001
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
NX7002BKMBYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX7002BKMBYL SMD N channel transistors
NX7002BKMBYL SMD N channel transistors
auf Bestellung 8633 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
329+ | 0.22 EUR |
1401+ | 0.051 EUR |
1480+ | 0.048 EUR |
NX7002BKMYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX7002BKMYL SMD N channel transistors
NX7002BKMYL SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
NX7002BKR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.9A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.9A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
500+ | 0.14 EUR |
658+ | 0.11 EUR |
958+ | 0.075 EUR |
1142+ | 0.063 EUR |
1737+ | 0.041 EUR |
2337+ | 0.031 EUR |
2464+ | 0.029 EUR |
NX7002BKSX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX7002BKSX SMD N channel transistors
NX7002BKSX SMD N channel transistors
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
310+ | 0.23 EUR |
1161+ | 0.062 EUR |
1226+ | 0.058 EUR |
NX7002BKWX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX7002BKWX SMD N channel transistors
NX7002BKWX SMD N channel transistors
auf Bestellung 2527 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
283+ | 0.25 EUR |
1970+ | 0.036 EUR |
2083+ | 0.034 EUR |
45000+ | 0.033 EUR |
NX7002BKXBZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX7002BKXBZ Multi channel transistors
NX7002BKXBZ Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXB0101GS-Q100H |
Hersteller: NEXPERIA
NXB0101GS-Q100H Level translators
NXB0101GS-Q100H Level translators
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXB0101GW-Q100H |
Hersteller: NEXPERIA
NXB0101GW-Q100H Level translators
NXB0101GW-Q100H Level translators
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXB0101GWH |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NXB0101GWH Level translators
NXB0101GWH Level translators
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXB0102DC-Q100H |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Level translators
Description: IC: digital; 2bit,bidirectional,transceiver,translator; VSSOP8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 2bit; bidirectional; transceiver; translator
Supply voltage: 1.2...3.6V DC; 1.65...5.5V DC
Case: VSSOP8
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Level translators
Description: IC: digital; 2bit,bidirectional,transceiver,translator; VSSOP8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 2bit; bidirectional; transceiver; translator
Supply voltage: 1.2...3.6V DC; 1.65...5.5V DC
Case: VSSOP8
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXB0102DCH |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Level translators
Description: IC: digital; 2bit,bidirectional,transceiver,translator; VSSOP8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 2bit; bidirectional; transceiver; translator
Supply voltage: 1.2...3.6V DC; 1.65...5.5V DC
Case: VSSOP8
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Level translators
Description: IC: digital; 2bit,bidirectional,transceiver,translator; VSSOP8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 2bit; bidirectional; transceiver; translator
Supply voltage: 1.2...3.6V DC; 1.65...5.5V DC
Case: VSSOP8
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXB0102GTX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Level translators
Description: IC: digital; 2bit,bidirectional,transceiver,translator; XSON8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 2bit; bidirectional; transceiver; translator
Supply voltage: 1.2...3.6V DC; 1.65...5.5V DC
Case: XSON8
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: Level translators
Description: IC: digital; 2bit,bidirectional,transceiver,translator; XSON8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 2bit; bidirectional; transceiver; translator
Supply voltage: 1.2...3.6V DC; 1.65...5.5V DC
Case: XSON8
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXB0104BQ-Q100X |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NXB0104BQ-Q100X Level translators
NXB0104BQ-Q100X Level translators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXB0104BQX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NXB0104BQX Level translators
NXB0104BQX Level translators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXB0104GU12-Q100X |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NXB0104GU12-Q100X Level translators
NXB0104GU12-Q100X Level translators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXB0104GU12X |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NXB0104GU12X Level translators
NXB0104GU12X Level translators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXB0104PW-Q100J |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NXB0104PW-Q100J Level translators
NXB0104PW-Q100J Level translators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXB0104PWJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NXB0104PWJ Level translators
NXB0104PWJ Level translators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXB0108BQ-Q100X |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NXB0108BQ-Q100X Level translators
NXB0108BQ-Q100X Level translators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXB0108BQX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NXB0108BQX Level translators
NXB0108BQX Level translators
auf Bestellung 2831 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 1.35 EUR |
108+ | 0.67 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
NXB0108PW-Q100J |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Level translators
Description: IC: digital; 8bit,bidirectional,transceiver,translator; TSSOP20
Type of integrated circuit: digital
Case: TSSOP20
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 1.2...3.6V DC; 1.65...5.5V DC
Kind of output: 3-state
Kind of integrated circuit: 8bit; bidirectional; transceiver; translator
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Level translators
Description: IC: digital; 8bit,bidirectional,transceiver,translator; TSSOP20
Type of integrated circuit: digital
Case: TSSOP20
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 1.2...3.6V DC; 1.65...5.5V DC
Kind of output: 3-state
Kind of integrated circuit: 8bit; bidirectional; transceiver; translator
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
64+ | 1.13 EUR |
90+ | 0.8 EUR |
98+ | 0.73 EUR |
106+ | 0.68 EUR |
108+ | 0.66 EUR |
NXB0108PWJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,transceiver,translator; Ch: 8; SMD
Type of integrated circuit: digital
Case: TSSOP20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 1.2...3.6V DC
Number of channels: 8
Kind of output: 3-state
Kind of integrated circuit: bidirectional; transceiver; translator
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,transceiver,translator; Ch: 8; SMD
Type of integrated circuit: digital
Case: TSSOP20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 1.2...3.6V DC
Number of channels: 8
Kind of output: 3-state
Kind of integrated circuit: bidirectional; transceiver; translator
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXP3875GR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NXP3875GR NPN SMD transistors
NXP3875GR NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH