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HGTG11N120CND

HGTG11N120CND FAIR

hgtg11n120cnd-d.pdf
Produktcode: 63369
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Hersteller: FAIR
Gehäuse: TO-247
Vces: 1200
Vce: 2,1
Ic 25: 43
Ic 100: 22
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 23/180
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HGTG11N120CND HGTG11N120CND ON Semiconductor hgtg11n120cnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
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60+4.63 EUR
120+4.36 EUR
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HGTG11N120CND HGTG11N120CND ON Semiconductor hgtg11n120cnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 213 Stücke:
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HGTG11N120CND HGTG11N120CND ON-Semiconductor info-thgtg11n120cnd.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
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HGTG11N120CND HGTG11N120CND ON-Semiconductor info-thgtg11n120cnd.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
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HGTG11N120CND HGTG11N120CND onsemi hgtg11n120cnd-d.pdf IGBTs 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd
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HGTG11N120CND HGTG11N120CND ONSEMI 2304334.pdf Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 43A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 759 Stücke:
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HGTG11N120CND
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
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HGTG11N120CND
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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HGTG11N120CND
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
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HGTG11N120CND
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
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Hersteller: onsemi
IGBTs 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd
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HGTG11N120CND
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 43A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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IRF2807PBF
Produktcode: 88517
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IRF2807PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: THT
verfügbar: 89 St.
6 St. - stock Köln
83 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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