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NVTFS5116PLWFTAG ONSEMI nvtfs5116pl-d.pdf NVTFS5116PLWFTAG SMD P channel transistors
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NVTFS5C453NLTAG ONSEMI nvtfs5c453nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3.1mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFS5C453NLWFTAG ONSEMI nvtfs5c453nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3.1mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFS5C454NLTAG ONSEMI nvtfs5c454nl-d.pdf NVTFS5C454NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C460NLTAG ONSEMI NVTFS5C460NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C466NLTAG ONSEMI nvtfs5c466nl-d.pdf NVTFS5C466NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C471NLTAG ONSEMI nvtfs5c471nl-d.pdf NVTFS5C471NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C478NLTAG ONSEMI NVTFS5C478NL-D.PDF NVTFS5C478NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C658NLTAG ONSEMI nvtfs5c658nl-d.pdf NVTFS5C658NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C670NLTAG ONSEMI nvtfs5c670nl-d.pdf NVTFS5C670NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C673NLTAG ONSEMI nvtfs5c673nl-d.pdf NVTFS5C673NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H850NLTAG ONSEMI NVTFS6H850NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H854NLTAG ONSEMI NVTFS6H854NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H860NLTAG ONSEMI NVTFS6H860NL-D.PDF NVTFS6H860NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H860NLWFTAG ONSEMI NVTFS6H860NL-D.PDF NVTFS6H860NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H860NTAG ONSEMI NVTFS6H860NTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H880NLWFTAG ONSEMI NVTFS6H880NL-D.PDF NVTFS6H880NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H880NTAG ONSEMI nvtfs6h880n-d.pdf NVTFS6H880NTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H880NWFTAG ONSEMI NVTFS6H880NWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H888NLTAG ONSEMI nvtfs6h888nl-d.pdf NVTFS6H888NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H888NLWFTAG ONSEMI NVTFS6H888NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H888NTAG ONSEMI nvtfs6h888n-d.pdf NVTFS6H888NTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H888NWFTAG ONSEMI nvtfs6h888n-d.pdf NVTFS6H888NWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS9D6P04M8LTAG ONSEMI nvtfs9d6p04m8l-d.pdf NVTFS9D6P04M8LTAG SMD P channel transistors
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NVTFWS002N04CLTAG ONSEMI nvtfs002n04cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 142A
Pulsed drain current: 706A
Power dissipation: 27W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFWS002N04CTAG ONSEMI nvtfs002n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFWS003N04CTAG ONSEMI nvtfs003n04c-d.pdf NVTFWS003N04CTAG SMD N channel transistors
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NVTFWS005N04CTAG ONSEMI nvtfs005n04c-d.pdf NVTFWS005N04CTAG SMD N channel transistors
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NVTFWS007N08HLTAG ONSEMI nvtfs007n08hl-d.pdf NVTFWS007N08HLTAG SMD N channel transistors
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NVTFWS008N04CTAG ONSEMI nvtfs008n04c-d.pdf NVTFWS008N04CTAG SMD N channel transistors
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NVTFWS010N10MCLTAG ONSEMI NVTFS010N10MCL-D.PDF NVTFWS010N10MCLTAG SMD N channel transistors
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NVTFWS012P03P8ZTAG ONSEMI nvtfs012p03p8z-d.pdf NVTFWS012P03P8ZTAG SMD P channel transistors
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NVTFWS014P04M8LTAG ONSEMI nvtfs014p04m8l-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -49A; Idm: -224A; 30W; WDFNW8
Mounting: SMD
Case: WDFNW8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -224A
Drain current: -49A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 13.8mΩ
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFWS020N06CTAG ONSEMI NVTFS020N06C-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFWS027N10MCLTAG ONSEMI nvtfs027n10mcl-d.pdf NVTFWS027N10MCLTAG SMD N channel transistors
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NVTFWS030N06CTAG ONSEMI nvtfs030n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 19A; Idm: 86A; 11W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 86A
Power dissipation: 11W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFWS052P04M8LTAG ONSEMI nvtfs052p04m8l-d.pdf NVTFWS052P04M8LTAG SMD P channel transistors
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NVTFWS9D6P04M8LTAG ONSEMI NVTFS9D6P04M8L-D.PDF NVTFWS9D6P04M8LTAG SMD P channel transistors
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NVTJD4001NT1G NVTJD4001NT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB5C5D6B15072E0D6&compId=NVTJD4001NT1G.PDF?ci_sign=fb8c0dff24cfbf9eec47794e6e9d4a40d9e84ec3 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
191+0.38 EUR
216+0.33 EUR
266+0.27 EUR
360+0.2 EUR
439+0.16 EUR
516+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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NVTR0202PLT1G ONSEMI ntr0202pl-d.pdf NVTR0202PLT1G SMD P channel transistors
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NVTFS5116PLWFTAG nvtfs5116pl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5116PLWFTAG SMD P channel transistors
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NVTFS5116PLWFTWG nvtfs5116pl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5116PLWFTWG SMD P channel transistors
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NVTFS5124PLTAG nvtfs5124pl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5124PLTAG SMD P channel transistors
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NVTFS5124PLTWG nvtfs5124pl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5124PLTWG SMD P channel transistors
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NVTFS5124PLWFTAG nvtfs5124pl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5124PLWFTAG SMD P channel transistors
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NVTFS5C453NLTAG nvtfs5c453nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3.1mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFS5C453NLWFTAG nvtfs5c453nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3.1mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFS5C454NLTAG nvtfs5c454nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C454NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C454NLWFTAG nvtfs5c454nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C454NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C460NLTAG
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C460NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C460NLWFTAG
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C460NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C466NLTAG nvtfs5c466nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C466NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C466NLWFTAG
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C466NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C471NLTAG nvtfs5c471nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C471NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C471NLWFTAG nvtfs5c471nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C471NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C478NLTAG NVTFS5C478NL-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C478NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C478NLWFTAG nvtfs5c478nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C478NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C658NLTAG nvtfs5c658nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C658NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C658NLWFTAG
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C658NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C670NLTAG nvtfs5c670nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C670NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C670NLWFTAG nvtfs5c670nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C670NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C673NLTAG nvtfs5c673nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C673NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C673NLWFTAG nvtfs5c673nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C673NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C680NLTAG nvtfs5c680nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C680NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS5C680NLWFTAG nvtfs5c680nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVTFS5C680NLWFTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H850NLTAG
Hersteller: ONSEMI
NVTFS6H850NLTAG SMD N channel transistors
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NVTFS6H850NLWFTAG nvtfs6h850nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
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Hersteller: ONSEMI
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Hersteller: ONSEMI
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Hersteller: ONSEMI
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 142A
Pulsed drain current: 706A
Power dissipation: 27W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -49A; Idm: -224A; 30W; WDFNW8
Mounting: SMD
Case: WDFNW8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -224A
Drain current: -49A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 13.8mΩ
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 19A; Idm: 86A; 11W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 86A
Power dissipation: 11W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
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