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IRF2807PBF

IRF2807PBF

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Produktcode: 88517
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 82 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3820/160
Montage: THT
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.94 EUR
47+1.82 EUR
54+1.58 EUR
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Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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53+3.37 EUR
97+1.81 EUR
107+1.59 EUR
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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53+3.38 EUR
97+1.76 EUR
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
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5+5.11 EUR
50+2.49 EUR
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2000+1.52 EUR
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IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 307 Stücke:
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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500+1.67 EUR
1000+1.51 EUR
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IRF2807PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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29+2.94 EUR
47+1.82 EUR
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60+1.43 EUR
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IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 901 Stücke:
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97+1.81 EUR
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IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 115534 Stücke:
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97+1.76 EUR
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IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
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IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 4441 Stücke:
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IRF2807PBF INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2807PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BZV85-C15
Produktcode: 23982
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BZV85.pdf
BZV85-C15
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 15 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 15 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 8.9...13.6mV/K
auf Bestellung 385 St.:
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung 1283 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
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BTA41-800B
Produktcode: 25107
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description BTA40 and BTA BTB41 series.pdf
BTA41-800B
Hersteller: ST
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TOP-3
Umax, V: 800 V
I-auf, mA: 50 mA
Imax, A: 40 A
UKTZED: 8541 10 00 90
auf Bestellung 33 St.:
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LM358DT
Produktcode: 45578
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en.CD00000464.pdf LM358%2CLM324%2CLM2904%2CLM2902.pdf
LM358DTLM358DT
LM358DTLM358DT
Hersteller: ST
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Vc, V: 3...30 V
Bandbreite BW, MHz: 1,1 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 2 mV
Anstiegsrate, V/µs: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Bemerkungen: Verpackung in Gurten
Anzahl Kanäle: 2
Montage: SMD
auf Bestellung 1407 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT139-800G,127
Produktcode: 53433
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b1t39-800g-112287-datasheet.pdf
BT139-800G,127
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220AB
Umax, V: 800 V
I-auf, mA: 50 mA
Imax, A: 16 A
auf Bestellung 40 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 St.:
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