| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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AGB1N0CS-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AGB1N0CS-GEVK - Evaluationsboard, AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, Headboards zu PC-Schnittstelle, USB 3.0 Prozessorkern: - Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: - Lieferumfang des Kits: Demo 3-Evaluationsboard Unterart Anwendung: Bildsensor Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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LC03-6R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LC03-6R2G - ESD-Schutzbaustein, Array, 20 V, SOIC, 8 Pin(s), 6.8 V, 2 kW, LC03tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOIC euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 2kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 6.8V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: LC03 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 7454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LC03-6R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LC03-6R2G - ESD-Schutzbaustein, Array, 20 V, SOIC, 8 Pin(s), 6.8 V, 2 kW, LC03tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOIC euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung Pd: 2kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 6.8V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: LC03 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 7454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NGTB40N60L2WG. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB40N60L2WG. - IGBT, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Verlustleistung: 417 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 Kollektorstrom: 80 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NGTB40N120L3WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB40N120L3WG - IGBT, 160 A, 1.55 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 454 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 160 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NGTB40N120FL3WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB40N120FL3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 454 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 160 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NGTB40N120S3WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB40N120S3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 454W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 160A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NB3N853531EDTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NB3N853531EDTR2G - Fanout-Puffer, 266MHz, 4 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V Versorgungsspannung, TSSOP-20MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Takt-IC: TSSOP Frequenz: 266 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 3.135 Takt-IC: Fanout-Puffer Anzahl der Pins: 20 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.465 Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 4 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NB3N853531EDTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NB3N853531EDTR2G - Fanout-Puffer, 266MHz, 4 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V Versorgungsspannung, TSSOP-20SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BAS31-D87Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS31-D87Z - HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE DIODESVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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LV88561RTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LV88561RTXG - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 3.9V bis 16V Versorgung, VCT-20, -40°C bis 105°CAusgangsstrom: 50 Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgangsspannung: 16 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 3.9 Bauform - Treiber: VCT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 20 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 16 Betriebstemperatur, max.: 105 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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LB11620GP-TE-L-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LB11620GP-TE-L-H - Motortreiber, bürstenloser Drehstrommotor, 1 Ausgang, 4.5V-5.5V Versorgung, VCT-24, -30°C bis 100°CAusgangsstrom: 25 Motortyp: Bürstenloser Drehstrommotor MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgangsspannung: 17 Betriebstemperatur, min.: -30 Versorgungsspannung, min.: 4.5 Bauform - Treiber: VCT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 24 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 100 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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LV88551RTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LV88551RTXG - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 3.9V bis 16V Versorgung, VCT-20, -40°C bis 105°CAusgangsstrom: 50 Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgangsspannung: 16 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 3.9 Bauform - Treiber: VCT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 20 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 16 Betriebstemperatur, max.: 105 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GBPC2506W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBPC2506W - Brückengleichrichter, Miniatur, Eine Phase, 600 V, 25 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 VBauform - Brückengleichrichter: Modul Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25 Anzahl der Pins: 4 Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchlassspannung, max.: 1.1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: GBPC2 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FQPF27N25 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.083 ohm, TO-220F, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 14 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 55 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 55 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FQP15P12 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP15P12 - MOSFET'S - SINGLESVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FQPF15P12 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF15P12 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 120 V, 15 A, 0.17 ohm, TO-220F, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120 Dauer-Drainstrom Id: 15 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 41 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 41 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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ATP214-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP214-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0062 ohm, ATPAK, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 75 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 60 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 60 Bauform - Transistor: ATPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FOD817CSD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817CSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 200% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 32156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC5661N-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC5661N-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.038 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FDS6679AZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm |
auf Bestellung 13858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGA6540WDF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA6540WDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERSSVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NCV213RSQT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV213RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 90 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °CtariffCode: 85423390 CMRR: 120dB rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 Verstärkung: 50V/V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 90kHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Strommessverstärker: High-Side, Low-Side Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV213RSQT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV213RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 90 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °CtariffCode: 85423390 CMRR: 120dB rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 Verstärkung: 50V/V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 90kHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Strommessverstärker: High-Side, Low-Side Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LC88FC3J0AUTJ-2H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LC88FC3J0AUTJ-2H - 16-Bit-Mikrocontroller, LC88 Family LC88F Series Microcontrollers, Xstormy16, 16 bit, 10 MHzBausteinkern: Xstormy16 Datenbusbreite: 16 Anzahl der Bits: 16bit IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden Programmspeichergröße: 640 Versorgungsspannung, min.: 2.7 Betriebsfrequenz, max.: 10 MCU-Familie: LC88 RAM-Speichergröße: 47.5 MCU-Baureihe: LC88F CPU-Geschwindigkeit: 10 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 90 Anzahl der Pins: 100 Produktpalette: LC88 Family LC88F Series Microcontrollers Embedded-Schnittstelle: I2C, UART Versorgungsspannung, max.: 3.6 Bauform - MCU: TQFP Schnittstellen: I2C, UART SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FDS4935BZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 AtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP70N10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 57 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 160 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 160 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 1192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LV5725JA-AH. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LV5725JA-AH. - BUCK CONVERTER, DC-DC, 1-CHANNELMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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N01S830HAT22I | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N01S830HAT22I - SRAM, Synchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, TSSOP, 8 Pin(s), 2.5 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Synchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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N01S830BAT22I | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N01S830BAT22I - SRAM, Synchroner SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, TSSOP, 8 Pin(s), 2.5 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Speicherdichte: 1MB MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Synchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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N01S830BAT22IT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N01S830BAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 2.5V bis 5.5V, TSSOP, 8 Pin(s)Bauform - Speicherbaustein: TSSOP Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Betriebstemperatur, min.: -40 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 1 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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N01S818HAT22I | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N01S818HAT22I - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 1.7V bis 2.2V, TSSOP, 8 Pin(s)Bauform - Speicherbaustein: TSSOP Versorgungsspannung: 1.7V bis 2.2V Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: - Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 1 Produktpalette: N01S818HA Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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N01S818HAT22IT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N01S818HAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 1.7V bis 2.2V, TSSOP, 8 Pin(s)Bauform - Speicherbaustein: TSSOP Versorgungsspannung: 1.7V bis 2.2V Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Betriebstemperatur, min.: -40 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 1 Produktpalette: N01S818HA Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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N01S830HAT22IT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N01S830HAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 2.5V bis 5.5V, TSSOP, 8 Pin(s)Bauform - Speicherbaustein: TSSOP Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Betriebstemperatur, min.: -40 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 1 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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N25S830HAS22I | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N25S830HAS22I - SRAM, Synchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOIC, 8 Pin(s), 2.7 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 256Kbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Synchroner SRAM Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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N25S830HAT22I | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N25S830HAT22I - SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 2.7V bis 3.6V, TSSOP, 8 Pin(s)Bauform - Speicherbaustein: TSSOP Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 256 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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N25S818HAT21I | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N25S818HAT21I - SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 1.7V bis 1.95V, TSSOP-8Bauform - Speicherbaustein: TSSOP Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Betriebstemperatur, min.: -40 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 256 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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N25S818HAS21I | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N25S818HAS21I - SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 1.7V bis 1.95V, SOIC-8Bauform - Speicherbaustein: SOIC Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Betriebstemperatur, min.: -40 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 256 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 192 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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N64S830HAS22I | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N64S830HAS22I - SRAM, 64kB, 8K x 8 Bit, 2.5V bis 3.6V, SOIC-8Bauform - Speicherbaustein: SOIC Versorgungsspannung: 2.5V bis 3.6V Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Betriebstemperatur, min.: -40 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 64 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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N64S830HAT22I | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N64S830HAT22I - SRAM, 64kB, 8K x 8 Bit, 2.5V bis 3.6V, TSSOP-8Bauform - Speicherbaustein: TSSOP Versorgungsspannung: 2.5V bis 3.6V Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Betriebstemperatur, min.: -40 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 64 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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N64S818HAT21I | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N64S818HAT21I - SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 1.7V bis 1.95V, TSSOP, 8 Pin(s)Bauform - Speicherbaustein: TSSOP Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Betriebstemperatur, min.: -40 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 64 Produktpalette: N64S818 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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N64S818HAS21I | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N64S818HAS21I - SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 1.7V bis 1.95V, SOIC, 8 Pin(s)Bauform - Speicherbaustein: SOIC Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Betriebstemperatur, min.: -40 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 64 Produktpalette: N64S818 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NCV1413BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mAtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA |
auf Bestellung 361 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AR0238CSSC12SHRA0-DP1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DP1 - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 152 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AR0237IRSH12SHRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SHRA0-DR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1520 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NTLJF3117PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTLJF3117PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQU10N20CTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQU10N20CTU - MOSFET'S - SINGLESVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5040 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NB3H83905CDTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NB3H83905CDTG - CLOCK FANOUT BUFFER, 1:6, TSSOP-16MSL: MSL 1 - Unlimited Bauform - Takt-IC: TSSOP Frequenz: 100 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 3.135 Takt-IC: Fanout Buffer Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.465 Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 6 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NCV8664DT50RKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8664DT50RKG - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45Vin, 1.266V Dropout, 5Vout und 150mAout, TO-252-4tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Nennausgangsspannung: 5V MSL: MSL 2 - 1 Jahr Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 45V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 4.5V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 150mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 1561 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCS36000DG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS36000DG - Stromsensor, SOIC, 14 Pin(s), 3 V, 5.75 VMSL: MSL 2 - 1 Jahr Ruhestrom: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 3 Bauform - Sensor: SOIC Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: - Bandbreite: - Versorgungsspannung, max.: 5.75 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 440 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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UJ3D06530TS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 72 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 72nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ATP304-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 90W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: ATPAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
auf Bestellung 5380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCS20072DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20072DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.4V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 2.4V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 3MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker |
auf Bestellung 9593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCS20062DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20062DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Spannungsanstieg: 1.2 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Bandbreite: 3 Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NUP4114UPXV6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP4114UPXV6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOT-563, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-563 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: NUP4114 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTZD3154NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 34175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTZD3154NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 34175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTZD3152PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1026 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NLV14025BDG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14025BDG - Logik-IC, NOR-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4025Logikfunktion: NOR-Gatter Logik-IC-Familie: 4000B Bauform - Logikbaustein: NSOIC Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 4025 Versorgungsspannung, max.: 18 Anzahl der Eingänge: 3 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Drei SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 935 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AGB1N0CS-GEVK |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AGB1N0CS-GEVK - Evaluationsboard, AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, Headboards zu PC-Schnittstelle, USB 3.0
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Demo 3-Evaluationsboard
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - AGB1N0CS-GEVK - Evaluationsboard, AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, Headboards zu PC-Schnittstelle, USB 3.0
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Demo 3-Evaluationsboard
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LC03-6R2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC03-6R2G - ESD-Schutzbaustein, Array, 20 V, SOIC, 8 Pin(s), 6.8 V, 2 kW, LC03
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOIC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 2kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 6.8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: LC03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - LC03-6R2G - ESD-Schutzbaustein, Array, 20 V, SOIC, 8 Pin(s), 6.8 V, 2 kW, LC03
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOIC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 2kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 6.8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: LC03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 7454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 94+ | 2.68 EUR |
| 121+ | 1.93 EUR |
| 157+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| LC03-6R2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC03-6R2G - ESD-Schutzbaustein, Array, 20 V, SOIC, 8 Pin(s), 6.8 V, 2 kW, LC03
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOIC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 6.8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: LC03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - LC03-6R2G - ESD-Schutzbaustein, Array, 20 V, SOIC, 8 Pin(s), 6.8 V, 2 kW, LC03
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOIC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 6.8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: LC03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 7454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.68 EUR |
| 121+ | 1.93 EUR |
| 157+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| NGTB40N60L2WG. |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N60L2WG. - IGBT, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 417
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NGTB40N60L2WG. - IGBT, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 417
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NGTB40N120L3WG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N120L3WG - IGBT, 160 A, 1.55 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 454
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 160
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NGTB40N120L3WG - IGBT, 160 A, 1.55 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 454
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 160
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.07 EUR |
| 26+ | 8.27 EUR |
| 50+ | 8.01 EUR |
| 100+ | 7.74 EUR |
| NGTB40N120FL3WG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N120FL3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 454
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 160
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - NGTB40N120FL3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 454
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 160
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NGTB40N120S3WG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N120S3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - NGTB40N120S3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.7 EUR |
| 22+ | 10.7 EUR |
| NB3N853531EDTR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3N853531EDTR2G - Fanout-Puffer, 266MHz, 4 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V Versorgungsspannung, TSSOP-20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 266
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.135
Takt-IC: Fanout-Puffer
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.465
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NB3N853531EDTR2G - Fanout-Puffer, 266MHz, 4 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V Versorgungsspannung, TSSOP-20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 266
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.135
Takt-IC: Fanout-Puffer
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.465
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NB3N853531EDTR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3N853531EDTR2G - Fanout-Puffer, 266MHz, 4 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V Versorgungsspannung, TSSOP-20
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NB3N853531EDTR2G - Fanout-Puffer, 266MHz, 4 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V Versorgungsspannung, TSSOP-20
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAS31-D87Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS31-D87Z - HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE DIODE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - BAS31-D87Z - HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE DIODE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LV88561RTXG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV88561RTXG - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 3.9V bis 16V Versorgung, VCT-20, -40°C bis 105°C
Ausgangsstrom: 50
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: VCT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - LV88561RTXG - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 3.9V bis 16V Versorgung, VCT-20, -40°C bis 105°C
Ausgangsstrom: 50
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: VCT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LB11620GP-TE-L-H |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LB11620GP-TE-L-H - Motortreiber, bürstenloser Drehstrommotor, 1 Ausgang, 4.5V-5.5V Versorgung, VCT-24, -30°C bis 100°C
Ausgangsstrom: 25
Motortyp: Bürstenloser Drehstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 17
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: VCT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 100
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - LB11620GP-TE-L-H - Motortreiber, bürstenloser Drehstrommotor, 1 Ausgang, 4.5V-5.5V Versorgung, VCT-24, -30°C bis 100°C
Ausgangsstrom: 25
Motortyp: Bürstenloser Drehstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 17
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: VCT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 100
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LV88551RTXG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV88551RTXG - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 3.9V bis 16V Versorgung, VCT-20, -40°C bis 105°C
Ausgangsstrom: 50
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: VCT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - LV88551RTXG - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 3.9V bis 16V Versorgung, VCT-20, -40°C bis 105°C
Ausgangsstrom: 50
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: VCT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBPC2506W |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC2506W - Brückengleichrichter, Miniatur, Eine Phase, 600 V, 25 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1.1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: GBPC2
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - GBPC2506W - Brückengleichrichter, Miniatur, Eine Phase, 600 V, 25 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1.1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: GBPC2
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQPF27N25 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.083 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FQPF27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.083 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQP15P12 |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQPF15P12 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF15P12 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 120 V, 15 A, 0.17 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF15P12 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 120 V, 15 A, 0.17 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ATP214-TL-H |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP214-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0062 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - ATP214-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0062 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FOD817CSD |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817CSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD817CSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 32156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 233+ | 1.08 EUR |
| 339+ | 0.69 EUR |
| 474+ | 0.45 EUR |
| 582+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| FDC5661N-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5661N-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.038 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
Description: ONSEMI - FDC5661N-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.038 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDS6679AZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
auf Bestellung 13858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 85+ | 2.95 EUR |
| 115+ | 2.02 EUR |
| 160+ | 1.34 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| FGA6540WDF |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA6540WDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FGA6540WDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCV213RSQT2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV213RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 90 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 120dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 50V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 90kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV213RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 90 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 120dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 50V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 90kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 94+ | 2.68 EUR |
| 110+ | 2.12 EUR |
| 131+ | 1.64 EUR |
| 161+ | 1.33 EUR |
| 250+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.26 EUR |
| NCV213RSQT2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV213RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 90 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 120dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 50V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 90kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV213RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 90 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 120dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 50V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 90kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.68 EUR |
| 110+ | 2.12 EUR |
| 131+ | 1.64 EUR |
| 161+ | 1.33 EUR |
| 250+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.26 EUR |
| LC88FC3J0AUTJ-2H |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC88FC3J0AUTJ-2H - 16-Bit-Mikrocontroller, LC88 Family LC88F Series Microcontrollers, Xstormy16, 16 bit, 10 MHz
Bausteinkern: Xstormy16
Datenbusbreite: 16
Anzahl der Bits: 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Programmspeichergröße: 640
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Betriebsfrequenz, max.: 10
MCU-Familie: LC88
RAM-Speichergröße: 47.5
MCU-Baureihe: LC88F
CPU-Geschwindigkeit: 10
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 90
Anzahl der Pins: 100
Produktpalette: LC88 Family LC88F Series Microcontrollers
Embedded-Schnittstelle: I2C, UART
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Bauform - MCU: TQFP
Schnittstellen: I2C, UART
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - LC88FC3J0AUTJ-2H - 16-Bit-Mikrocontroller, LC88 Family LC88F Series Microcontrollers, Xstormy16, 16 bit, 10 MHz
Bausteinkern: Xstormy16
Datenbusbreite: 16
Anzahl der Bits: 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Programmspeichergröße: 640
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Betriebsfrequenz, max.: 10
MCU-Familie: LC88
RAM-Speichergröße: 47.5
MCU-Baureihe: LC88F
CPU-Geschwindigkeit: 10
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 90
Anzahl der Pins: 100
Produktpalette: LC88 Family LC88F Series Microcontrollers
Embedded-Schnittstelle: I2C, UART
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Bauform - MCU: TQFP
Schnittstellen: I2C, UART
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDS4935BZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.27 EUR |
| 103+ | 2.25 EUR |
| 126+ | 1.7 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| 1000+ | 1.14 EUR |
| FQP70N10 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 57
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - FQP70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 57
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.52 EUR |
| 115+ | 2.03 EUR |
| 140+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.18 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| LV5725JA-AH. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV5725JA-AH. - BUCK CONVERTER, DC-DC, 1-CHANNEL
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - LV5725JA-AH. - BUCK CONVERTER, DC-DC, 1-CHANNEL
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N01S830HAT22I |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - N01S830HAT22I - SRAM, Synchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, TSSOP, 8 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - N01S830HAT22I - SRAM, Synchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, TSSOP, 8 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.25 EUR |
| 31+ | 7.57 EUR |
| 32+ | 6.72 EUR |
| 50+ | 6.49 EUR |
| 100+ | 6.24 EUR |
| 250+ | 6.19 EUR |
| N01S830BAT22I |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - N01S830BAT22I - SRAM, Synchroner SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, TSSOP, 8 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 1MB
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - N01S830BAT22I - SRAM, Synchroner SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, TSSOP, 8 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 1MB
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| N01S830BAT22IT |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - N01S830BAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 2.5V bis 5.5V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - N01S830BAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 2.5V bis 5.5V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N01S818HAT22I |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - N01S818HAT22I - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 1.7V bis 2.2V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 2.2V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: N01S818HA
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - N01S818HAT22I - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 1.7V bis 2.2V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 2.2V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: N01S818HA
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N01S818HAT22IT |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - N01S818HAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 1.7V bis 2.2V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 2.2V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: N01S818HA
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - N01S818HAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 1.7V bis 2.2V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 2.2V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: N01S818HA
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N01S830HAT22IT |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - N01S830HAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 2.5V bis 5.5V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - N01S830HAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 2.5V bis 5.5V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N25S830HAS22I |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - N25S830HAS22I - SRAM, Synchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOIC, 8 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - N25S830HAS22I - SRAM, Synchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOIC, 8 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| N25S830HAT22I |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - N25S830HAT22I - SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 2.7V bis 3.6V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - N25S830HAT22I - SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 2.7V bis 3.6V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N25S818HAT21I |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - N25S818HAT21I - SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 1.7V bis 1.95V, TSSOP-8
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - N25S818HAT21I - SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 1.7V bis 1.95V, TSSOP-8
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N25S818HAS21I |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - N25S818HAS21I - SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 1.7V bis 1.95V, SOIC-8
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - N25S818HAS21I - SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 1.7V bis 1.95V, SOIC-8
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N64S830HAS22I |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - N64S830HAS22I - SRAM, 64kB, 8K x 8 Bit, 2.5V bis 3.6V, SOIC-8
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 2.5V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - N64S830HAS22I - SRAM, 64kB, 8K x 8 Bit, 2.5V bis 3.6V, SOIC-8
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 2.5V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N64S830HAT22I |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - N64S830HAT22I - SRAM, 64kB, 8K x 8 Bit, 2.5V bis 3.6V, TSSOP-8
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.5V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - N64S830HAT22I - SRAM, 64kB, 8K x 8 Bit, 2.5V bis 3.6V, TSSOP-8
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.5V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N64S818HAT21I |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - N64S818HAT21I - SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 1.7V bis 1.95V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: N64S818
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - N64S818HAT21I - SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 1.7V bis 1.95V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: N64S818
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N64S818HAS21I |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - N64S818HAS21I - SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 1.7V bis 1.95V, SOIC, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: N64S818
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - N64S818HAS21I - SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 1.7V bis 1.95V, SOIC, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: N64S818
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCV1413BDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 167+ | 1.5 EUR |
| 262+ | 0.88 EUR |
| 321+ | 0.67 EUR |
| AR0238CSSC12SHRA0-DP1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DP1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DP1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0237IRSH12SHRA0-DR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1520 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTLJF3117PT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 141+ | 1.78 EUR |
| 308+ | 0.75 EUR |
| 349+ | 0.62 EUR |
| NTLJF3117PT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 141+ | 1.78 EUR |
| 308+ | 0.75 EUR |
| 349+ | 0.62 EUR |
| FQU10N20CTU |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NB3H83905CDTG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3H83905CDTG - CLOCK FANOUT BUFFER, 1:6, TSSOP-16
MSL: MSL 1 - Unlimited
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.135
Takt-IC: Fanout Buffer
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.465
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NB3H83905CDTG - CLOCK FANOUT BUFFER, 1:6, TSSOP-16
MSL: MSL 1 - Unlimited
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.135
Takt-IC: Fanout Buffer
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.465
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCV8664DT50RKG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8664DT50RKG - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45Vin, 1.266V Dropout, 5Vout und 150mAout, TO-252-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCV8664DT50RKG - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45Vin, 1.266V Dropout, 5Vout und 150mAout, TO-252-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 87+ | 2.88 EUR |
| 119+ | 1.95 EUR |
| 133+ | 1.62 EUR |
| 162+ | 1.33 EUR |
| 250+ | 1.25 EUR |
| 500+ | 1.2 EUR |
| 1000+ | 1.09 EUR |
| NCS36000DG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS36000DG - Stromsensor, SOIC, 14 Pin(s), 3 V, 5.75 V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ruhestrom: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Bauform - Sensor: SOIC
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: -
Versorgungsspannung, max.: 5.75
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCS36000DG - Stromsensor, SOIC, 14 Pin(s), 3 V, 5.75 V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ruhestrom: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Bauform - Sensor: SOIC
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: -
Versorgungsspannung, max.: 5.75
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 440 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| UJ3D06530TS |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 72 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 72nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 72 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 72nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 21.49 EUR |
| 15+ | 16.27 EUR |
| 19+ | 11.61 EUR |
| 50+ | 11.38 EUR |
| 100+ | 11.14 EUR |
| 250+ | 10.9 EUR |
| ATP304-TL-H |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 90W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 90W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 5380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.87 EUR |
| 500+ | 5.55 EUR |
| 1500+ | 5.44 EUR |
| NCS20072DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20072DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
Description: ONSEMI - NCS20072DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
auf Bestellung 9593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 150+ | 1.68 EUR |
| 212+ | 1.09 EUR |
| 274+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| 1000+ | 0.67 EUR |
| 2500+ | 0.63 EUR |
| 5000+ | 0.62 EUR |
| NCS20062DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20062DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 1.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCS20062DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 1.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NUP4114UPXV6T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4114UPXV6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOT-563, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-563
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NUP4114UPXV6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOT-563, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-563
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 156+ | 1.61 EUR |
| 222+ | 1.05 EUR |
| 359+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| NTZD3154NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 34175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 288+ | 0.87 EUR |
| 642+ | 0.36 EUR |
| 736+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 2000+ | 0.21 EUR |
| NTZD3154NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 34175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 288+ | 0.87 EUR |
| 642+ | 0.36 EUR |
| 736+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 2000+ | 0.21 EUR |
| NTZD3152PT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 323+ | 0.77 EUR |
| 667+ | 0.35 EUR |
| 841+ | 0.25 EUR |
| NLV14025BDG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14025BDG - Logik-IC, NOR-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4025
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4025
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NLV14025BDG - Logik-IC, NOR-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4025
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4025
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 935 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH






























