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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SBRV660VCTT4G ONSEMI mbrd620ct-d.pdf SBRV660VCTT4G SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCH1332-TL-W ONSEMI SCH1332.pdf SCH1332TLW-ONS SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD05T1G ONSEMI sd05t1-d.pdf SD05T1G Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
220+0.33 EUR
792+0.09 EUR
838+0.09 EUR
9000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 220
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD12CT1G ONSEMI sd12ct1-d.pdf SD12CT1G Bidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.50 EUR
409+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD12T1G ONSEMI sd05t1-d.pdf SD12T1G Unidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFP9530 ONSEMI FAIRS20469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.5A; 66W; TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Power dissipation: 66W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain current: -7.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFT1342-TL-W ONSEMI sft1342-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 15W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG3525ANG SG3525ANG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDCBAC27757820&compId=SG3525A-D.pdf?ci_sign=1d0ebfd21566edd9f8ac4cdcec621658900b737d Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 0.5A; 0.1÷400kHz; Ch: 1; DIP16; push-pull
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 0.5A
Frequency: 0.1...400kHz
Number of channels: 1
Case: DIP16
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Topology: push-pull
Operating voltage: 4...35V
Supply voltage: 8...35V
Duty cycle factor: 0...49%
Kind of package: tube
Power: 1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
48+1.50 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGP23N60UFDTU SGP23N60UFDTU ONSEMI SGP23N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 12A; 40W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 92A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY ONSEMI si4435dy-d.pdf 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 SI4435DY SMD P channel transistors
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.30 EUR
100+0.72 EUR
106+0.68 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4542DY SI4542DY ONSEMI si4542dy-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 48/51mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL24T1G ONSEMI sl05t1-d.pdf SL24T1G Diodes - others
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
sm05t1g ONSEMI sm05t1-d.pdf description SM05T1G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 3298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
251+0.29 EUR
903+0.08 EUR
955+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 251
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM12T1G ONSEMI sm05t1-d.pdf SM12T1G Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM15T1G SM15T1G ONSEMI sm05t1-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 16.7V; 10A; 300W; double,common anode; SOT23
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 10A
Breakdown voltage: 16.7V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 15V
Semiconductor structure: common anode; double
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.80 EUR
215+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM24T1G ONSEMI sm05t1-d.pdf SM24T1G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
240+0.30 EUR
770+0.09 EUR
807+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 240
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM36T1G ONSEMI sm05t1-d.pdf SM36T1G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
176+0.41 EUR
210+0.34 EUR
353+0.20 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMF05CT1G SMF05CT1G ONSEMI SMF05CT1G.PDF Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.2÷7.2V; 8A; 100W; common anode; SC88; Ch: 5; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.2...7.2V
Max. forward impulse current: 8A
Peak pulse power dissipation: 0.1kW
Semiconductor structure: common anode
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 5
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5906 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.30 EUR
336+0.21 EUR
447+0.16 EUR
705+0.10 EUR
736+0.10 EUR
30000+0.10 EUR
75000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMF05T1G ONSEMI SMF05.PDF Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.2V; 1A; 200W; common anode; SC88A; Ch: 4; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...7.2V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Semiconductor structure: common anode
Mounting: SMD
Case: SC88A
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMF12CT1G SMF12CT1G ONSEMI smf05c-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.3÷15V; 6A; 100W; common anode; SC88; Ch: 5; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.3...15V
Semiconductor structure: common anode
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 12V
Number of channels: 5
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 6A
Leakage current: 0.1µA
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.1kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD2837LT1G ONSEMI mmbd2837lt1-d.pdf SMMBD2837LT1G SMD universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD301LT3G ONSEMI mbd301-d.pdf SMMBD301LT3G SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD330T1G ONSEMI MMBD330T1-D.PDF SMMBD330T1G SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD7000LT3G ONSEMI mmbd7000lt1-d.pdf SMMBD7000LT3G SMD universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD701LT1G ONSEMI mbd701-d.pdf SMMBD701LT1G SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD770T1G ONSEMI mmbd330t1-d.pdf SMMBD770T1G SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT1G ONSEMI mmbd914lt1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 1A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT3G ONSEMI mmbd914lt1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 1A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4393LT1G ONSEMI mmbf4391lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 100Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.92 EUR
152+0.47 EUR
279+0.26 EUR
295+0.24 EUR
30000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ175LT1G ONSEMI mmbfj175lt1-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -60mA; 225mW; SOT23
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1G ONSEMI mmbfj177lt1-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -20mA; 225mW; SOT23
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -20mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 300Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ309LT1G ONSEMI mmbfj309lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1G ONSEMI mmbfj309lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT3G ONSEMI mmbfj309lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1G ONSEMI mmbt2222lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT3G ONSEMI mmbt2222lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222AWT1G ONSEMI mmbt2222awt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2369ALT1G ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf SMMBT2369ALT1G NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2907ALT1G ONSEMI mmbt2907alt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2907ALT3G ONSEMI mmbt2907alt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT3904LT1G SMMBT3904LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C1EAEDB3C020CE&compId=MMBT3904L.PDF?ci_sign=37cf926815c13c4db3da525638d3091e5ea987f7 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
376+0.19 EUR
507+0.14 EUR
752+0.10 EUR
964+0.07 EUR
1401+0.05 EUR
1480+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT3904LT3G ONSEMI mmbt3904lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT3904TT1G ONSEMI mmbt3904tt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT3904WT1G ONSEMI mmbt3904wt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT3906LT1G ONSEMI mmbt3906lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT3906LT3G ONSEMI mmbt3906lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT3906WT1G ONSEMI mmbt3904wt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT4401LT1G ONSEMI mmbt4401lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT4403LT1G ONSEMI mmbt4403lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT5088LT1G SMMBT5088LT1G ONSEMI MMBT5088L_MMBT5089L.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT5089LT1G ONSEMI mmbt5088lt1-d.pdf SMMBT5089LT1G NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT5401LT1G ONSEMI mmbt5401lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT5551LT1G ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT5551LT3G ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT6427LT1G ONSEMI mmbt6427lt1-d.pdf SMMBT6427LT1G NPN SMD Darlington transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT1G SMMBTA06LT1G ONSEMI mmbta05lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT3G SMMBTA06LT3G ONSEMI mmbta05lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06WT3G ONSEMI mmbta06wt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA13LT1G ONSEMI mmbta13lt1-d.pdf SMMBTA13LT1G NPN SMD Darlington transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA14LT1G ONSEMI mmbta13lt1-d.pdf SMMBTA14LT1G NPN SMD Darlington transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBRV660VCTT4G mbrd620ct-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SBRV660VCTT4G SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCH1332-TL-W SCH1332.pdf
Hersteller: ONSEMI
SCH1332TLW-ONS SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD05T1G sd05t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SD05T1G Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
220+0.33 EUR
792+0.09 EUR
838+0.09 EUR
9000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 220
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD12CT1G sd12ct1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SD12CT1G Bidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.50 EUR
409+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD12T1G sd05t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SD12T1G Unidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFP9530 FAIRS20469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.5A; 66W; TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Power dissipation: 66W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain current: -7.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFT1342-TL-W sft1342-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 15W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG3525ANG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDCBAC27757820&compId=SG3525A-D.pdf?ci_sign=1d0ebfd21566edd9f8ac4cdcec621658900b737d
SG3525ANG
Hersteller: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 0.5A; 0.1÷400kHz; Ch: 1; DIP16; push-pull
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 0.5A
Frequency: 0.1...400kHz
Number of channels: 1
Case: DIP16
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Topology: push-pull
Operating voltage: 4...35V
Supply voltage: 8...35V
Duty cycle factor: 0...49%
Kind of package: tube
Power: 1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
48+1.50 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGP23N60UFDTU SGP23N60UFD.pdf
SGP23N60UFDTU
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 12A; 40W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 92A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY si4435dy-d.pdf 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983
Hersteller: ONSEMI
SI4435DY SMD P channel transistors
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.30 EUR
100+0.72 EUR
106+0.68 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4542DY si4542dy-d.pdf
SI4542DY
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 48/51mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL24T1G sl05t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SL24T1G Diodes - others
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
sm05t1g description sm05t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SM05T1G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 3298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
251+0.29 EUR
903+0.08 EUR
955+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 251
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM12T1G sm05t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SM12T1G Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM15T1G sm05t1-d.pdf
SM15T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 16.7V; 10A; 300W; double,common anode; SOT23
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 10A
Breakdown voltage: 16.7V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 15V
Semiconductor structure: common anode; double
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.80 EUR
215+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM24T1G sm05t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SM24T1G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
240+0.30 EUR
770+0.09 EUR
807+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 240
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM36T1G sm05t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SM36T1G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
176+0.41 EUR
210+0.34 EUR
353+0.20 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMF05CT1G SMF05CT1G.PDF
SMF05CT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.2÷7.2V; 8A; 100W; common anode; SC88; Ch: 5; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.2...7.2V
Max. forward impulse current: 8A
Peak pulse power dissipation: 0.1kW
Semiconductor structure: common anode
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 5
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5906 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.30 EUR
336+0.21 EUR
447+0.16 EUR
705+0.10 EUR
736+0.10 EUR
30000+0.10 EUR
75000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMF05T1G SMF05.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.2V; 1A; 200W; common anode; SC88A; Ch: 4; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...7.2V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Semiconductor structure: common anode
Mounting: SMD
Case: SC88A
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMF12CT1G smf05c-d.pdf
SMF12CT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.3÷15V; 6A; 100W; common anode; SC88; Ch: 5; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.3...15V
Semiconductor structure: common anode
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 12V
Number of channels: 5
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 6A
Leakage current: 0.1µA
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.1kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD2837LT1G mmbd2837lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SMMBD2837LT1G SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD301LT3G mbd301-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SMMBD301LT3G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD330T1G MMBD330T1-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
SMMBD330T1G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD7000LT3G mmbd7000lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SMMBD7000LT3G SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD701LT1G mbd701-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SMMBD701LT1G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD770T1G mmbd330t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SMMBD770T1G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT1G mmbd914lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 1A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT3G mmbd914lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 1A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4393LT1G mmbf4391lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 100Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
152+0.47 EUR
279+0.26 EUR
295+0.24 EUR
30000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -60mA; 225mW; SOT23
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1G mmbfj177lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -20mA; 225mW; SOT23
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -20mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 300Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ309LT1G mmbfj309lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1G mmbfj309lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT3G mmbfj309lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT3G mmbt2222lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222AWT1G mmbt2222awt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2369ALT1G mmbt2369lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SMMBT2369ALT1G NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2907ALT1G mmbt2907alt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2907ALT3G mmbt2907alt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT3904LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C1EAEDB3C020CE&compId=MMBT3904L.PDF?ci_sign=37cf926815c13c4db3da525638d3091e5ea987f7
SMMBT3904LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT3904LT3G mmbt3904lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT3904TT1G mmbt3904tt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT3904WT1G mmbt3904wt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT3906LT3G mmbt3906lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT3906WT1G mmbt3904wt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT4401LT1G mmbt4401lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT4403LT1G mmbt4403lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT5088LT1G MMBT5088L_MMBT5089L.PDF
SMMBT5088LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT5089LT1G mmbt5088lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SMMBT5089LT1G NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT6427LT1G mmbt6427lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SMMBT6427LT1G NPN SMD Darlington transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
SMMBTA06LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT3G mmbta05lt1-d.pdf
SMMBTA06LT3G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06WT3G mmbta06wt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SMMBTA13LT1G NPN SMD Darlington transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA14LT1G mmbta13lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
SMMBTA14LT1G NPN SMD Darlington transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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