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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
NVMFD024N06CT1G	ONSEMI	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 24A; Idm: 85A; 14W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 24A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 14W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFD5877NLT1G	ONSEMI	NVMFD5877NLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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NVMFS005N10MCLT1G	ONSEMI	NVMFS005N10MCLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS014P04M8LT1G	ONSEMI	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -52.1A; Idm: -268A; 30W; DFN5 Mounting: SMD Case: DFN5 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -268A Drain current: -52.1A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 26.5nC On-state resistance: 13.8mΩ Power dissipation: 30W Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS015N10MCLT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47.1A; Idm: 259A; 23.8W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 47.1A Pulsed drain current: 259A Power dissipation: 23.8W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS016N06CT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 226A; 18W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 33A Pulsed drain current: 226A Power dissipation: 18W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS016N10MCLT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 243A; 32W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 46A Pulsed drain current: 243A Power dissipation: 32W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS021N10MCLT1G	ONSEMI	NVMFS021N10MCLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS024N06CT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 158A; 14W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 158A Power dissipation: 14W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS025P04M8LT1G	ONSEMI	NVMFS025P04M8LT1G SMD P channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS027N10MCLT1G	ONSEMI	NVMFS027N10MCLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS040N10MCLT1G	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 94A; 18W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Pulsed drain current: 94A Power dissipation: 18W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS2D3P04M8LT1G	ONSEMI	NVMFS2D3P04M8LT1G SMD P channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS3D0P04M8LT1G	ONSEMI	NVMFS3D0P04M8LT1G SMD P channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS3D6N10MCLT1G	ONSEMI	NVMFS3D6N10MCLT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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NVMFS5113PLT1G	ONSEMI	NVMFS5113PLT1G SMD P channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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NVMFS5C404NAFT1G	ONSEMI	NVMFS5C404NAFT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NVMFS5C404NLAFT1G	ONSEMI	NVMFS5C404NLAFT1G SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVMFD024N06CT1G

Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 24A; Idm: 85A; 14W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 14W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke