Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDMS7660AS | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 83W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 83W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS7670 | ONSEMI |
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FDMS7672 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 90A; 48W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 48W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS7678 | ONSEMI |
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FDMS7680 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 80A; 33W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 33W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS7682 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 80A; 33W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 33W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS7692 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 50A; 27W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 27W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS7692A | ONSEMI |
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FDMS7694 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 27W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS7698 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 50A; 29W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 29W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS8018 | ONSEMI |
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FDMS8020 | ONSEMI |
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FDMS8023S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; Power56 Mounting: SMD Case: Power56 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 59W Polarisation: unipolar Gate charge: 57nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS8025S | ONSEMI |
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FDMS8027S | ONSEMI |
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FDMS8050 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 400A; 156W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 156W Case: Power56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 285nC On-state resistance: 0.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS8050ET30 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 299A; Idm: 1914A; 180W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 180W Case: Power56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 285nC On-state resistance: 0.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 299A Pulsed drain current: 1914A Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS8090 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Power dissipation: 59W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS8320L | ONSEMI |
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FDMS8320LDC | ONSEMI |
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FDMS8333L | ONSEMI |
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FDMS8460 | ONSEMI |
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FDMS86101 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86101A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 104W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86101DC | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 125W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86102LZ | ONSEMI |
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FDMS86103L | ONSEMI |
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FDMS86104 | ONSEMI |
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FDMS86105 | ONSEMI |
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FDMS86150 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Power dissipation: 187W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86150ET100 | ONSEMI |
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FDMS86152 | ONSEMI |
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FDMS86163P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -50A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 59nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3390 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDMS86180 | ONSEMI |
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FDMS86181 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 78A Power dissipation: 125W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86182 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 49A Pulsed drain current: 364A Power dissipation: 83W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86183 | ONSEMI |
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FDMS86200 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 36A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86200DC | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86201 | ONSEMI |
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FDMS86202 | ONSEMI |
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FDMS86202ET120 | ONSEMI |
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FDMS8622 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16.5A Power dissipation: 31W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 97mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86250 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; Idm: 100A; 96W; Power56 Drain-source voltage: 150V Drain current: 30A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Mounting: SMD Case: Power56 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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FDMS86252 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 69W; PQFN8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 16A On-state resistance: 96mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PQFN8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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FDMS86252L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 12A Power dissipation: 50W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2709 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDMS86255 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 271A; 113W; PQFN8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 62A On-state resistance: 12.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 45nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 271A Mounting: SMD Case: PQFN8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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FDMS86255ET150 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56 Drain-source voltage: 150V Drain current: 44A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 63nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 276A Mounting: SMD Case: Power56 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86263P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -4.4A Pulsed drain current: -70A Power dissipation: 2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86300 | ONSEMI |
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FDMS86300DC | ONSEMI |
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FDMS86310 | ONSEMI |
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FDMS86320 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 41nC On-state resistance: 19mΩ Drain current: 44A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 69W Pulsed drain current: 160A Drain-source voltage: 80V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86322 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 200A; 104W; Power56 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 55nC On-state resistance: 14mΩ Drain current: 60A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 104W Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 80V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86350 | ONSEMI |
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FDMS86350ET80 | ONSEMI |
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FDMS86500DC | ONSEMI |
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FDMS86500L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 799A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 165nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86520 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86520L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 22A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS7660AS |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
FDMS7670 |
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Hersteller: ONSEMI
FDMS7670 SMD N channel transistors
FDMS7670 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDMS7672 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 90A; 48W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 48W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 90A; 48W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 48W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
FDMS7678 |
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Hersteller: ONSEMI
FDMS7678 SMD N channel transistors
FDMS7678 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
FDMS7680 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 80A; 33W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 33W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 80A; 33W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 80A
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Mounting: SMD
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 80A; 33W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 80A; 33W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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FDMS7692 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 50A; 27W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 50A; 27W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
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Hersteller: ONSEMI
FDMS7692A SMD N channel transistors
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FDMS7694 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 50A; 29W; Power56
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Mounting: SMD
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 50A; 29W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
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FDMS8018 |
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Hersteller: ONSEMI
FDMS8018 SMD N channel transistors
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FDMS8020 |
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Hersteller: ONSEMI
FDMS8020 SMD N channel transistors
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FDMS8023S |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; Power56
Mounting: SMD
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Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; Power56
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Case: Power56
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Drain-source voltage: 30V
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Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
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FDMS8025S |
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Hersteller: ONSEMI
FDMS8025S SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDMS8027S SMD N channel transistors
FDMS8027S SMD N channel transistors
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FDMS8050 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 400A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Case: Power56
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Gate charge: 285nC
On-state resistance: 0.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 400A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
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Gate charge: 285nC
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FDMS8050ET30 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 299A; Idm: 1914A; 180W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 180W
Case: Power56
Mounting: SMD
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Gate charge: 285nC
On-state resistance: 0.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 299A
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Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 299A; Idm: 1914A; 180W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 180W
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 285nC
On-state resistance: 0.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 299A
Pulsed drain current: 1914A
Kind of channel: enhancement
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FDMS8090 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 59W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 59W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDMS8320L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS8320L SMD N channel transistors
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FDMS8320LDC |
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Hersteller: ONSEMI
FDMS8320LDC SMD N channel transistors
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FDMS8333L |
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Hersteller: ONSEMI
FDMS8333L SMD N channel transistors
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FDMS8460 |
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Hersteller: ONSEMI
FDMS8460 SMD N channel transistors
FDMS8460 SMD N channel transistors
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FDMS86101 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDMS86101A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
FDMS86101DC |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDMS86102LZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS86102LZ SMD N channel transistors
FDMS86102LZ SMD N channel transistors
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FDMS86103L |
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Hersteller: ONSEMI
FDMS86103L SMD N channel transistors
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FDMS86104 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS86104 SMD N channel transistors
FDMS86104 SMD N channel transistors
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FDMS86105 |
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Hersteller: ONSEMI
FDMS86105 SMD N channel transistors
FDMS86105 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86150 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86150ET100 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS86150ET100 SMD N channel transistors
FDMS86150ET100 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86152 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS86152 SMD N channel transistors
FDMS86152 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86163P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
18+ | 4.12 EUR |
23+ | 3.17 EUR |
31+ | 2.32 EUR |
33+ | 2.2 EUR |
100+ | 2.12 EUR |
FDMS86180 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS86180 SMD N channel transistors
FDMS86180 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86181 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 78A
Power dissipation: 125W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 78A
Power dissipation: 125W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86182 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86183 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS86183 SMD N channel transistors
FDMS86183 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86200 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86200DC |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
FDMS86201 |
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Hersteller: ONSEMI
FDMS86201 SMD N channel transistors
FDMS86201 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDMS86202 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS86202 SMD N channel transistors
FDMS86202 SMD N channel transistors
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FDMS86202ET120 |
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Hersteller: ONSEMI
FDMS86202ET120 SMD N channel transistors
FDMS86202ET120 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS8622 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
FDMS86250 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; Idm: 100A; 96W; Power56
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 30A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: Power56
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; Idm: 100A; 96W; Power56
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 30A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: Power56
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
FDMS86252 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 69W; PQFN8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 69W; PQFN8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
FDMS86252L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2709 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.15 EUR |
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100+ | 1.43 EUR |
250+ | 1.42 EUR |
FDMS86255 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 271A; 113W; PQFN8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 271A
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 271A; 113W; PQFN8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 271A
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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FDMS86255ET150 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 44A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 276A
Mounting: SMD
Case: Power56
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 44A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 276A
Mounting: SMD
Case: Power56
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
FDMS86263P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
FDMS86300 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS86300 SMD N channel transistors
FDMS86300 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86300DC |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS86300DC SMD N channel transistors
FDMS86300DC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86310 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS86310 SMD N channel transistors
FDMS86310 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86320 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 44A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 69W
Pulsed drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 44A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 69W
Pulsed drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86322 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 200A; 104W; Power56
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 60A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 104W
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 80V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 200A; 104W; Power56
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 60A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 104W
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 80V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86350 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS86350 SMD N channel transistors
FDMS86350 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86350ET80 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS86350ET80 SMD N channel transistors
FDMS86350ET80 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDMS86500DC |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDMS86500DC SMD N channel transistors
FDMS86500DC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86500L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86520 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDMS86520L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH