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HGTG11N120CND

HGTG11N120CND FAIR

hgtg11n120cnd-d.pdf
Produktcode: 63369
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Hersteller: FAIR
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 43 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 22 A
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 23/180
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HGTG11N120CND HGTG11N120CND ON Semiconductor hgtg11n120cnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.89 EUR
60+5.64 EUR
120+5.31 EUR
270+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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HGTG11N120CND HGTG11N120CND ON Semiconductor hgtg11n120cnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 213 Stücke:
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HGTG11N120CND HGTG11N120CND ON-Semiconductor info-thgtg11n120cnd.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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HGTG11N120CND HGTG11N120CND ON-Semiconductor info-thgtg11n120cnd.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
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HGTG11N120CND HGTG11N120CND onsemi hgtg11n120cnd-d.pdf IGBTs 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd
auf Bestellung 497 Stücke:
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10+9.2 EUR
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HGTG11N120CND HGTG11N120CND ONSEMI 2304334.pdf Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 43A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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HGTG11N120CND hgtg11n120cnd-d.pdf
HGTG11N120CND
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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HGTG11N120CND
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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HGTG11N120CND
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
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HGTG11N120CND
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
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HGTG11N120CND
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 43A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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IRF2807PBF
Produktcode: 88517
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IRF2807PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 82 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3820/160
Montage: THT
verfügbar: 85 St.
  • 6 St. - stock Köln
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