Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NV24C04MUW3VLTBG | ONSEMI |
![]() Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; I2C; 512x8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; uDFN8 Type of integrated circuit: EEPROM memory Kind of memory: EEPROM Memory: 4kb EEPROM Interface: I2C Memory organisation: 512x8bit Operating voltage: 1.7...5.5V Clock frequency: 1MHz Mounting: SMD Case: uDFN8 Kind of interface: serial Operating temperature: -40...125°C Access time: 450ns Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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NV24C08DWVLT3G | ONSEMI |
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NV24C08MUW3VLTBG | ONSEMI |
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NV24C128MUW3VTBG | ONSEMI |
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NV24C16DTVLT3G | ONSEMI |
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NV24C16DWVLT3G | ONSEMI |
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NV24C16MUW3VLTBG | ONSEMI |
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NV24C16SNVLT3G | ONSEMI |
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NV24C16UVLT2G | ONSEMI |
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NV24C256MUW3VTBG | ONSEMI |
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NV24C32DTVLT3G | ONSEMI |
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NV24C32DWVLT3G | ONSEMI |
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NV24C32MUW3VLTBG | ONSEMI |
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NV24C32UVLT2G | ONSEMI |
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NV24C512MUW3VTBG | ONSEMI |
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NV24C64DTVLT3G | ONSEMI |
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NV24C64DWVLT3G | ONSEMI |
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NV24C64MUW3VLTBG | ONSEMI |
![]() Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; I2C; 8kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; uDFN8 Type of integrated circuit: EEPROM memory Kind of memory: EEPROM Memory: 64kb EEPROM Interface: I2C Memory organisation: 8kx8bit Operating voltage: 1.7...5.5V Clock frequency: 1MHz Mounting: SMD Case: uDFN8 Kind of interface: serial Operating temperature: -40...125°C Access time: 400ns Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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NV24C64UVLT2G | ONSEMI |
![]() Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; I2C; 8kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; US8 Type of integrated circuit: EEPROM memory Kind of memory: EEPROM Memory: 64kb EEPROM Interface: I2C Memory organisation: 8kx8bit Operating voltage: 1.7...5.5V Clock frequency: 1MHz Mounting: SMD Case: US8 Kind of interface: serial Operating temperature: -40...125°C Access time: 400ns Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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NV24M01MUW3VTBG | ONSEMI |
![]() Description: IC: EEPROM memory; 1MbEEPROM; I2C; 128kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz; uDFN8 Type of integrated circuit: EEPROM memory Kind of memory: EEPROM Memory: 1Mb EEPROM Interface: I2C Memory organisation: 128kx8bit Operating voltage: 2.5...5.5V Clock frequency: 1MHz Mounting: SMD Case: uDFN8 Kind of interface: serial Operating temperature: -40...125°C Access time: 400ns Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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NV25010DWHFT3G | ONSEMI |
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NV25080DTVLT3G | ONSEMI |
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NV25080DWHFT3G | ONSEMI |
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NV25160DTHFT3G | ONSEMI |
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NV25256DTHFT3G | ONSEMI |
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NV25256DWHFT3G | ONSEMI |
![]() Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; SPI; 32kx8bit; 2.5÷5.5V; 10MHz Type of integrated circuit: EEPROM memory Kind of memory: EEPROM Memory: 256kb EEPROM Interface: SPI Memory organisation: 32kx8bit Operating voltage: 2.5...5.5V Clock frequency: 10MHz Mounting: SMD Case: SOIC8 Kind of interface: serial Operating temperature: -40...150°C Access time: 40ns Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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NV25256MUW3VTBG | ONSEMI |
![]() Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; SPI; 32kx8bit; 1.8÷5.5V; 10MHz Type of integrated circuit: EEPROM memory Kind of memory: EEPROM Memory: 256kb EEPROM Interface: SPI Memory organisation: 32kx8bit Operating voltage: 1.8...5.5V Clock frequency: 10MHz Mounting: SMD Case: uDFN8 Kind of interface: serial Operating temperature: -40...125°C Access time: 40ns Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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NV25320DTHFT3G | ONSEMI |
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NV25320DWHFT3G | ONSEMI |
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NV25512MUW3VTBG | ONSEMI |
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NV25640DTHFT3G | ONSEMI |
![]() Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; SPI; 8kx8bit; 2.5÷5.5V; 10MHz Operating voltage: 2.5...5.5V Mounting: SMD Case: TSSOP8 Operating temperature: -40...150°C Kind of memory: EEPROM Type of integrated circuit: EEPROM memory Interface: SPI Kind of package: reel; tape Kind of interface: serial Access time: 40ns Memory: 64kb EEPROM Clock frequency: 10MHz Memory organisation: 8kx8bit Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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NV25640DWHFT3G | ONSEMI |
![]() Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; SPI; 8kx8bit; 2.5÷5.5V; 10MHz; SOIC8 Operating voltage: 2.5...5.5V Mounting: SMD Case: SOIC8 Operating temperature: -40...150°C Kind of memory: EEPROM Type of integrated circuit: EEPROM memory Interface: SPI Kind of package: reel; tape Kind of interface: serial Access time: 40ns Memory: 64kb EEPROM Clock frequency: 10MHz Memory organisation: 8kx8bit Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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NV25M01DTUTG | ONSEMI |
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NVA4001NT1G | ONSEMI |
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NVA4153NT1G | ONSEMI |
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NVB072N65S3 | ONSEMI |
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NVB082N65S3F | ONSEMI |
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NVB095N65S3F | ONSEMI |
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NVB099N65S3 | ONSEMI |
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NVB110N65S3F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 240W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 69A Gate charge: 58nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVB125N65S3 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 181W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVB150N65S3F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 192W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.15Ω Drain current: 24A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVB190N65S3F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 162W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 162W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVBG015N065SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 103A; Idm: 442A; 250W Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 650V Drain current: 103A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 283nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...18V Pulsed drain current: 442A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVBG020N090SC1 | ONSEMI |
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NVBG020N120SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8.6A Pulsed drain current: 392A Power dissipation: 3.7W Case: D2PAK-7 On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.22µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate-source voltage: -5...20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVBG022N120M3S | ONSEMI |
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NVBG025N065SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 75A Pulsed drain current: 284A Power dissipation: 197W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 164nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVBG030N120M3S | ONSEMI |
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NVBG040N120M3S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A Pulsed drain current: 149A Power dissipation: 131W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -3...18V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVBG040N120SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 43A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 178W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 106nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVBG045N065SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 44A; Idm: 184A; 121W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 44A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 121W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVBG060N065SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 85W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 74nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVBG060N090SC1 | ONSEMI |
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NVBG070N120M3S | ONSEMI |
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NVBG080N120SC1 | ONSEMI |
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NVBG095N065SC1 | ONSEMI | NVBG095N065SC1 SMD N channel transistors |
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NVBG1000N170M1 | ONSEMI |
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NVBG160N120SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W Case: D2PAK-7 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 33.8nC On-state resistance: 0.365Ω Drain current: 13.7A Power dissipation: 68W Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 1.2kV Technology: SiC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVBLS0D5N04CTXG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 4700A; 97.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 300A Pulsed drain current: 4700A Power dissipation: 97.4W Case: H-PSOF8L On-state resistance: 570µΩ Mounting: SMD Gate charge: 185nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NV24C04MUW3VLTBG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; I2C; 512x8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; I2C; 512x8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
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NV24C08DWVLT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1kx8bit
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Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NV24C08MUW3VLTBG |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1kx8bit
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Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
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Operating temperature: -40...125°C
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NV24C128MUW3VTBG |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 128bEEPROM; I2C; 16kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 128b EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 16kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
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Mounting: SMD
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Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
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Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 128bEEPROM; I2C; 16kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 128b EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 16kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
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Mounting: SMD
Case: uDFN8
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NV24C16DTVLT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 16kbEEPROM; I2C; 2kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; TSSOP8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 16kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
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Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 16kbEEPROM; I2C; 2kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; TSSOP8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 16kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
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Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
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NV24C16DWVLT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 16kbEEPROM; I2C; 2kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 16kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
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Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
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Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 16kbEEPROM; I2C; 2kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 16kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
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Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
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NV24C16MUW3VLTBG |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 16kbEEPROM; I2C; 2kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 16kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
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Mounting: SMD
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Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
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Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 16kbEEPROM; I2C; 2kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 16kb EEPROM
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Memory organisation: 2kx8bit
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Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
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Kind of package: reel; tape
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NV24C16SNVLT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 16kbEEPROM; I2C; 2kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; TSOP5
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 16kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
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Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 16kbEEPROM; I2C; 2kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; TSOP5
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 16kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: TSOP5
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
NV24C16UVLT2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 16kbEEPROM; I2C; 2kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; US8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 16kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: US8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 16kbEEPROM; I2C; 2kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; US8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 16kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: US8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
NV24C256MUW3VTBG |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; I2C; 32kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 40ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; I2C; 32kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 40ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
NV24C32DTVLT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 32kbEEPROM; I2C; 4kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; TSSOP8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 32kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 4kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
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Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 32kbEEPROM; I2C; 4kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; TSSOP8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 32kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 4kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NV24C32DWVLT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 32kbEEPROM; I2C; 4kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 32kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 4kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 32kbEEPROM; I2C; 4kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 32kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 4kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NV24C32MUW3VLTBG |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 32kbEEPROM; I2C; 4kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 32kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 4kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 32kbEEPROM; I2C; 4kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 32kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 4kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NV24C32UVLT2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 32kbEEPROM; I2C; 4kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; US8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 32kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 4kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: US8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 32kbEEPROM; I2C; 4kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; US8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 32kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 4kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: US8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NV24C512MUW3VTBG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; I2C; 64kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 0.4ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; I2C; 64kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 0.4ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NV24C64DTVLT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; I2C; 8kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; TSSOP8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 64kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; I2C; 8kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; TSSOP8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 64kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NV24C64DWVLT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; I2C; 8kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 64kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; I2C; 8kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 64kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NV24C64MUW3VLTBG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; I2C; 8kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 64kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; I2C; 8kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 64kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NV24C64UVLT2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; I2C; 8kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; US8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 64kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: US8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; I2C; 8kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; US8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 64kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: US8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NV24M01MUW3VTBG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 1MbEEPROM; I2C; 128kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 1Mb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 1MbEEPROM; I2C; 128kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz; uDFN8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 1Mb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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NV25010DWHFT3G |
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NV25010DWHFT3G Serial EEPROM memories - integ. circ.
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NV25080DTVLT3G Serial EEPROM memories - integ. circ.
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NV25080DWHFT3G Serial EEPROM memories - integ. circ.
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NV25160DTHFT3G Serial EEPROM memories - integ. circ.
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NV25256DTHFT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; SPI; 32kx8bit; 2.5÷5.5V; 10MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: SPI
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Mounting: SMD
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Operating temperature: -40...150°C
Access time: 40ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; SPI; 32kx8bit; 2.5÷5.5V; 10MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
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Mounting: SMD
Case: TSSOP8
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Operating temperature: -40...150°C
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Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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NV25256DWHFT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; SPI; 32kx8bit; 2.5÷5.5V; 10MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
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Operating temperature: -40...150°C
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Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; SPI; 32kx8bit; 2.5÷5.5V; 10MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
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Mounting: SMD
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Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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NV25256MUW3VTBG |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; SPI; 32kx8bit; 1.8÷5.5V; 10MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
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Mounting: SMD
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Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 40ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; SPI; 32kx8bit; 1.8÷5.5V; 10MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
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Mounting: SMD
Case: uDFN8
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Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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NV25320DTHFT3G |
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Hersteller: ONSEMI
NV25320DTHFT3G Serial EEPROM memories - integ. circ.
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NV25320DWHFT3G |
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Hersteller: ONSEMI
NV25320DWHFT3G Serial EEPROM memories - integ. circ.
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NV25512MUW3VTBG |
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Hersteller: ONSEMI
NV25512MUW3VTBG Serial EEPROM memories - integ. circ.
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NV25640DTHFT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; SPI; 8kx8bit; 2.5÷5.5V; 10MHz
Operating voltage: 2.5...5.5V
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
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Kind of memory: EEPROM
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Interface: SPI
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: serial
Access time: 40ns
Memory: 64kb EEPROM
Clock frequency: 10MHz
Memory organisation: 8kx8bit
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; SPI; 8kx8bit; 2.5÷5.5V; 10MHz
Operating voltage: 2.5...5.5V
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
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Kind of memory: EEPROM
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Interface: SPI
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Kind of interface: serial
Access time: 40ns
Memory: 64kb EEPROM
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Memory organisation: 8kx8bit
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
NV25640DWHFT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; SPI; 8kx8bit; 2.5÷5.5V; 10MHz; SOIC8
Operating voltage: 2.5...5.5V
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...150°C
Kind of memory: EEPROM
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Interface: SPI
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: serial
Access time: 40ns
Memory: 64kb EEPROM
Clock frequency: 10MHz
Memory organisation: 8kx8bit
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; SPI; 8kx8bit; 2.5÷5.5V; 10MHz; SOIC8
Operating voltage: 2.5...5.5V
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...150°C
Kind of memory: EEPROM
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Interface: SPI
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: serial
Access time: 40ns
Memory: 64kb EEPROM
Clock frequency: 10MHz
Memory organisation: 8kx8bit
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
NV25M01DTUTG |
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Hersteller: ONSEMI
NV25M01DTUTG Serial EEPROM memories - integ. circ.
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NVA4001NT1G |
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Hersteller: ONSEMI
NVA4001NT1G SMD N channel transistors
NVA4001NT1G SMD N channel transistors
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NVA4153NT1G |
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Hersteller: ONSEMI
NVA4153NT1G SMD N channel transistors
NVA4153NT1G SMD N channel transistors
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NVB072N65S3 |
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Hersteller: ONSEMI
NVB072N65S3 SMD N channel transistors
NVB072N65S3 SMD N channel transistors
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NVB082N65S3F |
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Hersteller: ONSEMI
NVB082N65S3F SMD N channel transistors
NVB082N65S3F SMD N channel transistors
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NVB095N65S3F |
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Hersteller: ONSEMI
NVB095N65S3F SMD N channel transistors
NVB095N65S3F SMD N channel transistors
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NVB099N65S3 |
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Hersteller: ONSEMI
NVB099N65S3 SMD N channel transistors
NVB099N65S3 SMD N channel transistors
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NVB110N65S3F |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
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Power dissipation: 240W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC
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NVB125N65S3 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
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Power dissipation: 181W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
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Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVB150N65S3F |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
NVB190N65S3F |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 162W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 162W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 162W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
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Power dissipation: 162W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
NVBG015N065SC1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 103A; Idm: 442A; 250W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 103A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 283nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 442A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 103A; Idm: 442A; 250W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 103A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 283nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 442A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVBG020N090SC1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVBG020N090SC1 SMD N channel transistors
NVBG020N090SC1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVBG020N120SC1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 3.7W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate-source voltage: -5...20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 3.7W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate-source voltage: -5...20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVBG022N120M3S |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVBG022N120M3S SMD N channel transistors
NVBG022N120M3S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVBG025N065SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 284A
Power dissipation: 197W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 284A
Power dissipation: 197W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVBG030N120M3S |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NVBG030N120M3S SMD N channel transistors
NVBG030N120M3S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVBG040N120M3S |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -3...18V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -3...18V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVBG040N120SC1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVBG045N065SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 44A; Idm: 184A; 121W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 121W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 44A; Idm: 184A; 121W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 121W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVBG060N065SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NVBG060N090SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
NVBG060N090SC1 SMD N channel transistors
NVBG060N090SC1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
NVBG070N120M3S |
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Hersteller: ONSEMI
NVBG070N120M3S SMD N channel transistors
NVBG070N120M3S SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
NVBG080N120SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
NVBG080N120SC1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
NVBG095N065SC1 |
Hersteller: ONSEMI
NVBG095N065SC1 SMD N channel transistors
NVBG095N065SC1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
NVBG1000N170M1 |
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Hersteller: ONSEMI
NVBG1000N170M1 SMD N channel transistors
NVBG1000N170M1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
NVBG160N120SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W
Case: D2PAK-7
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 33.8nC
On-state resistance: 0.365Ω
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W
Case: D2PAK-7
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 33.8nC
On-state resistance: 0.365Ω
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
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NVBLS0D5N04CTXG |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 4700A; 97.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 4700A
Power dissipation: 97.4W
Case: H-PSOF8L
On-state resistance: 570µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 4700A; 97.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 4700A
Power dissipation: 97.4W
Case: H-PSOF8L
On-state resistance: 570µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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