| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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NV25080DWHFT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: SOIC rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 8Kbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V Taktfrequenz: 10MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration EEPROM: 1K x 8 bit Speichergröße: 8Kbit Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Speicherschnittstelle: Seriell SPI Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Seriell SPI Betriebstemperatur, max.: 150°C Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CAT25080YI-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Speicherdichte: 8Kbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 818 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF8N80CYDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF8N80CYDTU - MOSFET'S - SINGLESVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FDLL4150 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDLL4150 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AC Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: FDLL4 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4589 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX84C13LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C13LT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 13V |
auf Bestellung 7843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SL15T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mWtariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: SOT-23 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 225mW usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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SL15T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mWtariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: SOT-23 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 225mW usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSA708YBU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSA708YTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA708YTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2SD1801S-E. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1801S-E. - BIPOLAR TRANSISTORSVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2SD1802T-E. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1802T-E. - BIPOLAR TRANSISTORSVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2SB1202S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2SB1202T-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 7707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1202S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2SB1202T-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 7707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS64LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8451 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
auf Bestellung 7378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8876 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8876 - MOSFET'S - SINGLEMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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SA5534ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SA5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Spannungsanstieg: 13 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Bandbreite: 10 Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FGAF40S65AQ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGAF40S65AQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 94 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-3PF Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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AP0200AT2L00XEGA0-DR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AP0200AT2L00XEGA0-DR1 - Bildsensor, 30, VFBGA, 100 Pin(s)tariffCode: 85423990 Bilder pro Sekunde: 30 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Pixelgröße (H x B): - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Bildfarbe: - Betriebstemperatur, min.: - Sensormontage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung, min.: - Sensorgehäuse/-bauform: VFBGA Bauform - Sensor: VFBGA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 100Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV8730ASNADJT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8730ASNADJT1G - LDO-REGLER EINST. 0.15A, -40 BIS 125°CtariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 1.2V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 24V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 38V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.7V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 150mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP718BSNADJT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 1.2V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 24V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 300mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.5V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 300mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 2204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP718BSNADJT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 125°C Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 5Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgangsstrom: 300mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgang: Einstellbar hazardous: false Eingangsspannung, max.: 24V IC-Montage: Oberflächenmontage Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators usEccn: EAR99 Ausgangsstrom, max.: 300mA Polarität: Positiver Ausgang Bauform - LDO-Regler: TSOT-23 rohsCompliant: YES Eingangsspannung, min.: 2.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23 Ausgangsspannung, max.: 5V Nominelle feste Ausgangsspannung: - Ausgangsspannung, min.: 1.2V Dropout-Spannung Vdo: - Ausgangsspannung, nom.: - Ausgangsstrom, max.: 300mA Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: N euEccn: NLR |
auf Bestellung 2204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX84C11LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C11LT1G - Zener-Diode, BZX84C, 11 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84C productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 11V |
auf Bestellung 38044 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV33202VDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz Eingangsoffsetspannung: 8mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 1V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsruhestrom: 80nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 2.2MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker |
auf Bestellung 6460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV33202VDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz Eingangsoffsetspannung: 8mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 1V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsruhestrom: 80nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 2.2MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker |
auf Bestellung 6460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FSCQ1265RTYDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSCQ1265RTYDTU - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 265V AC Eingangsspannung, 140W, TO-220-5Bauform - AC/DC-Wandler: TO-220 Nennleistung: 140 Anzahl der Pins: 5 AC-Eingangsspannung, max.: 265 Betriebstemperatur, min.: -25 AC-Eingangsspannung, min.: 85 Betriebstemperatur, max.: 85 Topologie: Flyback Produktpalette: - SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FDC6310P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51560BBDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51560BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, WSOIC-16tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 38ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57530DWKR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 867 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV57540DWKR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57540DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV57530DWKR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NXH450B100H4Q2F2PG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 234W Verlustleistung: 234W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV Dauerkollektorstrom: 101A Produktpalette: EliteSiC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 101A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NXH450B100H4Q2F2SG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 234W Verlustleistung: 234W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV Dauerkollektorstrom: 101A Produktpalette: EliteSiC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 101A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW30LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW30LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215 DC-Stromverstärkung hFE: 215 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GBU6K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU6K - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 175A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV84045DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV84045DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, High-Side, MOSFET, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: CMOS MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 4V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 28V Eingabeverzögerung: 60µs Ausgabeverzögerung: 60µs Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP102SNT1G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP102SNT1G. - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4.5V bis 13.5V Eingangsspannung, N-MOSFET extern, TSOP-6Bauform - Controller-IC: TSOP Externes Pass-Element: n-Kanal-MOSFET Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Eingangsspannung, max.: 13.5 Eingangsspannung, min.: 4.5 Anzahl der Pins: 6 Ausgangsoption: Einstellbar Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCP102SNT1G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP102SNT1G. - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4.5V bis 13.5V Eingangsspannung, N-MOSFET extern, TSOP-6IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Qualifikation: - SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCP1027P065G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1027P065G. - IC, AC/DC-Offline-Schaltnetzteil, Flyback, 90V AC bis 265V AC, 65kHz, 25W, DIP-8Bauform - AC/DC-Wandler: DIP Nennleistung: 25 Anzahl der Pins: 8 AC-Eingangsspannung, max.: 265 Betriebstemperatur, min.: - AC-Eingangsspannung, min.: 90 Betriebstemperatur, max.: 150 Topologie: Flyback Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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KSA1156YS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA1156YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 10 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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KSA1281YTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA1281YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, TO-92L, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92L Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV33274ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33274ADR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, SOIC, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 10V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz Eingangsoffsetspannung: 100µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 300nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTA113EET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTA113EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 VerhältnisDauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: - Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SC-75 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCP51530ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51530ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 60ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP5104DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: - Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 85ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4906 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51530BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8Sinkstrom: 3 Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 10 Quellstrom: 3.5 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 17 Eingabeverzögerung: 25 Ausgabeverzögerung: 25 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51561BBDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, isoliert, MOSFET, 16 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: NCP51561 Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 39ns Ausgabeverzögerung: 39ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51561BADWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51561BADWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, isoliert, MOSFET, 16 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: NCP51561 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 39ns Ausgabeverzögerung: 39ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 906 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP5109ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5109ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10V Quellstrom: 250mA euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP5104DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8Sinkstrom: 500 Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: MOSFET IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: - Quellstrom: 250 Versorgungsspannung, min.: 10 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 85 Ausgabeverzögerung: 35 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCP51530BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8IC-Gehäuse / Bauform: SOIC SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51100ASNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23tariffCode: 85429000 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: TTL MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.8A Versorgungsspannung, min.: 11V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOT-23 Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: 14ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51100ASNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23tariffCode: 85429000 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: TTL MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.8A Versorgungsspannung, min.: 11V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: 14ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51199PDR2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51199PDR2G. - Linearer Festspannungsregler, 1.5V bis 5.5Vin, 2Aout, NSOIC-8IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 4.75 Source- / Sink-Strom: 2 Bauform des DDR-Reglers: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.25 Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCP51199PDR2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51199PDR2G. - Linearer Festspannungsregler, 1.5V bis 5.5Vin, 2Aout, NSOIC-8IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 4.75 Source- / Sink-Strom: 2 Bauform des DDR-Reglers: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.25 Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCP511SN18T1G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP511SN18T1G. - LDO VOLTAGE REGULATORSMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCP511SN25T1G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP511SN25T1G. - LDO VOLTAGE REGULATORSMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCP511SN30T1G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP511SN30T1G. - LDO VOLTAGE REGULATORSMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NV25080DWHFT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Taktfrequenz: 10MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration EEPROM: 1K x 8 bit
Speichergröße: 8Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Taktfrequenz: 10MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration EEPROM: 1K x 8 bit
Speichergröße: 8Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 181+ | 1.38 EUR |
| 228+ | 1.02 EUR |
| 278+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 3000+ | 0.75 EUR |
| CAT25080YI-GT3 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 173+ | 1.45 EUR |
| 185+ | 1.26 EUR |
| 198+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 1.02 EUR |
| FQPF8N80CYDTU |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDLL4150 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDLL4150 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-213AC
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDLL4150 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-213AC
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.5 EUR |
| 758+ | 0.31 EUR |
| 814+ | 0.26 EUR |
| 1085+ | 0.2 EUR |
| 1268+ | 0.17 EUR |
| BZX84C13LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C13LT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
Description: ONSEMI - BZX84C13LT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
auf Bestellung 7843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 720+ | 0.35 EUR |
| 1441+ | 0.17 EUR |
| 2440+ | 0.088 EUR |
| 2924+ | 0.074 EUR |
| SL15T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SL15T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 269+ | 0.93 EUR |
| 344+ | 0.68 EUR |
| 445+ | 0.48 EUR |
| 569+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| KSA708YBU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 290+ | 0.86 EUR |
| 477+ | 0.49 EUR |
| 715+ | 0.3 EUR |
| 736+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| KSA708YTA |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA708YTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - KSA708YTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2SD1801S-E. |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2SD1802T-E. |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2SB1202S-TL-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SB1202T-TL-E |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 7707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 700+ | 0.52 EUR |
| 2SB1202S-TL-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SB1202T-TL-E |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 7707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 700+ | 0.52 EUR |
| BSS64LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 524+ | 0.48 EUR |
| FDD8451 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 7378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 3.57 EUR |
| 96+ | 2.44 EUR |
| 133+ | 1.62 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| 5000+ | 1.02 EUR |
| FDS8876 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8876 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDS8876 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SA5534ADR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SA5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FGAF40S65AQ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGAF40S65AQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 94 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FGAF40S65AQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 94 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AP0200AT2L00XEGA0-DR1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0200AT2L00XEGA0-DR1 - Bildsensor, 30, VFBGA, 100 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Bilder pro Sekunde: 30
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Pixelgröße (H x B): -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bildfarbe: -
Betriebstemperatur, min.: -
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: VFBGA
Bauform - Sensor: VFBGA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - AP0200AT2L00XEGA0-DR1 - Bildsensor, 30, VFBGA, 100 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Bilder pro Sekunde: 30
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Pixelgröße (H x B): -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bildfarbe: -
Betriebstemperatur, min.: -
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: VFBGA
Bauform - Sensor: VFBGA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 260+ | 23.92 EUR |
| NCV8730ASNADJT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8730ASNADJT1G - LDO-REGLER EINST. 0.15A, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV8730ASNADJT1G - LDO-REGLER EINST. 0.15A, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 159+ | 1.58 EUR |
| 172+ | 1.36 EUR |
| 186+ | 1.15 EUR |
| 204+ | 1.05 EUR |
| 250+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| NCP718BSNADJT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 1.12 EUR |
| 323+ | 0.71 EUR |
| 415+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| NCP718BSNADJT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 24V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOT-23
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Ausgangsspannung, max.: 5V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Dropout-Spannung Vdo: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 24V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOT-23
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Ausgangsspannung, max.: 5V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Dropout-Spannung Vdo: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
auf Bestellung 2204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 1.12 EUR |
| 323+ | 0.71 EUR |
| 415+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| BZX84C11LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C11LT1G - Zener-Diode, BZX84C, 11 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
Description: ONSEMI - BZX84C11LT1G - Zener-Diode, BZX84C, 11 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
auf Bestellung 38044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 807+ | 0.31 EUR |
| 1129+ | 0.2 EUR |
| 2106+ | 0.1 EUR |
| 2725+ | 0.079 EUR |
| 3185+ | 0.068 EUR |
| NCV33202VDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 8mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 2.2MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 8mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 2.2MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
auf Bestellung 6460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 220+ | 1.14 EUR |
| 307+ | 0.76 EUR |
| 414+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.46 EUR |
| 2500+ | 0.44 EUR |
| 5000+ | 0.4 EUR |
| NCV33202VDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 8mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 2.2MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 8mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 2.2MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
auf Bestellung 6460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 220+ | 1.14 EUR |
| 307+ | 0.76 EUR |
| 414+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.46 EUR |
| 2500+ | 0.44 EUR |
| 5000+ | 0.4 EUR |
| FSCQ1265RTYDTU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSCQ1265RTYDTU - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 265V AC Eingangsspannung, 140W, TO-220-5
Bauform - AC/DC-Wandler: TO-220
Nennleistung: 140
Anzahl der Pins: 5
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Betriebstemperatur, min.: -25
AC-Eingangsspannung, min.: 85
Betriebstemperatur, max.: 85
Topologie: Flyback
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FSCQ1265RTYDTU - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 265V AC Eingangsspannung, 140W, TO-220-5
Bauform - AC/DC-Wandler: TO-220
Nennleistung: 140
Anzahl der Pins: 5
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Betriebstemperatur, min.: -25
AC-Eingangsspannung, min.: 85
Betriebstemperatur, max.: 85
Topologie: Flyback
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDC6310P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 118+ | 2.13 EUR |
| 193+ | 1.2 EUR |
| NCP51560BBDWR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51560BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP51560BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.12 EUR |
| 31+ | 7.57 EUR |
| 33+ | 6.59 EUR |
| 50+ | 5.62 EUR |
| 100+ | 4.61 EUR |
| 250+ | 4.15 EUR |
| 500+ | 3.99 EUR |
| NCD57530DWKR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCD57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.52 EUR |
| 27+ | 8.82 EUR |
| 31+ | 7.12 EUR |
| 50+ | 6.4 EUR |
| 100+ | 5.31 EUR |
| 250+ | 4.74 EUR |
| 500+ | 4.39 EUR |
| NCV57540DWKR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57540DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV57540DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 11.25 EUR |
| 34+ | 6.89 EUR |
| 39+ | 5.51 EUR |
| 50+ | 5.03 EUR |
| 100+ | 4.55 EUR |
| 250+ | 4.15 EUR |
| 500+ | 4.05 EUR |
| 1000+ | 3.96 EUR |
| NCV57530DWKR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 11.25 EUR |
| 34+ | 6.89 EUR |
| 39+ | 5.51 EUR |
| 50+ | 5.03 EUR |
| 100+ | 4.55 EUR |
| 250+ | 4.15 EUR |
| 500+ | 4.05 EUR |
| 1000+ | 3.96 EUR |
| NXH450B100H4Q2F2PG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 308.56 EUR |
| 5+ | 280.78 EUR |
| 10+ | 253.89 EUR |
| NXH450B100H4Q2F2SG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 319.78 EUR |
| 5+ | 290.99 EUR |
| 10+ | 263.12 EUR |
| BCW30LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW30LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215
DC-Stromverstärkung hFE: 215
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - BCW30LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215
DC-Stromverstärkung hFE: 215
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBU6K |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU6K - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 175A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - GBU6K - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 175A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 57+ | 4.4 EUR |
| 97+ | 2.42 EUR |
| 125+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| NCV84045DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV84045DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, High-Side, MOSFET, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: CMOS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Eingabeverzögerung: 60µs
Ausgabeverzögerung: 60µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCV84045DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, High-Side, MOSFET, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: CMOS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Eingabeverzögerung: 60µs
Ausgabeverzögerung: 60µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.77 EUR |
| 41+ | 5.74 EUR |
| 43+ | 5.01 EUR |
| 100+ | 3.69 EUR |
| 500+ | 3.56 EUR |
| 1000+ | 2.95 EUR |
| NCP102SNT1G. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP102SNT1G. - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4.5V bis 13.5V Eingangsspannung, N-MOSFET extern, TSOP-6
Bauform - Controller-IC: TSOP
Externes Pass-Element: n-Kanal-MOSFET
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Eingangsspannung, max.: 13.5
Eingangsspannung, min.: 4.5
Anzahl der Pins: 6
Ausgangsoption: Einstellbar
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - NCP102SNT1G. - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4.5V bis 13.5V Eingangsspannung, N-MOSFET extern, TSOP-6
Bauform - Controller-IC: TSOP
Externes Pass-Element: n-Kanal-MOSFET
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Eingangsspannung, max.: 13.5
Eingangsspannung, min.: 4.5
Anzahl der Pins: 6
Ausgangsoption: Einstellbar
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP102SNT1G. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP102SNT1G. - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4.5V bis 13.5V Eingangsspannung, N-MOSFET extern, TSOP-6
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - NCP102SNT1G. - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4.5V bis 13.5V Eingangsspannung, N-MOSFET extern, TSOP-6
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP1027P065G. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1027P065G. - IC, AC/DC-Offline-Schaltnetzteil, Flyback, 90V AC bis 265V AC, 65kHz, 25W, DIP-8
Bauform - AC/DC-Wandler: DIP
Nennleistung: 25
Anzahl der Pins: 8
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Betriebstemperatur, min.: -
AC-Eingangsspannung, min.: 90
Betriebstemperatur, max.: 150
Topologie: Flyback
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1027P065G. - IC, AC/DC-Offline-Schaltnetzteil, Flyback, 90V AC bis 265V AC, 65kHz, 25W, DIP-8
Bauform - AC/DC-Wandler: DIP
Nennleistung: 25
Anzahl der Pins: 8
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Betriebstemperatur, min.: -
AC-Eingangsspannung, min.: 90
Betriebstemperatur, max.: 150
Topologie: Flyback
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| KSA1156YS |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA1156YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSA1156YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| KSA1281YTA |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA1281YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92L
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSA1281YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92L
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 171+ | 1.46 EUR |
| 276+ | 0.84 EUR |
| 599+ | 0.36 EUR |
| 681+ | 0.31 EUR |
| NCV33274ADR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33274ADR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz
Eingangsoffsetspannung: 100µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV33274ADR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz
Eingangsoffsetspannung: 100µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.07 EUR |
| 113+ | 2.07 EUR |
| 125+ | 1.73 EUR |
| 141+ | 1.54 EUR |
| 250+ | 1.44 EUR |
| DTA113EET1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA113EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 Verhältnis
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - DTA113EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 Verhältnis
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP51530ADR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51530ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 60ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP51530ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 60ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 4.62 EUR |
| 58+ | 4.06 EUR |
| 61+ | 3.53 EUR |
| 65+ | 3.32 EUR |
| 100+ | 3.11 EUR |
| 250+ | 2.89 EUR |
| NCP5104DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 62+ | 4.07 EUR |
| 94+ | 2.49 EUR |
| 113+ | 1.9 EUR |
| 131+ | 1.64 EUR |
| 250+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.31 EUR |
| NCP51530BDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 3
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 3.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 17
Eingabeverzögerung: 25
Ausgabeverzögerung: 25
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 3
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 3.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 17
Eingabeverzögerung: 25
Ausgabeverzögerung: 25
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.84 EUR |
| 43+ | 5.43 EUR |
| 100+ | 3.94 EUR |
| 500+ | 2.95 EUR |
| NCP51561BBDWR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, isoliert, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: NCP51561 Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 39ns
Ausgabeverzögerung: 39ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, isoliert, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: NCP51561 Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 39ns
Ausgabeverzögerung: 39ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 8.82 EUR |
| 38+ | 6.18 EUR |
| 41+ | 5.22 EUR |
| NCP51561BADWR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51561BADWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, isoliert, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: NCP51561 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 39ns
Ausgabeverzögerung: 39ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP51561BADWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, isoliert, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: NCP51561 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 39ns
Ausgabeverzögerung: 39ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 10.5 EUR |
| 32+ | 7.4 EUR |
| 100+ | 5.06 EUR |
| 500+ | 4.88 EUR |
| NCP5109ADR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5109ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
Quellstrom: 250mA
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP5109ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
Quellstrom: 250mA
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 3.43 EUR |
| 93+ | 2.51 EUR |
| 128+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| 1000+ | 1.17 EUR |
| NCP5104DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 85
Ausgabeverzögerung: 35
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 85
Ausgabeverzögerung: 35
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NCP51530BDR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.94 EUR |
| 500+ | 2.95 EUR |
| NCP51100ASNT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85429000
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: TTL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.8A
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 14ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85429000
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: TTL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.8A
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 14ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 151+ | 1.65 EUR |
| 211+ | 1.11 EUR |
| 267+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| NCP51100ASNT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85429000
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: TTL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.8A
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 14ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85429000
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: TTL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.8A
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 14ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 151+ | 1.65 EUR |
| 211+ | 1.11 EUR |
| 267+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| NCP51199PDR2G. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51199PDR2G. - Linearer Festspannungsregler, 1.5V bis 5.5Vin, 2Aout, NSOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Source- / Sink-Strom: 2
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NCP51199PDR2G. - Linearer Festspannungsregler, 1.5V bis 5.5Vin, 2Aout, NSOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Source- / Sink-Strom: 2
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP51199PDR2G. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51199PDR2G. - Linearer Festspannungsregler, 1.5V bis 5.5Vin, 2Aout, NSOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Source- / Sink-Strom: 2
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NCP51199PDR2G. - Linearer Festspannungsregler, 1.5V bis 5.5Vin, 2Aout, NSOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Source- / Sink-Strom: 2
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP511SN18T1G. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP511SN18T1G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP511SN18T1G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP511SN25T1G. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP511SN25T1G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP511SN25T1G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP511SN30T1G. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP511SN30T1G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP511SN30T1G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH






























