Produkte > ONSEMI > Alle Produkte des Herstellers ONSEMI (148963) > Seite 1761 nach 2483

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1756 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1765 1766 1984 2232 2480 2483  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDMC8651 ONSEMI fdmc8651-d.pdf FDMC8651 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520DC ONSEMI fdmc86520dc-d.pdf FDMC86520DC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520L ONSEMI fdmc86520l-d.pdf FDMC86520L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570L ONSEMI fdmc86570l-d.pdf FDMC86570L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570LET60 ONSEMI fdmc86570let60-d.pdf FDMC86570LET60 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8878 ONSEMI FAIR-S-A0002365638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMC8878 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8882 ONSEMI fdmc8882-d.pdf FDMC8882 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521L ONSEMI fdmc89521l-d.pdf FDMC89521L Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC9430L-F085 ONSEMI fdmc9430l_f085-d.pdf FDMC9430L-F085 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD82100 ONSEMI fdmd82100-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 25A; Idm: 80A; 2.1W; PQFN12
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD82100L ONSEMI FDMD82100L-D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8240L ONSEMI fdmd8240l-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 62A; Idm: 464A; 42W; PQFN12
Case: PQFN12
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
On-state resistance: 3.95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 464A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8240LET40 ONSEMI fdmd8240let40-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 73A; Idm: 489A; 50W; PQFN12
Case: PQFN12
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 73A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 489A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8260L ONSEMI FAIR-S-A0001013603-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 40A; Idm: 293A; 37W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 293A
Power dissipation: 37W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8260LET60 ONSEMI ONSM-S-A0003591008-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 304A; 44W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 304A
Power dissipation: 44W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8280 ONSEMI FDMD8280.pdf FDMD8280 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD84100 ONSEMI fdmd84100-d.pdf FDMD84100 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD86100 ONSEMI fdmd86100-d.pdf FDMD86100 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8680 ONSEMI fdmd8680-d.pdf FDMD8680 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME1023PZT ONSEMI fdme1023pzt-d.pdf FDME1023PZT Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME1024NZT
+1
 		FDME1024NZT ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF65B6CDE37E28&compId=FDME1024NZT.pdf?ci_sign=993439da7b8b4701a3a90bf24cfe129a96e3cdfa Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.8A; 1.4W; MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
Gate charge: 4.2nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±8V
Case: MicroFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME1034CZT ONSEMI fdme1034czt-d.pdf FDME1034CZT Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME510PZT ONSEMI fdme510pzt-d.pdf FDME510PZT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME820NZT ONSEMI fdme820nzt-d.pdf FDME820NZT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME905PT ONSEMI fdme905pt-d.pdf FDME905PT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME910PZT ONSEMI FDME910PZT-D.PDF FDME910PZT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDML7610S ONSEMI fdml7610s-d.pdf FDML7610S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8203 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8AF0309D240F80D5&compId=FDMQ8203.PDF?ci_sign=dbed944fe82c9c2febe5bb53db57c72204c36c46 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-80V; 6/-6A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-80V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 323/191mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Semiconductor structure: common drain
Gate charge: 19/5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205 ONSEMI fdmq8205-d.pdf FDMQ8205 Integrated circuits - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205A ONSEMI fdmq8205a-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
On-state resistance: 51/147mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8403 ONSEMI fdmq8403-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 100V; 6A; Idm: 12A; 17W; WDFN12
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN12
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x4
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 6A
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 191mΩ
Power dissipation: 17W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ86530L ONSEMI fdmq86530l-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12
Type of transistor: N-MOSFET x4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 22W
Case: MLP12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge
Pulsed drain current: 50A
Gate charge: 33nC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS003N08C ONSEMI fdms003n08c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 92A; Idm: 658A; 125W; Power56
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 92A
On-state resistance: 8.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 658A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004N08C ONSEMI fdms004n08c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; Idm: 637A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 637A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS007N08LC ONSEMI fdms007n08lc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 53A; Idm: 345A; 92.6W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 345A
Power dissipation: 92.6W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS015N04B ONSEMI FDMS015N04B-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0300S ONSEMI fdms0300s-d.pdf FDMS0300S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0306AS ONSEMI fdms0306as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0308AS ONSEMI fdms0308as-d.pdf FDMS0308AS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0309AS ONSEMI fdms0309as-d.pdf FDMS0309AS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS030N06B ONSEMI fdms030n06b-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310AS ONSEMI fdms0310as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 41W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312AS ONSEMI FAIR-S-A0002363693-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMS0312AS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312S ONSEMI FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms0312s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08B ONSEMI fdms037n08b-d.pdf FDMS037N08B SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS039N08B ONSEMI fdms039n08b-d.pdf FDMS039N08B SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS10C4D2N ONSEMI fdms10c4d2n-d.pdf FDMS10C4D2N SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS1D2N03DSD ONSEMI fdms1d2n03dsd-d.pdf FDMS1D2N03DSD Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2572 ONSEMI fdms2572-d.pdf FDMS2572 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2672 ONSEMI ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMS2672 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2734 ONSEMI FDMS2734-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 14A; Idm: 30A; 78W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 258mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2D5N08C ONSEMI fdms2d5n08c-d.pdf FDMS2D5N08C SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3500 ONSEMI fdms3500-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 100A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3572 ONSEMI fdms3572-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604S ONSEMI FAIR-S-A0002363607-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3606S ONSEMI FAIR-S-A0002363793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMS3606S Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
40+1.79 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
250+1.44 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3662 ONSEMI fdms3662-d.pdf FDMS3662 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664S FDMS3664S ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2958 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3669S ONSEMI fdms3669s-d.pdf ONSM-S-A0003585221-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 24/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 14.5/7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8651 fdmc8651-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMC8651 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520DC fdmc86520dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMC86520DC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520L fdmc86520l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMC86520L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570L fdmc86570l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMC86570L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570LET60 fdmc86570let60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMC86570LET60 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8878 FAIR-S-A0002365638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDMC8878 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8882 fdmc8882-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMC8882 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMC89521L Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC9430L-F085 fdmc9430l_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMC9430L-F085 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD82100 fdmd82100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 25A; Idm: 80A; 2.1W; PQFN12
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD82100L FDMD82100L-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8240L fdmd8240l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 62A; Idm: 464A; 42W; PQFN12
Case: PQFN12
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
On-state resistance: 3.95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 464A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8240LET40 fdmd8240let40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 73A; Idm: 489A; 50W; PQFN12
Case: PQFN12
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 73A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 489A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8260L FAIR-S-A0001013603-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 40A; Idm: 293A; 37W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 293A
Power dissipation: 37W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8260LET60 ONSM-S-A0003591008-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 304A; 44W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 304A
Power dissipation: 44W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8280 FDMD8280.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMD8280 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD84100 fdmd84100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMD84100 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD86100 fdmd86100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMD86100 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8680 fdmd8680-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMD8680 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME1023PZT fdme1023pzt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDME1023PZT Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME1024NZT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF65B6CDE37E28&compId=FDME1024NZT.pdf?ci_sign=993439da7b8b4701a3a90bf24cfe129a96e3cdfa
FDME1024NZT
+1
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.8A; 1.4W; MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
Gate charge: 4.2nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±8V
Case: MicroFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME1034CZT fdme1034czt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDME1034CZT Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME510PZT fdme510pzt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDME510PZT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME820NZT fdme820nzt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDME820NZT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME905PT fdme905pt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDME905PT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME910PZT FDME910PZT-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDME910PZT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDML7610S fdml7610s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDML7610S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8203 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8AF0309D240F80D5&compId=FDMQ8203.PDF?ci_sign=dbed944fe82c9c2febe5bb53db57c72204c36c46
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-80V; 6/-6A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-80V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 323/191mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Semiconductor structure: common drain
Gate charge: 19/5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205 fdmq8205-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMQ8205 Integrated circuits - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205A fdmq8205a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
On-state resistance: 51/147mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8403 fdmq8403-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 100V; 6A; Idm: 12A; 17W; WDFN12
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN12
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x4
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 6A
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 191mΩ
Power dissipation: 17W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ86530L fdmq86530l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12
Type of transistor: N-MOSFET x4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 22W
Case: MLP12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge
Pulsed drain current: 50A
Gate charge: 33nC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS003N08C fdms003n08c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 92A; Idm: 658A; 125W; Power56
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 92A
On-state resistance: 8.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 658A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004N08C fdms004n08c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; Idm: 637A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 637A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS007N08LC fdms007n08lc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 53A; Idm: 345A; 92.6W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 345A
Power dissipation: 92.6W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS015N04B FDMS015N04B-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0300S fdms0300s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS0300S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0306AS fdms0306as-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0308AS fdms0308as-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS0308AS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0309AS fdms0309as-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS0309AS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS030N06B fdms030n06b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310AS fdms0310as-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 41W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312AS FAIR-S-A0002363693-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDMS0312AS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312S FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms0312s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08B fdms037n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS037N08B SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS039N08B fdms039n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS039N08B SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS10C4D2N fdms10c4d2n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS10C4D2N SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS1D2N03DSD fdms1d2n03dsd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS1D2N03DSD Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2572 fdms2572-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS2572 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2672 ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDMS2672 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2734 FDMS2734-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 14A; Idm: 30A; 78W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 258mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2D5N08C fdms2d5n08c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS2D5N08C SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3500 fdms3500-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 100A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3572 fdms3572-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604S FAIR-S-A0002363607-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3606S FAIR-S-A0002363793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDMS3606S Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
40+1.79 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
250+1.44 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3662 fdms3662-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS3662 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664S fdms3664s-d.pdf
FDMS3664S
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2958 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3669S fdms3669s-d.pdf ONSM-S-A0003585221-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 24/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 14.5/7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1756 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1765 1766 1984 2232 2480 2483  [ Nächste Seite >> ]