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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDPF045N10A ONSEMI fdpf045n10a-d.pdf FDPF045N10A THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF085N10A ONSEMI fdpf085n10a-d.pdf FDPF085N10A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50T FDPF12N50T ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B5B3A35528DD2A17&compId=FDP12N50.pdf?ci_sign=2d34bc5657a95a8e6474b335ed20b5e8739aabf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.43 EUR
33+2.19 EUR
38+1.93 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ONSEMI FDPF12N60NZ-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
40+1.83 EUR
42+1.73 EUR
50+1.7 EUR
100+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF14N30 ONSEMI FDPF14N30.pdf FDPF14N30 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF15N65 FDPF15N65 ONSEMI Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF17N60NT ONSEMI fdpf17n60nt-d.pdf FDPF17N60NT THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N20FT ONSEMI fdpf18n20ft-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 41W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 41W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N50 FDPF18N50 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.43 EUR
23+3.15 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N50T FDPF18N50T ONSEMI FDPF18N50T-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
16+4.46 EUR
50+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF190N15A ONSEMI fdpf190n15a-d.pdf FDPF190N15A THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50FT FDPF20N50FT ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9C9F026A3C259&compId=FDPF20N50FT.pdf?ci_sign=b479c7204a96e874848198195968938e0b3f4df0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.83 EUR
21+3.5 EUR
27+2.72 EUR
28+2.56 EUR
100+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50T FDPF20N50T ONSEMI fdpf20n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.69 EUR
17+4.28 EUR
24+3.1 EUR
25+2.93 EUR
250+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF2710T ONSEMI fdpf2710t-d.pdf FDPF2710T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF2D3N10C ONSEMI fdp2d3n10c-d.pdf FDPF2D3N10C THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF320N06L FDPF320N06L ONSEMI fdpf320n06l-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF33N25T ONSEMI fdpf33n25trdtu-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; Idm: 132A; 37W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 37W
Pulsed drain current: 132A
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36.8nC
On-state resistance: 94mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF3860T ONSEMI FDPF3860T.pdf FDPF3860T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF390N15A ONSEMI fdpf390n15a-d.pdf FDPF390N15A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF39N20 FDPF39N20 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0A31631576F1A303005056AB0C4F&compId=FDPF39N20.pdf?ci_sign=2ef74b23780fa2a533d197d0c317fa2c47d5ba4f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 23.4A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF3N50NZ ONSEMI ONSM-S-A0003584319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDPF3N50NZ-ONS THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF51N25 ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf FDPF51N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.25 EUR
26+2.75 EUR
250+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF55N06 ONSEMI fdpf55n06-d.pdf FDPF55N06 THT N channel transistors
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.65 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF8D5N10C ONSEMI fdp8d5n10c-d.pdf FDPF8D5N10C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2572 FDS2572 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9D00A07B9E259&compId=FDS2572.pdf?ci_sign=81c3298df71763cb15ae2af0ecd9293e7f48f665 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.07 EUR
49+1.47 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
100+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2582 ONSEMI fds2582-d.pdf FDS2582 SMD N channel transistors
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
80+0.9 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670 ONSEMI FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS2670 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2672 FDS2672 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9D546B4A7A259&compId=FDS2672.pdf?ci_sign=a17d72ea83cbf1746cfbcb9a1233ccde04093c92 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734 ONSEMI fds2734-d.pdf FDS2734 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.42 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3572 ONSEMI ONSM-S-A0003584166-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS3572 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3580 ONSEMI fds3580-d.pdf FDS3580 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3590 FDS3590 ONSEMI fds3590-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
On-state resistance: 86mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 6.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
61+1.17 EUR
70+1.03 EUR
83+0.87 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672 ONSEMI fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf FDS3672 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3692 ONSEMI fds3692-d.pdf FDS3692 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3890 ONSEMI fds3890-d.pdf FDS3890 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3992 FDS3992 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE703185EE34259&compId=FDS3992.pdf?ci_sign=808eb816fce5e57e45953e101a2c74aa00896d2b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 123mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
94+0.77 EUR
182+0.39 EUR
192+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465 ONSEMI fds4465-d.pdf FDS4465 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.06 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470 ONSEMI fds4470-d.pdf description FDS4470 SMD N channel transistors
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4480 ONSEMI fds4480-d.pdf FDS4480 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.3 EUR
87+0.83 EUR
92+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501h ONSEMI FAIRS34628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds4501h-d.pdf FDS4501H Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672A ONSEMI fds4672a-d.pdf FDS4672A SMD N channel transistors
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675 ONSEMI fds4675-d.pdf FDS4675 SMD P channel transistors
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.97 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685 FDS4685 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC860E2D602259&compId=FDS4685.pdf?ci_sign=a52ff977a58421c38b025f332849ae2108795bfa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
70+1.03 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AF4FC2A64F1A303005056AB0C4F&compId=FDS4935A.pdf?ci_sign=514b24c1d2fc63ab61f3c65adae4d6dee6c96e00 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
62+1.17 EUR
100+0.72 EUR
106+0.68 EUR
250+0.66 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZ FDS4935BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7839D4615E259&compId=FDS4935BZ.pdf?ci_sign=f898175e0170281a1e8b688f0c50b08230c604de Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
82+0.88 EUR
98+0.73 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351 ONSEMI fds5351-d.pdf FDS5351 SMD N channel transistors
auf Bestellung 89 Stücke:
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60+1.2 EUR
89+0.8 EUR
92+0.77 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5670 FDS5670 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9DE96E8BEA259&compId=FDS5670.pdf?ci_sign=4bf2c66031aeb831fd2322b7c6cbdab35e3da19f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5672 ONSEMI FAIRS43050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS5672 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6375 ONSEMI fds6375-d.pdf FDS6375 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1616 Stücke:
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47+1.53 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6574A ONSEMI ONSM-S-A0003585454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6574A SMD N channel transistors
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FDS6575 ONSEMI fds6575-d.pdf FDS6575 SMD P channel transistors
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FDS6576 ONSEMI fds6576-d.pdf FDS6576 SMD P channel transistors
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FDS6612A ONSEMI fds6612a-d.pdf FDS6612A SMD N channel transistors
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FDS6670A ONSEMI fds6670a-d.pdf FDS6670A SMD N channel transistors
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FDS6673BZ ONSEMI fds6673bz-d.pdf description FDS6673BZ SMD P channel transistors
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FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 21.8mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
75+0.96 EUR
82+0.88 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8FC78DC9A259&compId=FDS6679AZ.pdf?ci_sign=ae883a16e760a329d01a04afd566302e1aa3f2f2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
63+1.15 EUR
76+0.95 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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FDS6680A ONSEMI fds6680a-d.pdf FDS6680A SMD N channel transistors
auf Bestellung 1912 Stücke:
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64+1.12 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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FDS6681Z FDS6681Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC9160CF734259&compId=FDS6681Z.pdf?ci_sign=23431460e74dc4e5bb29f6b596ca377800e34c1e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
44+1.64 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF045N10A fdpf045n10a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF045N10A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF085N10A fdpf085n10a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF085N10A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B5B3A35528DD2A17&compId=FDP12N50.pdf?ci_sign=2d34bc5657a95a8e6474b335ed20b5e8739aabf0
FDPF12N50T
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.43 EUR
33+2.19 EUR
38+1.93 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ-D.PDF
FDPF12N60NZ
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
40+1.83 EUR
42+1.73 EUR
50+1.7 EUR
100+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF14N30 FDPF14N30.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF14N30 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF15N65
FDPF15N65
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF17N60NT fdpf17n60nt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF17N60NT THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N20FT fdpf18n20ft-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 41W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 41W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4
FDPF18N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.43 EUR
23+3.15 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N50T FDPF18N50T-D.PDF
FDPF18N50T
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
16+4.46 EUR
50+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF190N15A fdpf190n15a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF190N15A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50FT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9C9F026A3C259&compId=FDPF20N50FT.pdf?ci_sign=b479c7204a96e874848198195968938e0b3f4df0
FDPF20N50FT
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.83 EUR
21+3.5 EUR
27+2.72 EUR
28+2.56 EUR
100+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.69 EUR
17+4.28 EUR
24+3.1 EUR
25+2.93 EUR
250+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF2710T fdpf2710t-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF2710T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF2D3N10C fdp2d3n10c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF2D3N10C THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF320N06L fdpf320n06l-d.pdf
FDPF320N06L
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF33N25T fdpf33n25trdtu-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; Idm: 132A; 37W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 37W
Pulsed drain current: 132A
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36.8nC
On-state resistance: 94mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF3860T FDPF3860T.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF3860T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF390N15A fdpf390n15a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF390N15A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF39N20 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0A31631576F1A303005056AB0C4F&compId=FDPF39N20.pdf?ci_sign=2ef74b23780fa2a533d197d0c317fa2c47d5ba4f
FDPF39N20
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 23.4A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF3N50NZ ONSM-S-A0003584319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDPF3N50NZ-ONS THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF51N25 fdpf51n25rdtu-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF51N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.25 EUR
26+2.75 EUR
250+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF55N06 fdpf55n06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF55N06 THT N channel transistors
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.65 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF8D5N10C fdp8d5n10c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF8D5N10C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2572 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9D00A07B9E259&compId=FDS2572.pdf?ci_sign=81c3298df71763cb15ae2af0ecd9293e7f48f665
FDS2572
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
49+1.47 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
100+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2582 fds2582-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS2582 SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDS2670 SMD N channel transistors
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FDS2672 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9D546B4A7A259&compId=FDS2672.pdf?ci_sign=a17d72ea83cbf1746cfbcb9a1233ccde04093c92
FDS2672
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
FDS2734 SMD N channel transistors
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FDS3572 ONSM-S-A0003584166-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS3572 SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDS3580 SMD N channel transistors
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FDS3590 fds3590-d.pdf
FDS3590
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
On-state resistance: 86mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 6.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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49+1.47 EUR
61+1.17 EUR
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FDS3672 SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDS3692 SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDS3890 Multi channel transistors
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FDS3992 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE703185EE34259&compId=FDS3992.pdf?ci_sign=808eb816fce5e57e45953e101a2c74aa00896d2b
FDS3992
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 123mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDS4435BZ description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7
FDS4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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68+1.06 EUR
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182+0.39 EUR
192+0.37 EUR
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Hersteller: ONSEMI
FDS4465 SMD P channel transistors
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35+2.06 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
FDS4470 SMD N channel transistors
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28+2.57 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
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FDS4480 fds4480-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS4480 SMD N channel transistors
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56+1.3 EUR
87+0.83 EUR
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FDS4501h FAIRS34628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds4501h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS4501H Multi channel transistors
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FDS4672A fds4672a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS4672A SMD N channel transistors
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43+1.69 EUR
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Hersteller: ONSEMI
FDS4675 SMD P channel transistors
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37+1.97 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC860E2D602259&compId=FDS4685.pdf?ci_sign=a52ff977a58421c38b025f332849ae2108795bfa
FDS4685
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 756 Stücke:
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59+1.22 EUR
70+1.03 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AF4FC2A64F1A303005056AB0C4F&compId=FDS4935A.pdf?ci_sign=514b24c1d2fc63ab61f3c65adae4d6dee6c96e00
FDS4935A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1518 Stücke:
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Anzahl Preis
49+1.49 EUR
62+1.17 EUR
100+0.72 EUR
106+0.68 EUR
250+0.66 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7839D4615E259&compId=FDS4935BZ.pdf?ci_sign=f898175e0170281a1e8b688f0c50b08230c604de
FDS4935BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
82+0.88 EUR
98+0.73 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351 fds5351-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS5351 SMD N channel transistors
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
89+0.8 EUR
92+0.77 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5670 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9DE96E8BEA259&compId=FDS5670.pdf?ci_sign=4bf2c66031aeb831fd2322b7c6cbdab35e3da19f
FDS5670
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5672 FAIRS43050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS5672 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6375 fds6375-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6375 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1616 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.53 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6574A ONSM-S-A0003585454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS6574A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6575 fds6575-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6575 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6576 fds6576-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6576 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A fds6612a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6612A SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670A fds6670a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6670A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ description fds6673bz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6673BZ SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450
FDS6675BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 21.8mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
75+0.96 EUR
82+0.88 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8FC78DC9A259&compId=FDS6679AZ.pdf?ci_sign=ae883a16e760a329d01a04afd566302e1aa3f2f2
FDS6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
63+1.15 EUR
76+0.95 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A fds6680a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6680A SMD N channel transistors
auf Bestellung 1912 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.12 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC9160CF734259&compId=FDS6681Z.pdf?ci_sign=23431460e74dc4e5bb29f6b596ca377800e34c1e
FDS6681Z
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
44+1.64 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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