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ohne MwSt
BCP53-16HX BCP53-16HX NEXPERIA BCP53H_SER.pdf Description: NEXPERIA - BCP53-16HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCP56-10,115 BCP56-10,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002912338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCP56-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCP56TX BCP56TX NEXPERIA NEXP-S-A0003101067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCP56TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCP56TX BCP56TX NEXPERIA NEXP-S-A0003101067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCP56TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCP56-16HX BCP56-16HX NEXPERIA 2577987.pdf Description: NEXPERIA - BCP56-16HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCP56-10HX BCP56-10HX NEXPERIA 2577987.pdf Description: NEXPERIA - BCP56-10HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX84-C5V6,215 BZX84-C5V6,215 NEXPERIA 1808429.pdf Description: NEXPERIA - BZX84-C5V6,215 - Zener-Diode, 5.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 249000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PDZ33B,115 PDZ33B,115 NEXPERIA 2856375.pdf Description: NEXPERIA - PDZ33B,115 - Zener-Diode, 33 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PDTB123YT,215 PDTB123YT,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002881455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTB123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTB123Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC847BW,115 BC847BW,115 NEXPERIA 1856333.pdf Description: NEXPERIA - BC847BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 483000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BAS40W,115 BAS40W,115 NEXPERIA BAS40W.pdf Description: NEXPERIA - BAS40W,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BAS40W,115 BAS40W,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003408281-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BAS40W,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 150 °C
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrverzögerungszeit: -
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PBSS5220T,215 PBSS5220T,215 NEXPERIA PIRSS03338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5220T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 225hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PBSS4320X,135 PBSS4320X,135 NEXPERIA PIRSS13160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS4320X,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 550 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Verlustleistung: 550
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BCV27,215 BCV27,215 NEXPERIA 953910.pdf Description: NEXPERIA - BCV27,215 - Darlington-Transistor, Zweifach npn, 30 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 4000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 4000hFE
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Verlustleistung Pd: 250mW
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC817RAZ BC817RAZ NEXPERIA 2363495.pdf Description: NEXPERIA - BC817RAZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1412
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK9880-55A/CUX BUK9880-55A/CUX NEXPERIA BUK9880-55A.pdf Description: NEXPERIA - BUK9880-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 7 A, 0.062 ohm, SC-73, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
auf Bestellung 5036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55-16,115 BCX55-16,115 NEXPERIA 1511857.pdf Description: NEXPERIA - BCX55-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PESD15VL1BA,115 PESD15VL1BA,115 NEXPERIA NEXP-S-A0009021632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PESD15VL1BA,115 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 25 V, SOD-323, 2 Pin(s), 15 V, PESD1
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 15V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 92966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55-10,115 BCX55-10,115 NEXPERIA 1511857.pdf Description: NEXPERIA - BCX55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55-10TF BCX55-10TF NEXPERIA BCX55T_SER.pdf Description: NEXPERIA - BCX55-10TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55-10,115 BCX55-10,115 NEXPERIA 1511857.pdf Description: NEXPERIA - BCX55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55TF BCX55TF NEXPERIA BCX55T_SER.pdf Description: NEXPERIA - BCX55TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55TF BCX55TF NEXPERIA BCX55T_SER.pdf Description: NEXPERIA - BCX55TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55-10TF BCX55-10TF NEXPERIA BCX55T_SER.pdf Description: NEXPERIA - BCX55-10TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55-10-QX BCX55-10-QX NEXPERIA 3795391.pdf Description: NEXPERIA - BCX55-10-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55-10-QX BCX55-10-QX NEXPERIA 3795391.pdf Description: NEXPERIA - BCX55-10-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: true
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX384-B5V1,115 BZX384-B5V1,115 NEXPERIA PHGLS19461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZX384-B5V1,115 - Zener-Diode, 5.1 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX38
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX79-B5V1,113 BZX79-B5V1,113 NEXPERIA NEXP-S-A0003059583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZX79-B5V1,113 - Zener-Diode, 5.1 V, 400 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX79-B11,133 BZX79-B11,133 NEXPERIA BZX79.pdf Description: NEXPERIA - BZX79-B11,133 - Zener-Diode, 11 V, 500 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX79-B10,113 BZX79-B10,113 NEXPERIA BZX79.pdf Description: NEXPERIA - BZX79-B10,113 - Zener-Diode, 10 V, 400 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-204AH
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX84-C18,215 BZX84-C18,215 NEXPERIA NEXP-S-A0005722375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZX84-C18,215 - Zener-Diode, 18 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 27144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC846BQCZ BC846BQCZ NEXPERIA 3207660.pdf Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC846BQC-QZ BC846BQC-QZ NEXPERIA 3388611.pdf Description: NEXPERIA - BC846BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846xQC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZV85-C5V6,113 BZV85-C5V6,113 NEXPERIA 2341383.pdf Description: NEXPERIA - BZV85-C5V6,113 - Zener-Diode, 5.6 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZV85
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX585-C5V6,115 BZX585-C5V6,115 NEXPERIA PHGLS19462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZX585-C5V6,115 - Zener-Diode, 5.6 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX585
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
auf Bestellung 8270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZV49-C5V6,115 BZV49-C5V6,115 NEXPERIA BZV49_SERIES.pdf Description: NEXPERIA - BZV49-C5V6,115 - Zener-Diode, 5.6 V, 1 W, SOT-89, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-89
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZV49
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX84W-C5V6X BZX84W-C5V6X NEXPERIA 2621301.pdf Description: NEXPERIA - BZX84W-C5V6X - Zener-Diode, 5.6 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX8450-C5V6R BZX8450-C5V6R NEXPERIA NEXP-S-A0013328277-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZX8450-C5V6R - Zener-Diode, 5.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX8450-C5V6-QR BZX8450-C5V6-QR NEXPERIA 3540386.pdf Description: NEXPERIA - BZX8450-C5V6-QR - Zener-Diode, 5.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HPZR-C5V6-QX HPZR-C5V6-QX NEXPERIA 3771796.pdf Description: NEXPERIA - HPZR-C5V6-QX - Zener-Diode, 5.6 V, 682 mW, CFP3 (SOD-123W), 2 Pin(s), 175 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: HPZR-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HPZR-C5V6-QX HPZR-C5V6-QX NEXPERIA 3771796.pdf Description: NEXPERIA - HPZR-C5V6-QX - Zener-Diode, 5.6 V, 682 mW, CFP3 (SOD-123W), 2 Pin(s), 175 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: HPZR-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TDZ4V3J,115 TDZ4V3J,115 NEXPERIA TDZXJ_SER.pdf Description: NEXPERIA - TDZ4V3J,115 - Zener-Diode, 4.3 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TDZxJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXN018-30QLJ PXN018-30QLJ NEXPERIA PXN018-30QL.pdf Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP400-100QSJ PXP400-100QSJ NEXPERIA PXP400-100QS.pdf Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP020-20QXJ PXP020-20QXJ NEXPERIA PXP020-20QX.pdf Description: NEXPERIA - PXP020-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP020-20QXJ PXP020-20QXJ NEXPERIA PXP020-20QX.pdf Description: NEXPERIA - PXP020-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP018-20QXJ PXP018-20QXJ NEXPERIA Description: NEXPERIA - PXP018-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0144ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP400-100QSJ PXP400-100QSJ NEXPERIA PXP400-100QS.pdf Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXN4R7-30QLJ PXN4R7-30QLJ NEXPERIA PXN4R7-30QL.pdf Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0039 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP8R3-20QXJ PXP8R3-20QXJ NEXPERIA PXP8R3-20QX.pdf Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXN017-30QLJ PXN017-30QLJ NEXPERIA 3175814.pdf Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXN7R7-25QLJ PXN7R7-25QLJ NEXPERIA 3175817.pdf Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP1500-100QSJ PXP1500-100QSJ NEXPERIA 3029694.pdf Description: NEXPERIA - PXP1500-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.93 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXN8R3-30QLJ PXN8R3-30QLJ NEXPERIA 3175818.pdf Description: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP018-20QXJ PXP018-20QXJ NEXPERIA Description: NEXPERIA - PXP018-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXN5R5-30QLJ PXN5R5-30QLJ NEXPERIA Description: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 0.0054 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP6R7-30QLJ PXP6R7-30QLJ NEXPERIA 3187178.pdf Description: NEXPERIA - PXP6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP6R7-30QLJ PXP6R7-30QLJ NEXPERIA 3187178.pdf Description: NEXPERIA - PXP6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXN6R7-30QLJ PXN6R7-30QLJ NEXPERIA PXN6R7-30QL.pdf Description: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCP53-16HX BCP53H_SER.pdf
BCP53-16HX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP53-16HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCP56-10,115 NEXP-S-A0002912338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP56-10,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP56-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCP56TX NEXP-S-A0003101067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP56TX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP56TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCP56TX NEXP-S-A0003101067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP56TX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP56TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCP56-16HX 2577987.pdf
BCP56-16HX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP56-16HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCP56-10HX 2577987.pdf
BCP56-10HX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP56-10HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX84-C5V6,215 1808429.pdf
BZX84-C5V6,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84-C5V6,215 - Zener-Diode, 5.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 249000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PDZ33B,115 2856375.pdf
PDZ33B,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDZ33B,115 - Zener-Diode, 33 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PDTB123YT,215 NEXP-S-A0002881455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PDTB123YT,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTB123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTB123Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC847BW,115 1856333.pdf
BC847BW,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 483000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BAS40W,115 BAS40W.pdf
BAS40W,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS40W,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BAS40W,115 NEXP-S-A0003408281-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS40W,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS40W,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 150 °C
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrverzögerungszeit: -
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PBSS5220T,215 PIRSS03338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS5220T,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5220T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 225hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PBSS4320X,135 PIRSS13160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS4320X,135
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4320X,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 550 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Verlustleistung: 550
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BCV27,215 953910.pdf
BCV27,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCV27,215 - Darlington-Transistor, Zweifach npn, 30 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 4000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 4000hFE
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Verlustleistung Pd: 250mW
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC817RAZ 2363495.pdf
BC817RAZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817RAZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1412
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK9880-55A/CUX BUK9880-55A.pdf
BUK9880-55A/CUX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9880-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 7 A, 0.062 ohm, SC-73, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
auf Bestellung 5036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55-16,115 1511857.pdf
BCX55-16,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PESD15VL1BA,115 NEXP-S-A0009021632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PESD15VL1BA,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD15VL1BA,115 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 25 V, SOD-323, 2 Pin(s), 15 V, PESD1
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 15V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 92966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55-10,115 1511857.pdf
BCX55-10,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55-10TF BCX55T_SER.pdf
BCX55-10TF
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55-10,115 1511857.pdf
BCX55-10,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55TF BCX55T_SER.pdf
BCX55TF
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55TF BCX55T_SER.pdf
BCX55TF
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55-10TF BCX55T_SER.pdf
BCX55-10TF
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55-10-QX 3795391.pdf
BCX55-10-QX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCX55-10-QX 3795391.pdf
BCX55-10-QX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: true
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX384-B5V1,115 PHGLS19461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX384-B5V1,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX384-B5V1,115 - Zener-Diode, 5.1 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX38
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX79-B5V1,113 NEXP-S-A0003059583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79-B5V1,113
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX79-B5V1,113 - Zener-Diode, 5.1 V, 400 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX79-B11,133 BZX79.pdf
BZX79-B11,133
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX79-B11,133 - Zener-Diode, 11 V, 500 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX79-B10,113 BZX79.pdf
BZX79-B10,113
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX79-B10,113 - Zener-Diode, 10 V, 400 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-204AH
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX84-C18,215 NEXP-S-A0005722375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX84-C18,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84-C18,215 - Zener-Diode, 18 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 27144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC846BQCZ 3207660.pdf
BC846BQCZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC846BQC-QZ 3388611.pdf
BC846BQC-QZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC846BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846xQC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZV85-C5V6,113 2341383.pdf
BZV85-C5V6,113
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV85-C5V6,113 - Zener-Diode, 5.6 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZV85
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX585-C5V6,115 PHGLS19462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX585-C5V6,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX585-C5V6,115 - Zener-Diode, 5.6 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX585
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
auf Bestellung 8270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZV49-C5V6,115 BZV49_SERIES.pdf
BZV49-C5V6,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV49-C5V6,115 - Zener-Diode, 5.6 V, 1 W, SOT-89, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-89
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZV49
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX84W-C5V6X 2621301.pdf
BZX84W-C5V6X
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84W-C5V6X - Zener-Diode, 5.6 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX8450-C5V6R NEXP-S-A0013328277-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX8450-C5V6R
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8450-C5V6R - Zener-Diode, 5.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX8450-C5V6-QR 3540386.pdf
BZX8450-C5V6-QR
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8450-C5V6-QR - Zener-Diode, 5.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HPZR-C5V6-QX 3771796.pdf
HPZR-C5V6-QX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - HPZR-C5V6-QX - Zener-Diode, 5.6 V, 682 mW, CFP3 (SOD-123W), 2 Pin(s), 175 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: HPZR-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HPZR-C5V6-QX 3771796.pdf
HPZR-C5V6-QX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - HPZR-C5V6-QX - Zener-Diode, 5.6 V, 682 mW, CFP3 (SOD-123W), 2 Pin(s), 175 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: HPZR-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TDZ4V3J,115 TDZXJ_SER.pdf
TDZ4V3J,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - TDZ4V3J,115 - Zener-Diode, 4.3 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TDZxJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXN018-30QLJ PXN018-30QL.pdf
PXN018-30QLJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP400-100QSJ PXP400-100QS.pdf
PXP400-100QSJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP020-20QXJ PXP020-20QX.pdf
PXP020-20QXJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP020-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP020-20QXJ PXP020-20QX.pdf
PXP020-20QXJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP020-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP018-20QXJ
PXP018-20QXJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP018-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0144ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP400-100QSJ PXP400-100QS.pdf
PXP400-100QSJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXN4R7-30QLJ PXN4R7-30QL.pdf
PXN4R7-30QLJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0039 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP8R3-20QXJ PXP8R3-20QX.pdf
PXP8R3-20QXJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXN017-30QLJ 3175814.pdf
PXN017-30QLJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXN7R7-25QLJ 3175817.pdf
PXN7R7-25QLJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP1500-100QSJ 3029694.pdf
PXP1500-100QSJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP1500-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.93 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXN8R3-30QLJ 3175818.pdf
PXN8R3-30QLJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP018-20QXJ
PXP018-20QXJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP018-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXN5R5-30QLJ
PXN5R5-30QLJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 0.0054 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP6R7-30QLJ 3187178.pdf
PXP6R7-30QLJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP6R7-30QLJ 3187178.pdf
PXP6R7-30QLJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXN6R7-30QLJ PXN6R7-30QL.pdf
PXN6R7-30QLJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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