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NVMTS0D7N04CLTXG ONSEMI nvmts0d7n04cl-d.pdf NVMTS0D7N04CLTXG SMD N channel transistors
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NVMTS0D7N06CTXG ONSEMI nvmts0d7n06c-d.pdf NVMTS0D7N06CTXG SMD N channel transistors
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NVMTS1D2N08H ONSEMI nvmts1d2n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 337A; Idm: 900A; 150W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 147nC
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 337A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMTS1D5N08H ONSEMI nvmts1d5n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 273A; Idm: 900A; 129W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 129W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 273A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMTS1D6N10MCTXG ONSEMI nvmts1d6n10mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 273A; Idm: 900A; 146W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 146W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 273A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMTS4D3N15MC ONSEMI nvmts4d3n15mc-d.pdf NVMTS4D3N15MC SMD N channel transistors
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NVMTSC1D3N08M7TXG ONSEMI nvmtsc1d3n08m7-d.pdf NVMTSC1D3N08M7TXG SMD N channel transistors
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NVMTSC4D3N15MC ONSEMI nvmtsc4d3n15mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 165A; Idm: 900A; 146W; TDFNW8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 900A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TDFNW8
Gate charge: 79nC
On-state resistance: 4.45mΩ
Power dissipation: 146W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 165A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMYS003N08LHTWG ONSEMI nvmys003n08lh-d.pdf NVMYS003N08LHTWG SMD N channel transistors
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NVMYS005N10MCLTWG ONSEMI nvmys005n10mcl-d.pdf NVMYS005N10MCLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS007N10MCLTWG ONSEMI nvmys007n10mcl-d.pdf NVMYS007N10MCLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS008N08LHTWG ONSEMI nvmys008n08lh-d.pdf NVMYS008N08LHTWG SMD N channel transistors
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NVMYS011N04CTWG ONSEMI nvmys011n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 173A; 9.1W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 173A
Power dissipation: 9.1W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMYS012N10MCLTWG ONSEMI nvmys012n10mcl-d.pdf NVMYS012N10MCLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS014N06CLTWG ONSEMI nvmys014n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 185A; 12W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 12W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMYS016N10MCLTWG ONSEMI nvmys016n10mcl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 264A; 32W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 32W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMYS020N08LHTWG ONSEMI nvmys020n08lh-d.pdf NVMYS020N08LHTWG SMD N channel transistors
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NVMYS021N06CLTWG ONSEMI nvmys021n06cl-d.pdf NVMYS021N06CLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS021N10MCLTWG ONSEMI NVMYS021N10MCLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS025N06CLTWG ONSEMI nvmys025n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 103A; 7.6W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 103A
Power dissipation: 7.6W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMYS1D2N04CLTWG ONSEMI NVMYS1D2N04CLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS1D3N04CTWG ONSEMI nvmys1d3n04c-d.pdf NVMYS1D3N04CTWG SMD N channel transistors
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NVMYS1D7N04CT1G ONSEMI nvmys1d7n04c-d.pdf NVMYS1D7N04CT1G SMD N channel transistors
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NVMYS2D1N04CLTWG ONSEMI NVMYS2D1N04CLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS2D2N06CLTWG ONSEMI nvmys2d2n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 185A; Idm: 900A; 67W; LFPAK56
Case: LFPAK56
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 69nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 67W
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMYS2D4N04CTWG ONSEMI nvmys2d4n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 138A; Idm: 829A; 27W; LFPAK56
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 138A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 829A
Case: LFPAK56
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMYS2D9N04CLTWG ONSEMI nvmys2d9n04cl-d.pdf NVMYS2D9N04CLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS3D3N06CLTWG ONSEMI nvmys3d3n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 133A; Idm: 811A; 32W; LFPAK56
Case: LFPAK56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40.7nC
On-state resistance: 3mΩ
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 811A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMYS3D5N04CTWG ONSEMI nvmys3d5n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 102A; Idm: 554A; 34W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 554A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMYS4D1N06CLTWG ONSEMI NVMYS4D1N06CLTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS4D6N04CLTWG ONSEMI nvmys4d6n04cl-d.pdf NVMYS4D6N04CLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS5D3N04CTWG ONSEMI nvmys5d3n04c-d.pdf NVMYS5D3N04CTWG SMD N channel transistors
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NVMYS6D2N06CLTWG ONSEMI nvmys6d2n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; Idm: 440A; 31W; LFPAK56
Case: LFPAK56
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 6.1mΩ
Power dissipation: 31W
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 440A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS7D3N04CLTWG ONSEMI nvmys7d3n04cl-d.pdf NVMYS7D3N04CLTWG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS8D0N04CTWG ONSEMI nvmys8d0n04c-d.pdf NVMYS8D0N04CTWG SMD N channel transistors
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NVMYS9D3N06CLTWG ONSEMI NVMYS9D3N06CLTWG SMD N channel transistors
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NVR1P02T1G ONSEMI ntr1p02t1-d.pdf NVR1P02T1G SMD P channel transistors
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NVR4003NT3G ONSEMI ntr4003n-d.pdf NVR4003NT3G SMD N channel transistors
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NVR4501NT1G ONSEMI ntr4501n-d.pdf NVR4501NT1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVR5124PLT1G NVR5124PLT1G ONSEMI nvr5124pl-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.67A; 0.19W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.67A
Power dissipation: 0.19W
On-state resistance: 0.23Ω
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
150+0.48 EUR
197+0.36 EUR
302+0.24 EUR
319+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVR5198NLT1G NVR5198NLT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8E635539E92C0D4&compId=NVR5198NL.PDF?ci_sign=d2ee1db876e6bf55c7006dc571e8ed7117f0a8db Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 27A; 0.4W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate charge: 5.1nC
On-state resistance: 0.205Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1683 Stücke:
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180+0.4 EUR
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382+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVS4001NT1G ONSEMI nts4001n-d.pdf NVS4001NT1G SMD N channel transistors
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NVS4409NT1G ONSEMI nts4409n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 750mA; Idm: 3A; 280mW; SC70
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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NVTA7002NT1G ONSEMI nta7002n-d.pdf NVTA7002NT1G SMD N channel transistors
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NVTFS002N04CLTAG ONSEMI nvtfs002n04cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 142A
Pulsed drain current: 706A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFS002N04CTAG ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFS003N04CTAG ONSEMI nvtfs003n04c-d.pdf NVTFS003N04CTAG SMD N channel transistors
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NVTFS004N04CTAG ONSEMI nvtfs004n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; Idm: 338A; 18W; WDFN8
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 4.9mΩ
Power dissipation: 18W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 77A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 338A
Case: WDFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFS005N04CTAG ONSEMI nvtfs005n04c-d.pdf NVTFS005N04CTAG SMD N channel transistors
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NVTFS007N08HLTAG ONSEMI nvtfs007n08hl-d.pdf NVTFS007N08HLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS008N04CTAG ONSEMI nvtfs008n04c-d.pdf NVTFS008N04CTAG SMD N channel transistors
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NVTFS010N10MCLTAG ONSEMI nvtfs010n10mcl-d.pdf NVTFS010N10MCLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS012P03P8ZTAG ONSEMI NVTFS012P03P8ZTAG SMD P channel transistors
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NVTFS014P04M8LTAG ONSEMI nvtfs014p04m8l-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -49A; Idm: -224A; 30W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -224A
Drain current: -49A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 13.8mΩ
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFS015N04CTAG ONSEMI nvtfs015n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27A; Idm: 93A; 7.4W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 7.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFS016N06CTAG ONSEMI nvtfs016n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 32A; Idm: 160A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAG ONSEMI NVTFS020N06C-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NVTFS024N06CTAG ONSEMI nvtfs024n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; Idm: 112A; 14W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 14W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NVMTS0D7N04CLTXG nvmts0d7n04cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMTS0D7N04CLTXG SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
NVMTS0D7N04CTXG SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
NVMTS0D7N06CLTXG SMD N channel transistors
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NVMTS0D7N06CTXG SMD N channel transistors
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NVMTS1D2N08H nvmts1d2n08h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 337A; Idm: 900A; 150W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 147nC
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 337A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
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NVMTS1D5N08H nvmts1d5n08h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 273A; Idm: 900A; 129W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 129W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 273A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
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NVMTS1D6N10MCTXG nvmts1d6n10mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 273A; Idm: 900A; 146W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 146W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 273A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
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NVMTS4D3N15MC nvmts4d3n15mc-d.pdf
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NVMTS4D3N15MC SMD N channel transistors
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NVMTSC1D3N08M7TXG nvmtsc1d3n08m7-d.pdf
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NVMTSC1D3N08M7TXG SMD N channel transistors
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NVMTSC4D3N15MC nvmtsc4d3n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 165A; Idm: 900A; 146W; TDFNW8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 900A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TDFNW8
Gate charge: 79nC
On-state resistance: 4.45mΩ
Power dissipation: 146W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 165A
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NVMYS003N08LHTWG nvmys003n08lh-d.pdf
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NVMYS003N08LHTWG SMD N channel transistors
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NVMYS005N10MCLTWG nvmys005n10mcl-d.pdf
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NVMYS005N10MCLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS007N10MCLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS008N08LHTWG SMD N channel transistors
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NVMYS011N04CTWG nvmys011n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 173A; 9.1W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 173A
Power dissipation: 9.1W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NVMYS012N10MCLTWG nvmys012n10mcl-d.pdf
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NVMYS012N10MCLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS014N06CLTWG nvmys014n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 185A; 12W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 12W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMYS016N10MCLTWG nvmys016n10mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 264A; 32W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 32W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMYS020N08LHTWG nvmys020n08lh-d.pdf
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NVMYS020N08LHTWG SMD N channel transistors
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NVMYS021N06CLTWG nvmys021n06cl-d.pdf
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NVMYS021N06CLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS021N10MCLTWG
Hersteller: ONSEMI
NVMYS021N10MCLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS025N06CLTWG nvmys025n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 103A; 7.6W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 103A
Power dissipation: 7.6W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NVMYS1D2N04CLTWG
Hersteller: ONSEMI
NVMYS1D2N04CLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS1D3N04CTWG nvmys1d3n04c-d.pdf
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NVMYS1D3N04CTWG SMD N channel transistors
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NVMYS1D7N04CT1G nvmys1d7n04c-d.pdf
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NVMYS1D7N04CT1G SMD N channel transistors
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NVMYS2D1N04CLTWG
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NVMYS2D1N04CLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS2D2N06CLTWG nvmys2d2n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 185A; Idm: 900A; 67W; LFPAK56
Case: LFPAK56
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 69nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 67W
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMYS2D4N04CTWG nvmys2d4n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 138A; Idm: 829A; 27W; LFPAK56
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 138A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 829A
Case: LFPAK56
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMYS2D9N04CLTWG nvmys2d9n04cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMYS2D9N04CLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS3D3N06CLTWG nvmys3d3n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 133A; Idm: 811A; 32W; LFPAK56
Case: LFPAK56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40.7nC
On-state resistance: 3mΩ
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 811A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMYS3D5N04CTWG nvmys3d5n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 102A; Idm: 554A; 34W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 554A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NVMYS4D1N06CLTWG
Hersteller: ONSEMI
NVMYS4D1N06CLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS4D6N04CLTWG nvmys4d6n04cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMYS4D6N04CLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS5D3N04CTWG nvmys5d3n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMYS5D3N04CTWG SMD N channel transistors
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NVMYS6D2N06CLTWG nvmys6d2n06cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; Idm: 440A; 31W; LFPAK56
Case: LFPAK56
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 6.1mΩ
Power dissipation: 31W
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 440A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS7D3N04CLTWG nvmys7d3n04cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMYS7D3N04CLTWG SMD N channel transistors
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NVMYS8D0N04CTWG nvmys8d0n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVMYS8D0N04CTWG SMD N channel transistors
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NVMYS9D3N06CLTWG
Hersteller: ONSEMI
NVMYS9D3N06CLTWG SMD N channel transistors
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NVR1P02T1G ntr1p02t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVR1P02T1G SMD P channel transistors
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NVR4003NT3G ntr4003n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVR4003NT3G SMD N channel transistors
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NVR4501NT1G ntr4501n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVR4501NT1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 2429 Stücke:
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NVR5124PLT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.67A; 0.19W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.67A
Power dissipation: 0.19W
On-state resistance: 0.23Ω
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVR5198NLT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8E635539E92C0D4&compId=NVR5198NL.PDF?ci_sign=d2ee1db876e6bf55c7006dc571e8ed7117f0a8db
NVR5198NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 27A; 0.4W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate charge: 5.1nC
On-state resistance: 0.205Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
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NVS4001NT1G nts4001n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVS4001NT1G SMD N channel transistors
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NVS4409NT1G nts4409n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 750mA; Idm: 3A; 280mW; SC70
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NVTA7002NT1G nta7002n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTA7002NT1G SMD N channel transistors
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NVTFS002N04CLTAG nvtfs002n04cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 142A
Pulsed drain current: 706A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFS002N04CTAG
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFS003N04CTAG nvtfs003n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS003N04CTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS004N04CTAG nvtfs004n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; Idm: 338A; 18W; WDFN8
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 4.9mΩ
Power dissipation: 18W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 77A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 338A
Case: WDFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS005N04CTAG nvtfs005n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS005N04CTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS007N08HLTAG nvtfs007n08hl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS007N08HLTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS008N04CTAG nvtfs008n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS008N04CTAG SMD N channel transistors
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NVTFS010N10MCLTAG nvtfs010n10mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS010N10MCLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS012P03P8ZTAG
Hersteller: ONSEMI
NVTFS012P03P8ZTAG SMD P channel transistors
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NVTFS014P04M8LTAG nvtfs014p04m8l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -49A; Idm: -224A; 30W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -224A
Drain current: -49A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 13.8mΩ
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS015N04CTAG nvtfs015n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27A; Idm: 93A; 7.4W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 7.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS016N06CTAG nvtfs016n06c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 32A; Idm: 160A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAG NVTFS020N06C-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAG nvtfs024n06c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; Idm: 112A; 14W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 14W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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