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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NVBG160N120SC1 ONSEMI nvbg160n120sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W
Case: D2PAK-7
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 33.8nC
On-state resistance: 0.365Ω
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBLS0D5N04CTXG ONSEMI nvbls0d5n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 4700A; 97.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 4700A
Power dissipation: 97.4W
Case: H-PSOF8L
On-state resistance: 570µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBLS1D1N08H ONSEMI nvbls1d1n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 156W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 156W
Case: TOLL
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 166nC
On-state resistance: 1.05mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 351A
Pulsed drain current: 900A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBLS1D5N10MCTXG ONSEMI nvbls1d5n10mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; Idm: 900A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 131nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 900A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBLS1D7N08H ONSEMI nvbls1d7n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 241.3A; Idm: 900A; 118.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 118.7W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 241.3A
Pulsed drain current: 900A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBLS1D7N10MCTXG ONSEMI nvbls1d7n10mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 265A; Idm: 900A; 152W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 152W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 1.8mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 265A
Pulsed drain current: 900A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBLS4D0N15MC ONSEMI nvbls4d0n15mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 900A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Case: H-PSOF8L
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 90.4nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 158W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 187A
Pulsed drain current: 900A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD260N65S3T4G ONSEMI nvd260n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD3055-094T4G-VF01 ONSEMI ntd3055-094-d.pdf NVD3055-094T4GVF01 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD3055-150T4G-VF01 ONSEMI ntd3055-150-d.pdf NVD3055-150T4GVF01 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD360N65S3T4G ONSEMI nvd360n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5117PLT4G-VF01 ONSEMI nvd5117pl-d.pdf NVD5117PLT4G-VF01 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C434NT4G ONSEMI NVD5C434NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C446NT4G ONSEMI nvd5c446n-d.pdf NVD5C446NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C454NLT4G ONSEMI nvd5c454nl-d.pdf NVD5C454NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C454NT4G ONSEMI nvd5c454n-d.pdf NVD5C454NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C460NLT4G ONSEMI nvd5c460nl-d.pdf NVD5C460NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C460NT4G ONSEMI NVD5C460NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C464NT4G ONSEMI nvd5c464n-d.pdf NVD5C464NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C478NLT4G ONSEMI nvd5c478nl-d.pdf NVD5C478NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C486NLT4G ONSEMI NVD5C486NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C486NT4G ONSEMI NVD5C486NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C632NLT4G ONSEMI nvd5c632nl-d.pdf NVD5C632NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C648NLT4G ONSEMI nvd5c648nl-d.pdf NVD5C648NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C668NLT4G ONSEMI NVD5C668NL-D.PDF NVD5C668NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C684NLT4G ONSEMI nvd5c684nl-d.pdf NVD5C684NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C688NLT4G NVD5C688NLT4G ONSEMI nvd5c688nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 77A; 9W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 9W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
54+1.33 EUR
58+1.24 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVDS015N15MCT4G ONSEMI nvds015n15mc-d.pdf NVDS015N15MCT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVDSH50120C ONSEMI nvdsh50120c-d.pdf NVDSH50120C THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVE4153NT1G ONSEMI nta4153n-d.pdf NVE4153NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF2955T1G NVF2955T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A559C19636745&compId=NTF2955.PDF?ci_sign=dc927e275d4b608d7a185c4a882d7be756922d2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 14.3nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
65+1.12 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF3055L108T1G NVF3055L108T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C1A1AF901060CE&compId=NTF3055L108.PDF?ci_sign=66aa8832361606ab6f2a624f5324ebb290cd2e89 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVGS3130NT1G ONSEMI ntgs3130n-d.pdf NVGS3130NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVGS4111PT1G ONSEMI ntgs4111p-d.pdf NVGS4111PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVGS4141NT1G ONSEMI ntgs4141n-d.pdf NVGS4141NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVGS5120PT1G ONSEMI ntgs5120p-d.pdf NVGS5120PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH040N65S3F ONSEMI nvh040n65s3f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65A; Idm: 162.5A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 65A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L015N065SC1 ONSEMI nvh4l015n065sc1-d.pdf NVH4L015N065SC1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L018N075SC1 ONSEMI nvh4l018n075sc1-d.pdf NVH4L018N075SC1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L020N120SC1 ONSEMI nvh4l020n120sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71.4A; Idm: 408A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71.4A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate-source voltage: -5...20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L022N120M3S ONSEMI nvh4l022n120m3s-d.pdf NVH4L022N120M3S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L025N065SC1 ONSEMI nvh4l025n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L030N120M3S ONSEMI nvh4l030n120m3s-d.pdf NVH4L030N120M3S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120M3S ONSEMI nvh4l040n120m3s-d.pdf NVH4L040N120M3S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120SC1 ONSEMI nvh4l040n120sc1-d.pdf NVH4L040N120SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N65S3F ONSEMI nvh4l040n65s3f-d.pdf NVH4L040N65S3F THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L060N065SC1 ONSEMI nvh4l060n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 152A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L080N120SC1 ONSEMI nvh4l080n120sc1-d.pdf NVH4L080N120SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L160N120SC1 ONSEMI nvh4l160n120sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 377mΩ
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 55.5W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL015N065SC1 ONSEMI nvhl015n065sc1-d.pdf NVHL015N065SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N090SC1 ONSEMI nvhl020n090sc1-d.pdf NVHL020N090SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N120SC1 ONSEMI nvhl020n120sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 267A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 267A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL025N65S3 ONSEMI nvhl025n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; Idm: 300A; 595W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL027N65S3F ONSEMI nvhl027n65s3f-d.pdf NVHL027N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N120SC1 ONSEMI nvhl040n120sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N65S3F ONSEMI nvhl040n65s3f-d.pdf NVHL040N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N65S3HF ONSEMI nvhl040n65s3hf-d.pdf NVHL040N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3HF ONSEMI nvhl050n65s3hf-d.pdf NVHL050N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL055N60S5F ONSEMI nvhl055n60s5f-d.pdf NVHL055N60S5F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL060N090SC1 ONSEMI NVHL060N090SC1-D.PDF NVHL060N090SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG160N120SC1 nvbg160n120sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W
Case: D2PAK-7
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 33.8nC
On-state resistance: 0.365Ω
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBLS0D5N04CTXG nvbls0d5n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 4700A; 97.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 4700A
Power dissipation: 97.4W
Case: H-PSOF8L
On-state resistance: 570µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBLS1D1N08H nvbls1d1n08h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 156W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 156W
Case: TOLL
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 166nC
On-state resistance: 1.05mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 351A
Pulsed drain current: 900A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBLS1D5N10MCTXG nvbls1d5n10mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; Idm: 900A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 131nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 900A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBLS1D7N08H nvbls1d7n08h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 241.3A; Idm: 900A; 118.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 118.7W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 241.3A
Pulsed drain current: 900A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBLS1D7N10MCTXG nvbls1d7n10mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 265A; Idm: 900A; 152W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 152W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 1.8mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 265A
Pulsed drain current: 900A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBLS4D0N15MC nvbls4d0n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 900A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Case: H-PSOF8L
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 90.4nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 158W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 187A
Pulsed drain current: 900A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD260N65S3T4G nvd260n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD3055-094T4G-VF01 ntd3055-094-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVD3055-094T4GVF01 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD3055-150T4G-VF01 ntd3055-150-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVD3055-150T4GVF01 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD360N65S3T4G nvd360n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5117PLT4G-VF01 nvd5117pl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVD5117PLT4G-VF01 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C434NT4G
Hersteller: ONSEMI
NVD5C434NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C446NT4G nvd5c446n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVD5C446NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C454NLT4G nvd5c454nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVD5C454NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C454NT4G nvd5c454n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVD5C454NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C460NLT4G nvd5c460nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVD5C460NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C460NT4G
Hersteller: ONSEMI
NVD5C460NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C464NT4G nvd5c464n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVD5C464NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C478NLT4G nvd5c478nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVD5C478NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C486NLT4G
Hersteller: ONSEMI
NVD5C486NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C486NT4G
Hersteller: ONSEMI
NVD5C486NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C632NLT4G nvd5c632nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVD5C632NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVD5C648NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C668NLT4G NVD5C668NL-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
NVD5C668NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C684NLT4G nvd5c684nl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVD5C684NLT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C688NLT4G nvd5c688nl-d.pdf
NVD5C688NLT4G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 77A; 9W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 9W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
54+1.33 EUR
58+1.24 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVDS015N15MCT4G nvds015n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVDS015N15MCT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVDSH50120C nvdsh50120c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVDSH50120C THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVE4153NT1G nta4153n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVE4153NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF2955T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A559C19636745&compId=NTF2955.PDF?ci_sign=dc927e275d4b608d7a185c4a882d7be756922d2b
NVF2955T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 14.3nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
65+1.12 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF3055L108T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C1A1AF901060CE&compId=NTF3055L108.PDF?ci_sign=66aa8832361606ab6f2a624f5324ebb290cd2e89
NVF3055L108T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVGS3130NT1G ntgs3130n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVGS3130NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVGS4111PT1G ntgs4111p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVGS4111PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVGS4141NT1G ntgs4141n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVGS4141NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVGS5120PT1G ntgs5120p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVGS5120PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH040N65S3F nvh040n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65A; Idm: 162.5A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 65A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L015N065SC1 nvh4l015n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVH4L015N065SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L018N075SC1 nvh4l018n075sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVH4L018N075SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L020N120SC1 nvh4l020n120sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71.4A; Idm: 408A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71.4A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate-source voltage: -5...20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L022N120M3S nvh4l022n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVH4L022N120M3S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L025N065SC1 nvh4l025n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L030N120M3S nvh4l030n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVH4L030N120M3S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120M3S nvh4l040n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVH4L040N120M3S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120SC1 nvh4l040n120sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVH4L040N120SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N65S3F nvh4l040n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVH4L040N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L060N065SC1 nvh4l060n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 152A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L080N120SC1 nvh4l080n120sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVH4L080N120SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L160N120SC1 nvh4l160n120sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 377mΩ
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 55.5W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL015N065SC1 nvhl015n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVHL015N065SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N090SC1 nvhl020n090sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVHL020N090SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N120SC1 nvhl020n120sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 267A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 267A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL025N65S3 nvhl025n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; Idm: 300A; 595W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL027N65S3F nvhl027n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVHL027N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N65S3F nvhl040n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVHL040N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N65S3HF nvhl040n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVHL040N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3HF nvhl050n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVHL050N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL055N60S5F nvhl055n60s5f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NVHL055N60S5F THT N channel transistors
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NVHL060N090SC1 NVHL060N090SC1-D.PDF
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