HGTG11N120CND FAIR
Produktcode: 63369
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Lieblingsprodukt
Hersteller: FAIR
Gehäuse: TO-247
Vces: 1200
Vce: 2,1
Ic 25: 43
Ic 100: 22
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 23/180
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Weitere Produktangebote HGTG11N120CND nach Preis ab 3.94 EUR bis 11.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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HGTG11N120CND | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HGTG11N120CND | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HGTG11N120CND | Hersteller : ON-Semiconductor |
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C; HGTG11N120CND THGTG11n120cnd Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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HGTG11N120CND | Hersteller : ON-Semiconductor |
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C; HGTG11N120CND THGTG11n120cnd Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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HGTG11N120CND | Hersteller : onsemi |
IGBTs 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd |
auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HGTG11N120CND | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 43A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 778 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG11N120CND | Hersteller : ONS/FAI |
TO-247 1200 V 43 A Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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HGTG11N120CND | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT NPT 1200V 43A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns Switching Energy: 950µJ (on), 1.3mJ (off) Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 43 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF2807PBF Produktcode: 88517
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: THT
verfügbar: 89 St.
6 St. - stock Köln
83 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.88 EUR |
| 10+ | 0.76 EUR |