Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDS8447 | ONSEMI |
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auf Bestellung 1783 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8449 | ONSEMI |
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auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS86106 | ONSEMI |
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FDS86140 | ONSEMI |
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FDS86141 | ONSEMI |
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FDS86240 | ONSEMI |
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FDS86242 | ONSEMI |
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FDS86252 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.5A; Idm: 20A; 5W; SO8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 4.5A On-state resistance: 55mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDS86267P | ONSEMI |
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FDS8638 | ONSEMI |
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FDS86540 | ONSEMI |
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FDS8813NZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 18.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDS8840NZ | ONSEMI |
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FDS8842NZ | ONSEMI |
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FDS8858CZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Kind of package: reel; tape Kind of transistor: complementary pair Case: SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 46/24nC On-state resistance: 28.8/24.3mΩ Power dissipation: 2W Drain current: 8.6/-7.3A Gate-source voltage: ±25/±20V Drain-source voltage: 30/-30V Technology: PowerTrench® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDS8870 | ONSEMI |
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FDS8876 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 91A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Gate charge: 36nC On-state resistance: 14.1mΩ Power dissipation: 2.5W Drain current: 12.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 91A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
FDS8878 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.2A; Idm: 80A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10.2A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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FDS8880 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 11.6A On-state resistance: 16.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8884 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8896 | ONSEMI |
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FDS89141 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; 31W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A Power dissipation: 31W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.107Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1964 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS89161 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Technology: PowerTrench® Case: SO8 Polarisation: unipolar Gate charge: 4.1nC On-state resistance: 176mΩ Drain current: 2.7A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 31W Drain-source voltage: 100V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2255 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS89161LZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 182mΩ Drain current: 2.7A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 31W Drain-source voltage: 100V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDS8935 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -80V; -2.1A; 3.1W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -2.1A Power dissipation: 3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 308mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDS8949 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8 Technology: PowerTrench® Case: SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC On-state resistance: 43mΩ Power dissipation: 2W Drain current: 6A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8958A | ONSEMI |
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auf Bestellung 601 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8958B | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6.4/-4.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20/±25V On-state resistance: 39/72mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FDS8978 | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 49A; 1.6W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 49A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDS8984 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7A; 1.6W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDS9400A | ONSEMI |
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FDS9435A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS9926A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Gate charge: 9nC On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 2W Drain current: 6.5A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 20V Kind of package: reel; tape Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS9933A | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDS9934C | ONSEMI |
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fds9945 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8 Power dissipation: 2W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SO8 Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC On-state resistance: 0.17Ω Drain current: 3.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2325 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS9958 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.19Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 682 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDT1600N10ALZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10.42W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2602 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDT3612 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 3W; SOT223 Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.7A On-state resistance: 245mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3539 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDT3N40TF | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDT439N | ONSEMI |
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auf Bestellung 597 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDT458P | ONSEMI |
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auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDT4N50NZU | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDT86102LZ | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDT86106LZ | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDT86113LZ | ONSEMI |
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auf Bestellung 3235 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDT86244 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 12A; 2.2W; SOT223 Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 4.9nC On-state resistance: 128mΩ Power dissipation: 2.2W Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 150V Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDT86246 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDT86246L | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDU3N40TU | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDV301N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13101 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV303N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15679 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV304P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Drain current: -460mA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3806 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV305N | ONSEMI |
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auf Bestellung 4669 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDWS86068-F085 | ONSEMI |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDWS86368-F085 | ONSEMI |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDWS86369-F085 | ONSEMI |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDWS86380-F085 | ONSEMI |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDWS9509L-F085 | ONSEMI |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDY1002PZ | ONSEMI |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
FDS8447 | ![]() |
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Hersteller: ONSEMI
FDS8447 SMD N channel transistors
FDS8447 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1783 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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29+ | 2.55 EUR |
66+ | 1.08 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
FDS8449 |
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Hersteller: ONSEMI
FDS8449 SMD N channel transistors
FDS8449 SMD N channel transistors
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.34 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
105+ | 0.69 EUR |
500+ | 0.67 EUR |
FDS86106 |
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Hersteller: ONSEMI
FDS86106 SMD N channel transistors
FDS86106 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS86140 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS86140 SMD N channel transistors
FDS86140 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS86141 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS86141 SMD N channel transistors
FDS86141 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS86240 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS86240 SMD N channel transistors
FDS86240 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS86242 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS86242 SMD N channel transistors
FDS86242 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS86252 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.5A; Idm: 20A; 5W; SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.5A; Idm: 20A; 5W; SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS86267P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS86267P SMD P channel transistors
FDS86267P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8638 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8638 SMD N channel transistors
FDS8638 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS86540 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS86540 SMD N channel transistors
FDS86540 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8813NZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8840NZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8840NZ SMD N channel transistors
FDS8840NZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8842NZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8842NZ SMD N channel transistors
FDS8842NZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8858CZ |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.6/-7.3A
Gate-source voltage: ±25/±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.6/-7.3A
Gate-source voltage: ±25/±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8870 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8870 SMD N channel transistors
FDS8870 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8876 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 91A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 14.1mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 91A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 91A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 14.1mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 91A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8878 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.2A; Idm: 80A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.2A; Idm: 80A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8880 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.6A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.6A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
74+ | 0.97 EUR |
104+ | 0.69 EUR |
152+ | 0.47 EUR |
161+ | 0.45 EUR |
250+ | 0.43 EUR |
FDS8884 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
85+ | 0.84 EUR |
132+ | 0.54 EUR |
211+ | 0.34 EUR |
224+ | 0.32 EUR |
500+ | 0.31 EUR |
FDS8896 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8896 SMD N channel transistors
FDS8896 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS89141 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; 31W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 31W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; 31W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 31W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
26+ | 2.85 EUR |
28+ | 2.65 EUR |
29+ | 2.52 EUR |
30+ | 2.4 EUR |
32+ | 2.3 EUR |
FDS89161 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 176mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 176mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.39 EUR |
54+ | 1.33 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
FDS89161LZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 182mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 182mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8935 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -80V; -2.1A; 3.1W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -2.1A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 308mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -80V; -2.1A; 3.1W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -2.1A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 308mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8949 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
48+ | 1.52 EUR |
65+ | 1.11 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
139+ | 0.51 EUR |
147+ | 0.49 EUR |
1000+ | 0.47 EUR |
FDS8958A |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8958A Multi channel transistors
FDS8958A Multi channel transistors
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1 EUR |
146+ | 0.49 EUR |
154+ | 0.46 EUR |
FDS8958B |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.4/-4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±25V
On-state resistance: 39/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.4/-4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±25V
On-state resistance: 39/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8978 |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 49A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 49A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 49A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 49A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8984 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS9400A |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS9400A SMD P channel transistors
FDS9400A SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS9435A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1 EUR |
92+ | 0.78 EUR |
187+ | 0.38 EUR |
198+ | 0.36 EUR |
1000+ | 0.35 EUR |
FDS9926A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
60+ | 1.2 EUR |
86+ | 0.84 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
157+ | 0.46 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
500+ | 0.41 EUR |
FDS9933A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS9933A Multi channel transistors
FDS9933A Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS9934C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS9934C Multi channel transistors
FDS9934C Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
fds9945 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: 3.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: 3.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
99+ | 0.73 EUR |
126+ | 0.57 EUR |
142+ | 0.5 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
170+ | 0.42 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
500+ | 0.4 EUR |
FDS9958 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
56+ | 1.29 EUR |
79+ | 0.92 EUR |
111+ | 0.65 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
500+ | 0.6 EUR |
1000+ | 0.59 EUR |
FDT1600N10ALZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10.42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10.42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2602 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
73+ | 0.99 EUR |
98+ | 0.73 EUR |
113+ | 0.63 EUR |
143+ | 0.5 EUR |
152+ | 0.47 EUR |
250+ | 0.45 EUR |
FDT3612 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 3W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 3W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
75+ | 0.96 EUR |
102+ | 0.7 EUR |
174+ | 0.41 EUR |
184+ | 0.39 EUR |
500+ | 0.38 EUR |
FDT3N40TF |
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Hersteller: ONSEMI
FDT3N40TF SMD N channel transistors
FDT3N40TF SMD N channel transistors
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FDT439N |
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Hersteller: ONSEMI
FDT439N SMD N channel transistors
FDT439N SMD N channel transistors
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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43+ | 1.67 EUR |
112+ | 0.64 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
FDT458P |
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Hersteller: ONSEMI
FDT458P SMD P channel transistors
FDT458P SMD P channel transistors
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.48 EUR |
186+ | 0.39 EUR |
193+ | 0.37 EUR |
12000+ | 0.36 EUR |
FDT4N50NZU |
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Hersteller: ONSEMI
FDT4N50NZU SMD N channel transistors
FDT4N50NZU SMD N channel transistors
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FDT86102LZ |
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Hersteller: ONSEMI
FDT86102LZ SMD N channel transistors
FDT86102LZ SMD N channel transistors
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FDT86106LZ |
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Hersteller: ONSEMI
FDT86106LZ SMD N channel transistors
FDT86106LZ SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDT86113LZ |
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Hersteller: ONSEMI
FDT86113LZ SMD N channel transistors
FDT86113LZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 3235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.45 EUR |
111+ | 0.65 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
FDT86244 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 12A; 2.2W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.9nC
On-state resistance: 128mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 12A; 2.2W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.9nC
On-state resistance: 128mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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FDT86246 |
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Hersteller: ONSEMI
FDT86246 SMD N channel transistors
FDT86246 SMD N channel transistors
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FDT86246L |
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Hersteller: ONSEMI
FDT86246L SMD N channel transistors
FDT86246L SMD N channel transistors
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FDU3N40TU |
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Hersteller: ONSEMI
FDU3N40TU THT N channel transistors
FDU3N40TU THT N channel transistors
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FDV301N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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264+ | 0.27 EUR |
544+ | 0.13 EUR |
715+ | 0.1 EUR |
800+ | 0.089 EUR |
1401+ | 0.051 EUR |
1480+ | 0.048 EUR |
9000+ | 0.046 EUR |
FDV303N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15679 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
313+ | 0.23 EUR |
421+ | 0.17 EUR |
601+ | 0.12 EUR |
700+ | 0.1 EUR |
1553+ | 0.046 EUR |
1645+ | 0.043 EUR |
FDV304P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -460mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -460mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3806 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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500+ | 0.14 EUR |
685+ | 0.1 EUR |
857+ | 0.084 EUR |
940+ | 0.076 EUR |
1583+ | 0.045 EUR |
1673+ | 0.043 EUR |
FDV305N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDV305N SMD N channel transistors
FDV305N SMD N channel transistors
auf Bestellung 4669 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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120+ | 0.6 EUR |
521+ | 0.14 EUR |
550+ | 0.13 EUR |
FDWS86068-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDWS86068-F085 SMD N channel transistors
FDWS86068-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDWS86368-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDWS86368-F085 SMD N channel transistors
FDWS86368-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDWS86369-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDWS86369-F085 SMD N channel transistors
FDWS86369-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDWS86380-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDWS86380-F085 SMD N channel transistors
FDWS86380-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDWS9509L-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDWS9509L-F085 SMD P channel transistors
FDWS9509L-F085 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDY1002PZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDY1002PZ Multi channel transistors
FDY1002PZ Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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