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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDMD8280 ONSEMI FDMD8280.pdf FDMD8280 Multi channel transistors
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FDMD84100 ONSEMI fdmd84100-d.pdf FDMD84100 Multi channel transistors
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FDMD86100 ONSEMI fdmd86100-d.pdf FDMD86100 Multi channel transistors
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FDMD8680 ONSEMI fdmd8680-d.pdf FDMD8680 Multi channel transistors
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FDME1023PZT ONSEMI fdme1023pzt-d.pdf FDME1023PZT Multi channel transistors
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FDME1024NZT
+1
 		FDME1024NZT ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF65B6CDE37E28&compId=FDME1024NZT.pdf?ci_sign=993439da7b8b4701a3a90bf24cfe129a96e3cdfa Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.8A; 1.4W; MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
Gate charge: 4.2nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±8V
Case: MicroFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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FDME1034CZT ONSEMI fdme1034czt-d.pdf FDME1034CZT Multi channel transistors
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FDME510PZT ONSEMI fdme510pzt-d.pdf FDME510PZT SMD P channel transistors
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FDME820NZT ONSEMI fdme820nzt-d.pdf FDME820NZT SMD N channel transistors
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FDME905PT ONSEMI fdme905pt-d.pdf FDME905PT SMD P channel transistors
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FDME910PZT ONSEMI FDME910PZT-D.PDF FDME910PZT SMD P channel transistors
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FDML7610S ONSEMI fdml7610s-d.pdf FDML7610S SMD N channel transistors
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FDMQ8203 ONSEMI fdmq8203-d.pdf FDMQ8203 Multi channel transistors
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FDMQ8205 ONSEMI fdmq8205-d.pdf FDMQ8205 Integrated circuits - others
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FDMQ8205A ONSEMI fdmq8205a-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 51/147mΩ
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMQ8403 ONSEMI fdmq8403-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 100V; 6A; Idm: 12A; 17W; WDFN12
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN12
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x4
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 6A
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 191mΩ
Power dissipation: 17W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMQ86530L ONSEMI fdmq86530l-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12
Type of transistor: N-MOSFET x4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 22W
Case: MLP12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS003N08C ONSEMI fdms003n08c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 92A; Idm: 658A; 125W; Power56
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 92A
On-state resistance: 8.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 658A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004N08C ONSEMI fdms004n08c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; Idm: 637A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 637A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS007N08LC ONSEMI fdms007n08lc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 53A; Idm: 345A; 92.6W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 345A
Power dissipation: 92.6W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMS015N04B ONSEMI FDMS015N04B-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMS0300S ONSEMI fdms0300s-d.pdf FDMS0300S SMD N channel transistors
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FDMS0306AS ONSEMI fdms0306as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0308AS ONSEMI fdms0308as-d.pdf FDMS0308AS SMD N channel transistors
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FDMS0309AS ONSEMI fdms0309as-d.pdf FDMS0309AS SMD N channel transistors
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FDMS030N06B ONSEMI fdms030n06b-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310AS ONSEMI fdms0310as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 41W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMS0312AS ONSEMI FAIR-S-A0002363693-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMS0312AS SMD N channel transistors
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FDMS0312S ONSEMI FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms0312s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08B ONSEMI fdms037n08b-d.pdf FDMS037N08B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS039N08B ONSEMI fdms039n08b-d.pdf FDMS039N08B SMD N channel transistors
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FDMS10C4D2N ONSEMI fdms10c4d2n-d.pdf FDMS10C4D2N SMD N channel transistors
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FDMS1D2N03DSD ONSEMI fdms1d2n03dsd-d.pdf FDMS1D2N03DSD Multi channel transistors
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FDMS2572 ONSEMI fdms2572-d.pdf FDMS2572 SMD N channel transistors
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FDMS2672 ONSEMI ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMS2672 SMD N channel transistors
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FDMS2734 ONSEMI FDMS2734-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 14A; Idm: 30A; 78W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 258mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2D5N08C ONSEMI fdms2d5n08c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; Idm: 823A; 138W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 823A
Power dissipation: 138W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMS3500 ONSEMI fdms3500-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 100A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3572 ONSEMI fdms3572-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604S ONSEMI FAIR-S-A0002363607-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3606S ONSEMI FAIR-S-A0002363793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMS3606S Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
40+1.79 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
250+1.44 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3662 ONSEMI fdms3662-d.pdf FDMS3662 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664S FDMS3664S ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2958 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3669S ONSEMI fdms3669s-d.pdf ONSM-S-A0003585221-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W
Case: Power56
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 24/60A
On-state resistance: 14.5/7.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.2/2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24/34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±12V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672 ONSEMI fdms3672-d.pdf FDMS3672 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3D5N08LC ONSEMI fdms3d5n08lc-d.pdf FDMS3D5N08LC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZ FDMS4435BZ ONSEMI FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 37mΩ
Power dissipation: 39W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
70+1.03 EUR
80+0.9 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D0N12C ONSEMI fdms4d0n12c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 114A
Pulsed drain current: 628A
Power dissipation: 106W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D4N08C ONSEMI fdms4d4n08c-d.pdf FDMS4D4N08C SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5672 ONSEMI fdms5672-d.pdf FDMS5672 SMD N channel transistors
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FDMS6673BZ ONSEMI fdms6673bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7602S ONSEMI fdms7602s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 12/7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28/46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608S ONSEMI fdms7608s-d.pdf ONSM-S-A0003585462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620S ONSEMI fdms7620s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 13/22A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 13/22A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 30/15.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11/23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650 ONSEMI fdms7650-d.pdf FDMS7650 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650DC ONSEMI fdms7650dc-d.pdf FDMS7650DC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7656AS ONSEMI ONSM-S-A0003585015-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMS7656AS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7658AS ONSEMI fdms7658as-d.pdf FDMS7658AS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7660 ONSEMI fdms7660-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 78W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 78W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8280 FDMD8280.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMD8280 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD84100 fdmd84100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMD84100 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD86100 fdmd86100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMD86100 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8680 fdmd8680-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMD8680 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME1023PZT fdme1023pzt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDME1023PZT Multi channel transistors
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FDME1024NZT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF65B6CDE37E28&compId=FDME1024NZT.pdf?ci_sign=993439da7b8b4701a3a90bf24cfe129a96e3cdfa
FDME1024NZT
+1
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.8A; 1.4W; MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
Gate charge: 4.2nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±8V
Case: MicroFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME1034CZT fdme1034czt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDME1034CZT Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME510PZT fdme510pzt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDME510PZT SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME820NZT fdme820nzt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDME820NZT SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME905PT fdme905pt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDME905PT SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME910PZT FDME910PZT-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDME910PZT SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDML7610S fdml7610s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDML7610S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8203 fdmq8203-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMQ8203 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205 fdmq8205-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMQ8205 Integrated circuits - others
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205A fdmq8205a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 51/147mΩ
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8403 fdmq8403-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 100V; 6A; Idm: 12A; 17W; WDFN12
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN12
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x4
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 6A
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 191mΩ
Power dissipation: 17W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ86530L fdmq86530l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12
Type of transistor: N-MOSFET x4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 22W
Case: MLP12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS003N08C fdms003n08c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 92A; Idm: 658A; 125W; Power56
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 92A
On-state resistance: 8.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 658A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004N08C fdms004n08c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; Idm: 637A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 637A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS007N08LC fdms007n08lc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 53A; Idm: 345A; 92.6W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 345A
Power dissipation: 92.6W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS015N04B FDMS015N04B-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0300S fdms0300s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS0300S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0306AS fdms0306as-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0308AS fdms0308as-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS0308AS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0309AS fdms0309as-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS0309AS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS030N06B fdms030n06b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310AS fdms0310as-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 41W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312AS FAIR-S-A0002363693-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDMS0312AS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312S FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms0312s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08B fdms037n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS037N08B SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS039N08B fdms039n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS039N08B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS10C4D2N fdms10c4d2n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS10C4D2N SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS1D2N03DSD fdms1d2n03dsd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS1D2N03DSD Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2572 fdms2572-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS2572 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2672 ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDMS2672 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2734 FDMS2734-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 14A; Idm: 30A; 78W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 258mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2D5N08C fdms2d5n08c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; Idm: 823A; 138W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 823A
Power dissipation: 138W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3500 fdms3500-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 100A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3572 fdms3572-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604S FAIR-S-A0002363607-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3606S FAIR-S-A0002363793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDMS3606S Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
40+1.79 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
250+1.44 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3662 fdms3662-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS3662 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664S fdms3664s-d.pdf
FDMS3664S
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2958 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3669S fdms3669s-d.pdf ONSM-S-A0003585221-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W
Case: Power56
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 24/60A
On-state resistance: 14.5/7.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.2/2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24/34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±12V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672 fdms3672-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS3672 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3D5N08LC fdms3d5n08lc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS3D5N08LC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZ FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf
FDMS4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 37mΩ
Power dissipation: 39W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
70+1.03 EUR
80+0.9 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D0N12C fdms4d0n12c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 114A
Pulsed drain current: 628A
Power dissipation: 106W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D4N08C fdms4d4n08c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS4D4N08C SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5672 fdms5672-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS5672 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7602S fdms7602s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 12/7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28/46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608S fdms7608s-d.pdf ONSM-S-A0003585462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620S fdms7620s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 13/22A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 13/22A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 30/15.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11/23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650 fdms7650-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS7650 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650DC fdms7650dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS7650DC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7656AS ONSM-S-A0003585015-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDMS7656AS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7658AS fdms7658as-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS7658AS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7660 fdms7660-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 78W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 78W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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