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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTP165N65S3H NTP165N65S3H ONSEMI ntp165n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.2 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP190N65S3HF ONSEMI ntp190n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP360N80S3Z NTP360N80S3Z ONSEMI ntp360n80s3z-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 96W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 32.5A
Power dissipation: 96W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.36 EUR
27+2.75 EUR
28+2.59 EUR
250+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP5D0N15MC ONSEMI ntp5d0n15mc-d.pdf NTP5D0N15MC THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6410ANG ONSEMI ntb6410an-d.pdf NTP6410ANG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6412ANG ONSEMI ntb6412an-d.pdf NTP6412ANG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP7D3N15MC ONSEMI ntp7d3n15mc-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 101A; Idm: 574A; 166W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 101A
Pulsed drain current: 574A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF082N65S3F ONSEMI ntpf082n65s3f-d.pdf NTPF082N65S3F THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF095N65S3H ONSEMI ntpf095n65s3h-d.pdf NTPF095N65S3H THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF110N65S3HF ONSEMI ntpf110n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF125N65S3H ONSEMI ntpf125n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF150N65S3HF ONSEMI ntpf150n65s3hf-d.pdf NTPF150N65S3HF THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF165N65S3H ONSEMI ntpf165n65s3h-d.pdf NTPF165N65S3H THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF190N65S3H ONSEMI ntpf190n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF190N65S3HF ONSEMI ntpf190n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF190N65S3HF ONSEMI ntpf190n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF250N65S3H ONSEMI ntpf250n65s3h-d.pdf NTPF250N65S3H THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF360N65S3H ONSEMI ntpf360n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 28A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF360N80S3Z ONSEMI ntpf360n80s3z-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 32.5A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.3nC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF450N80S3Z ONSEMI ntpf450n80s3z-d.pdf NTPF450N80S3Z THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF600N80S3Z ONSEMI ntpf600n80s3z-d.pdf NTPF600N80S3Z THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDABD57F79D57B80D3&compId=NTR0202PL.PDF?ci_sign=c89bac867850fdce5262bd307008ebf3c1178ec0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -400mA
Gate charge: 2.18nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
531+0.13 EUR
667+0.11 EUR
823+0.087 EUR
910+0.079 EUR
1701+0.042 EUR
1799+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 531
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT1G NTR1P02LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A32A4A467C745&compId=NTR1P02LT1.PDF?ci_sign=6153e17001fb94ed0623505a384015ac0deda37a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 3.1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
391+0.18 EUR
503+0.14 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT3G ONSEMI ntr1p02lt1-d.pdf NTR1P02LT3G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02T1G NTR1P02T1G ONSEMI ntr1p02t1-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
368+0.19 EUR
459+0.16 EUR
500+0.14 EUR
770+0.093 EUR
820+0.087 EUR
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ONSEMI ntr2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
236+0.3 EUR
336+0.21 EUR
385+0.19 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR3A052PZT1G ONSEMI ntr3a052pz-d.pdf NTR3A052PZT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR3C21NZT1G ONSEMI ntr3c21nz-d.pdf NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4003NT1G NTR4003NT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A3582F9A20745&compId=NTR4003N.PDF?ci_sign=b3216589411edabf78a677fe51c768f1946900ff Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.56A; 0.69W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.15nC
Power dissipation: 0.69W
Drain current: 0.56A
On-state resistance: 2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
837+0.086 EUR
1819+0.039 EUR
1924+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 837
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4003NT3G NTR4003NT3G ONSEMI ntr4003n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 0.83W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G NTR4101PT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE591CCD84FB8864469&compId=ntr4101.pdf?ci_sign=fbfb8af33574955611661724f77d3c1560fda68d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
379+0.19 EUR
407+0.18 EUR
528+0.14 EUR
593+0.12 EUR
1040+0.069 EUR
1099+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI ntr4170n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
230+0.31 EUR
327+0.22 EUR
376+0.19 EUR
428+0.17 EUR
451+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A38021576A745&compId=NTR4171P.PDF?ci_sign=9e065e98ff36bdf407baec3146c6e6c7e1152928 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+1.43 EUR
72+0.99 EUR
196+0.37 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4501NT1G NTR4501NT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8E63E79CB0B20D4&compId=NxR4501N.PDF?ci_sign=180ebdc299f6e6ce523ffcbfd17d89734c695aba Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5336 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
298+0.24 EUR
400+0.18 EUR
455+0.16 EUR
705+0.1 EUR
736+0.097 EUR
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4502PT1G NTR4502PT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A3B056DCAC745&compId=NTR4502P.PDF?ci_sign=92bd47813be3d7a8d5de3a68b98339d2d3c7479b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
368+0.19 EUR
463+0.15 EUR
506+0.14 EUR
1021+0.07 EUR
1064+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4503NT1G NTR4503NT1G ONSEMI ntr4503n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.6nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.73W
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2965 Stücke:
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358+0.2 EUR
417+0.17 EUR
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556+0.13 EUR
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820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5103NT1G NTR5103NT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE897B85D3E3D7CF3D7&compId=NTR5103N.pdf?ci_sign=6d06c1312903dbec21cd185ba9f078608659e61a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.42W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 0.81nC
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.42W
On-state resistance: 3Ω
Drain-source voltage: 60V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1872 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
521+0.14 EUR
736+0.097 EUR
861+0.083 EUR
1064+0.067 EUR
1731+0.041 EUR
1832+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5105PT1G NTR5105PT1G ONSEMI ntr5105p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
447+0.16 EUR
645+0.11 EUR
755+0.095 EUR
867+0.083 EUR
955+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G ONSEMI ntr5198nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 155mΩ
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
295+0.24 EUR
369+0.19 EUR
505+0.14 EUR
594+0.12 EUR
6000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTRV4101PT1G ONSEMI ntr4101p-d.pdf NTRV4101PT1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G ONSEMI nts2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
205+0.35 EUR
264+0.27 EUR
298+0.24 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS260SFT1G ONSEMI nts260sf-d.pdf NTS260SFT1G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4001NT1G NTS4001NT1G ONSEMI nts4001n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.33W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
472+0.15 EUR
550+0.13 EUR
815+0.088 EUR
935+0.077 EUR
1067+0.067 EUR
1454+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4101PT1G NTS4101PT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A3E1CDF086745&compId=NTS4101P.PDF?ci_sign=561d50a6497bdf37f67c6b1eaa8f4de7f4a29c97 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.329W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70; SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
83+0.86 EUR
100+0.72 EUR
164+0.43 EUR
450+0.16 EUR
1500+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4173PT1G ONSEMI nts4173p-d.pdf NTS4173PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4409NT1G NTS4409NT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A40ECE502E745&compId=NTS4409N.PDF?ci_sign=63654eab07e08ab6a86203eac12ae7ed71bc8f9e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.75A; 0.28W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
183+0.39 EUR
216+0.33 EUR
249+0.29 EUR
288+0.25 EUR
432+0.17 EUR
459+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTBC070NP10M5L ONSEMI nttbc070np10m5l-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 9.5/-5A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 14/10W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70/186mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6/7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD022N10C ONSEMI nttfd022n10c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 349A; 26W; WQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 349A
Power dissipation: 26W
Case: WQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD2D8N03P1E ONSEMI nttfd2d8n03p1e-d.pdf NTTFD2D8N03P1E Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D0N04HLTWG ONSEMI nttfd4d0n04hl-d.pdf NTTFD4D0N04HLTWG Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAG ONSEMI nttfs002n04cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 142A
Pulsed drain current: 706A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CTAG ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008N04CTAG ONSEMI nttfs008n04c-d.pdf NTTFS008N04CTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008P03P8Z ONSEMI nttfs008p03p8z-d.pdf NTTFS008P03P8Z SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS010N10MCLTAG ONSEMI nttfs010n10mcl-d.pdf NTTFS010N10MCLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS012N10MDTAG ONSEMI nttfs012n10md-d.pdf NTTFS012N10MDTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS015N04CTAG ONSEMI nttfs015n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27A; Idm: 93A; 7.4W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 7.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS015P03P8ZTAG ONSEMI nttfs015p03p8z-d.pdf NTTFS015P03P8ZTAG SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS015P03P8ZTWG ONSEMI nttfs015p03p8z-d.pdf NTTFS015P03P8ZTWG SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS020N06CTAG ONSEMI NTTFS020N06C-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP165N65S3H ntp165n65s3h-d.pdf
NTP165N65S3H
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.2 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP190N65S3HF ntp190n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP360N80S3Z ntp360n80s3z-d.pdf
NTP360N80S3Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 96W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 32.5A
Power dissipation: 96W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.36 EUR
27+2.75 EUR
28+2.59 EUR
250+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP5D0N15MC ntp5d0n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTP5D0N15MC THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6410ANG ntb6410an-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTP6410ANG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6412ANG ntb6412an-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTP6412ANG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP7D3N15MC ntp7d3n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 101A; Idm: 574A; 166W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 101A
Pulsed drain current: 574A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF082N65S3F ntpf082n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTPF082N65S3F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF095N65S3H ntpf095n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTPF095N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF110N65S3HF ntpf110n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF125N65S3H ntpf125n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF150N65S3HF ntpf150n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTPF150N65S3HF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF165N65S3H ntpf165n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTPF165N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF190N65S3H ntpf190n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF190N65S3HF ntpf190n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF190N65S3HF ntpf190n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF250N65S3H ntpf250n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTPF250N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF360N65S3H ntpf360n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 28A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF360N80S3Z ntpf360n80s3z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 32.5A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.3nC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF450N80S3Z ntpf450n80s3z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTPF450N80S3Z THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF600N80S3Z ntpf600n80s3z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTPF600N80S3Z THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR0202PLT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDABD57F79D57B80D3&compId=NTR0202PL.PDF?ci_sign=c89bac867850fdce5262bd307008ebf3c1178ec0
NTR0202PLT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -400mA
Gate charge: 2.18nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
531+0.13 EUR
667+0.11 EUR
823+0.087 EUR
910+0.079 EUR
1701+0.042 EUR
1799+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 531
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A32A4A467C745&compId=NTR1P02LT1.PDF?ci_sign=6153e17001fb94ed0623505a384015ac0deda37a
NTR1P02LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 3.1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
391+0.18 EUR
503+0.14 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT3G ntr1p02lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTR1P02LT3G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02T1G ntr1p02t1-d.pdf
NTR1P02T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
368+0.19 EUR
459+0.16 EUR
500+0.14 EUR
770+0.093 EUR
820+0.087 EUR
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR2101PT1G ntr2101p-d.pdf
NTR2101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
236+0.3 EUR
336+0.21 EUR
385+0.19 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR3A052PZT1G ntr3a052pz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTR3A052PZT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR3C21NZT1G ntr3c21nz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4003NT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A3582F9A20745&compId=NTR4003N.PDF?ci_sign=b3216589411edabf78a677fe51c768f1946900ff
NTR4003NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.56A; 0.69W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.15nC
Power dissipation: 0.69W
Drain current: 0.56A
On-state resistance: 2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
837+0.086 EUR
1819+0.039 EUR
1924+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 837
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4003NT3G ntr4003n-d.pdf
NTR4003NT3G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 0.83W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE591CCD84FB8864469&compId=ntr4101.pdf?ci_sign=fbfb8af33574955611661724f77d3c1560fda68d
NTR4101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
379+0.19 EUR
407+0.18 EUR
528+0.14 EUR
593+0.12 EUR
1040+0.069 EUR
1099+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
230+0.31 EUR
327+0.22 EUR
376+0.19 EUR
428+0.17 EUR
451+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4171PT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A38021576A745&compId=NTR4171P.PDF?ci_sign=9e065e98ff36bdf407baec3146c6e6c7e1152928
NTR4171PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+1.43 EUR
72+0.99 EUR
196+0.37 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4501NT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8E63E79CB0B20D4&compId=NxR4501N.PDF?ci_sign=180ebdc299f6e6ce523ffcbfd17d89734c695aba
NTR4501NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5336 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
298+0.24 EUR
400+0.18 EUR
455+0.16 EUR
705+0.1 EUR
736+0.097 EUR
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4502PT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A3B056DCAC745&compId=NTR4502P.PDF?ci_sign=92bd47813be3d7a8d5de3a68b98339d2d3c7479b
NTR4502PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
368+0.19 EUR
463+0.15 EUR
506+0.14 EUR
1021+0.07 EUR
1064+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NTR4503NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.6nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.73W
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
417+0.17 EUR
506+0.14 EUR
556+0.13 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5103NT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE897B85D3E3D7CF3D7&compId=NTR5103N.pdf?ci_sign=6d06c1312903dbec21cd185ba9f078608659e61a
NTR5103NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.42W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 0.81nC
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.42W
On-state resistance: 3Ω
Drain-source voltage: 60V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1872 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
521+0.14 EUR
736+0.097 EUR
861+0.083 EUR
1064+0.067 EUR
1731+0.041 EUR
1832+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
NTR5105PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
447+0.16 EUR
645+0.11 EUR
755+0.095 EUR
867+0.083 EUR
955+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5198NLT1G ntr5198nl-d.pdf
NTR5198NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 155mΩ
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
295+0.24 EUR
369+0.19 EUR
505+0.14 EUR
594+0.12 EUR
6000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTRV4101PT1G ntr4101p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTRV4101PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G nts2101p-d.pdf
NTS2101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
205+0.35 EUR
264+0.27 EUR
298+0.24 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS260SFT1G nts260sf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTS260SFT1G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4001NT1G nts4001n-d.pdf
NTS4001NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.33W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
472+0.15 EUR
550+0.13 EUR
815+0.088 EUR
935+0.077 EUR
1067+0.067 EUR
1454+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4101PT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A3E1CDF086745&compId=NTS4101P.PDF?ci_sign=561d50a6497bdf37f67c6b1eaa8f4de7f4a29c97
NTS4101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.329W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70; SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
83+0.86 EUR
100+0.72 EUR
164+0.43 EUR
450+0.16 EUR
1500+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4173PT1G nts4173p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTS4173PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4409NT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A40ECE502E745&compId=NTS4409N.PDF?ci_sign=63654eab07e08ab6a86203eac12ae7ed71bc8f9e
NTS4409NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.75A; 0.28W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
183+0.39 EUR
216+0.33 EUR
249+0.29 EUR
288+0.25 EUR
432+0.17 EUR
459+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTBC070NP10M5L nttbc070np10m5l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 9.5/-5A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 14/10W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70/186mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6/7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD022N10C nttfd022n10c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 349A; 26W; WQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 349A
Power dissipation: 26W
Case: WQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD2D8N03P1E nttfd2d8n03p1e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFD2D8N03P1E Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D0N04HLTWG nttfd4d0n04hl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFD4D0N04HLTWG Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAG nttfs002n04cl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 142A
Pulsed drain current: 706A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CTAG
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008N04CTAG nttfs008n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS008N04CTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008P03P8Z nttfs008p03p8z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS008P03P8Z SMD P channel transistors
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NTTFS010N10MCLTAG nttfs010n10mcl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS010N10MCLTAG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS012N10MDTAG nttfs012n10md-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS012N10MDTAG SMD N channel transistors
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NTTFS015N04CTAG nttfs015n04c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27A; Idm: 93A; 7.4W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 7.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS015P03P8ZTAG nttfs015p03p8z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS015P03P8ZTAG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS015P03P8ZTWG nttfs015p03p8z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTTFS015P03P8ZTWG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS020N06CTAG NTTFS020N06C-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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