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IRF2807PBF

IRF2807PBF

irf2807pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 88517
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: THT
verfügbar 179 Stück:
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IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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36+2.00 EUR
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Mindestbestellmenge: 29
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IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
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IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF2807_DataSheet_v01_01_EN-3362869.pdf MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
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IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
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IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5966 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1000uF 10V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR102M10BA-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
Produktcode: 2429
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EXR_080421.pdf
1000uF 10V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR102M10BA-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 10V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 2084 Stück
441 Stück - stock Köln
1643 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 2000 Stück
2000 Stück - erwartet 15.07.2025
Anzahl Preis
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
auf Bestellung 2241 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.16 EUR
10+1.13 EUR
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Sicherung 5x20mm 10A 250V (50F-100H)
Produktcode: 22669
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Sicherung 5x20mm 10A 250V (50F-100H)
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 10A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 10A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
verfügbar: 1081 Stück
691 Stück - stock Köln
390 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10450 Stück
450 Stück - erwartet
10000 Stück - erwartet 29.06.2025
Anzahl Preis
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