Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF2807PBF
IRF2807PBF

IRF2807PBF

irf2807pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 88517
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: THT
verfügbar 110 Stück:
6 Stück - stock Köln
104 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.88 EUR
10+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRF2807PBF nach Preis ab 0.72 EUR bis 3.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 45554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
106+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 45554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
93+1.55 EUR
94+1.5 EUR
104+1.3 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.85 EUR
2000+0.78 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
351+1.55 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.19 EUR
10000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 351
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
351+1.55 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 351
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
43+1.7 EUR
61+1.17 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
43+1.7 EUR
61+1.17 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.29 EUR
50+1.6 EUR
100+1.44 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.36 EUR
10+1.64 EUR
100+1.46 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 19829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

BZV85-C15
Produktcode: 23982
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

BZV85.pdf
BZV85-C15
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 0,066
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.9 до 13.6mV/K
auf Bestellung 556 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.04 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.031 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 2386 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 Stück:
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM358DT
Produktcode: 45578
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

en.CD00000464.pdf
LM358DT
+1
Hersteller: ST
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Vc, V: ±15V
BW, MHz: 1.1
Vio, mV(Biasspannung): 2
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Bemerkungen: Пакування у стрічках
ZCODE: 2
Монтаж: SMD
auf Bestellung 1776 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
10+0.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT139-800G,127
Produktcode: 53433
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

b1t39-800g-112287-datasheet.pdf
BT139-800G,127
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220AB
Umax, V: 800 V
I-auf, mA: 50 mA
I max, A: 16 A
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR1660CT
Produktcode: 112399
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

MUR16xxCT_SER.pdf
MUR1660CT
Hersteller: Yangjie
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220AB
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 16 A
Trr, ns: 50 ns
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод,
auf Bestellung 78 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH